肖特基和散热片
大电容

大功率多口充推荐方案
20V/3.2A
AC(交流电) 传统反激架构 TD1730 TD9517 USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
or
Adapter 20V/3.2A
TD9517
USB 5V/2.4A
TD9517
USB 5V/2.4A
8A+
15uH
打嗝模式
TD1730
Syn
35V
130 – 220KHz
8A+
22uH
DFN3 x 3易过认证， 10 打嗝模式
补充 1. TD1482A，TD1484A ，TD1529, TD1519, TD2778, 为P2P。 2. TD1728， TD1729，TD1730 为P2P。频率若要一致，只需微调 OCSET对地电阻阻值。
外围器件-电感
外围器件-肖特基
10uH
不需要
100uH
SS14
100uH的单价要高 0.3RMB以上
SS14报价在0.1RMB 左右

TD1609 5V/1A全功能方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置Pmos，Buck异步降压控制器。 最大持续负载电流1.8A。 输入最高电压40V，输出电压1.23 – 12V可调。 PFM模式，轻载高效。 150KHz开关频率易过认证。 短路打嗝模式，支持短路自恢复。打嗝电流800mA，没有发热。
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TD1728/1729/1730 - 5V/2.4A以上车充方案
1. 2. 3. 4. 外置双Nmos，Buck同步降压控制器。 PFM和PWM模式，超高负载效率，最大持续负载电流25A。 可调开关频率（TD1730,130 – 220KHz），支持易过认证。 可调过流保护值。短路自锁（TD1728），短路打嗝自恢复 （TD1730）。打嗝电流800mA，没有发热。 5. 稳定并高效率搭配TDM3420 实现3.4A输出应用，搭配TDM3424实 现3.4A以上（4.8A及以上等应用）。 6. DFN 3 x 3小封装节省空间。
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT89
TDM3422
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT223
Q2/14
= Mass Production
Q3/14
= In Progress
Q4/14
Q1/15

Mosfet 型号参数列表I
Rds（on）
TD1730 + 20V/3A
<<
5V/12A
Total:

典型应用及demo board
TD1730 + （TD3428 x 2） + 78L05 + （TD9517 x 6）
推荐： 10A以下用2个TD3428， 10 – 15A 用3个TD3428（上1下2）,15 – 25A用4个TD3428

多口USB充电器方案介绍

传统多口旅充
变压器
高压mos和散热片
AC输入
100 – 240V交流电
缺点： 1. 4口USB输出， 3 – 5A 的电流已经不能满足现 5VUSB输出 代多个设备的大电流充 3 – 5A 直流 电需求。 2. 架构决定当输出电流大 于等于4A时，效率低 且发热严重。 3. 没有单口限流，输出短 路则有可能烧坏外设产 品，或是关断输出，全 部端口不能p

Mosfet Roadmap
TDM2302
Nmos,20V,20mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3426
Nmos,30V,30A,10mOhm, SOT89
Mosfet Products Family
30
35
5
SOT-23-3L
TDM3426
Single-N
30V
±20V
10
30
SOT89
TDM3428
Single-N
TDM2305
Pmos,-20V,60mOhm,-3.5A ,SOT23-3L
TDM3428
Nmos,30V,35A,10mOhm, TO252
TDM2306
Nmos,30V,30mOhm,5A ,SOT23-3L
TDM3420
Nmos,30V,25mOhm,5.1A ,SOT23-6
TDM3424
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TD2778 - 5V/2.4A车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
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TD2780 - 5V/2.4A限流可调车充方案
1. 2. 3. 4. 5. 6. 内置双Nmos，Buck同步降压控制器。 最大持续负载电流2.4A。 200KHz开关频率，电流模式环路控制更易过认证。 效率高达93%（12V输入，5V/2.4A输出）。 输出限流可调。 Soft – start 时间可调，避免启动瞬间的尖峰电流。
1uF
1uF 0.1uF 2.2uF 1uF 1nF 100R100MHz 3.3uH 470uF 680uF 100K 2.2 100K 2.2 470K 10K 15K 2.4K
0.005
0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.2 1.2 0.1 0.1 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 4.401
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TD1529 Vs MC34063
TD1529 输入电压 开关频率 输出最大电流 效率（12V输入，5V/1A 输出） 过温保护 过流保护 32V 340KHz 1.6A 92% 支持 支持 MC34063 18 – 30V 100KHz 0.8 – 1.2A 78% 不支持 支持 备注
型号 架构 VDS(V) VGS(V) Vgs@10V TDM2302 Single-N 20V ±10V Vgs@4.5V 20 5 SOT-23-3L 最大电流（A） 封装 备注
TDM2305
Single-P
-20V
±12V
60
-3.5
SOT-23-3L
TDM2306
Single-N
30V
±20V

5V/2.4A以上车充选型表格
型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注 DFN3 x 310 DFN3 x 310 短路自锁
TD1728
Syn
35V
290 – 430KHz
8A+
15uH
TD1729
Syn
35V
290 – 430KHz
Quote(RMB) 0.15 1.2 0.7 0.7 0.005
5V/12A (RMB) 肖特基 高压mos 变压器 散热片 大电容 Total 2 3 3 3 1 12
20V/3A (RMB) 0.5 0.8 2 1 0.5 4.8
Cap
Cap Cap Cap Cap Cap Inductor Inductor Iron Cap Pol1 Cap Pol1 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2 Res2
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TD1728/1729/1730 – Layout指导
1. 先摆放功率器件。H-Mos，L-Mos，电感等。高频输入电 容的正极与2个Mos环路尽可能小（上管D端，下管s端） 2. 。输入大电容靠近HMos D端，输出大电容靠近电感的输 出端。 3. Hgate， Lgate， LX三条线要宽至少20mil，且尽量短。 其中，Hgate，LX快速切换时为同相位，可靠近或走差分 线。Lgate为相反相位，尽量远离Hgate和LX。 4. FB走线尽量避免高频信号。例如：Hgate，Lgate，LX等。 5. 小信号器件尽量靠近控制器。例如：BST电容，VCC对地 电容，FB电阻等。 6. 输入端加磁珠。LX对GND连2.2Ohm电阻和1nF电容。 （安规需要） 7. 输出电容端可以考虑再加一个共模电感到输出端。 （安 规需要）
America Techcode Semiconductor, Inc.
泰德产品方案介绍
2014/12

Agenda
1. 车充方案介绍 2. 多口充电器方案介绍 3. Mosfets Roadmap

车充方案介绍

型号 架构 最大输入电压 开关频率 最大电流 电感感值 封装 备注
TD1482A Syn 23V 340KHz 2A 22uH SOP8
TD1484A
Syn
23V
340KHz
3.2A
22uH
SOP8-PP 小电容，小电 感，低成本不 易过认证
TD1519A
Syn
32V
600KHz
2.1A
6.8uH
SOP8
TD2778
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
TD2780
Syn
32V
200KHz
2.4A
33uH
高效率,易过 SOP8-PP 认证,LX对地 需并联一个肖 特基 限流可调，高 SOP8-PP 效率,易过认 证（即将量产）
TD1501H
Asyn
56V
150KHz
3A
68uH
TO220/263