CVD，即化学气相沉积，是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层集成电路材料的工艺。过程中，将特定材料暴露在蒸汽中，如Si暴露在含SiO2的蒸汽中，以生长均匀的绝缘层或金属薄膜层。这通常在高真空环境下进行，涉及单元素或化合物的反应。CVD过程中，有毒和腐蚀性气体流过真空阀，温度升至1000°C，发生一系列联合反应。这些反应受到气体动力学和反应室设计的精密控制，以确保薄膜的均匀生长。反应室的设计和控制参数，如温度、混合气体成分、压力和流率，对CVD过程至关重要。通过优化这些参数，可以实现特定材料的精确沉积，满足集成电路制造中的严格要求。此外，CVD还涉及高温分解和化学反应等步骤，其中已分解的所需物质粘附在衬底上，形成所需的薄膜层。整个过程需要精确控制以确保薄膜的质量和性能。除了栅氧化层和Al层外，多晶硅上的所有层都可以通过CVD沉积来实现，这显示了其在半导体制造中的广泛应用。