Fast Diode﹕快速恢復二極體
Schottky Barrier Diode﹕肖特基勢壘二極體
Switch Diode﹕開關二極體
Zener Diode﹕齊納二極體
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER﹕肖特基勢壘二極體的整流器
Absolute Maximum Ratings﹕絕對最大的等級
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 Second﹕峰值振蕩電流脈沖寬度IF(surge)1秒
Total Power Dissipation at 25℃﹕整體消耗的功率
Theta (Rth j-a) (Note 1) From junction to ambient mounted on a ceramic substrate of 10 mm x 8 mm x 0.6 mm
Storage Temperature﹕貯藏溫度Tstg
Operating Junction Temperature﹕工作接合溫度TJ
Working Inverse Voltage﹕工作反向電壓Viv
DC Forward Current (IF)﹕正向直流電流IF
Recurrent Peak Forward Current (IFRM)﹕峰值正向直流電流If
再則是電阻的燃燒問題，部分電路因為申請安規時，要求不能有燃燒現象，則必須選則不可燃的塗裝。
4.色碼的判別：
電阻的阻值，通常可以直接從本體的顏色、條碼來得知其阻值，誤差值為2%以上者，條碼為4碼﹔誤差1%以下者，條碼為5碼﹔也有部分瓦數較大的電阻，直接用文字在本體印出其阻值。
(a).普通電阻的條碼：
顏色的代表數字：
SMD有0603、0805、1206、1812……等
(c).以外型區分………………………固定型、可變型、厚膜排阻、水泥電阻
(d).常見的材質種類…………………碳膜、金屬皮膜、金屬氧化皮膜、繞線有感、繞線無感
(e).以可燃性區分……………………一般型（可燃）、不可燃，因為表面塗裝的材料而異
(f).溫度係數區分……………………正溫度係數、負溫度係數
Resistance電阻(被動元件)
電阻的功用及結構
電阻的種類
電阻的使用
色碼的判別
標準阻值級距
1.電阻的功用及結構：
在日常生活中常接觸到的電阻器，有很多的型態，如電燈泡的燈絲，可以將電能轉成光，電鍋、烤麵包機等電氣用品，則是電阻將電能轉成熱能的典型應用；電子電路中，電阻大多是用來衰減或偵測電流、電壓，在SMPS中，有時候用來作為放電用，其功用非常多，例如：耐壓較小的電晶體，則需要靠電阻幫忙衰減電壓，使其工作的電壓不致於超高而損壞。電阻本身不會產生能量，是典型的被動元件。
(g).以誤差範圍區分…………………0.1％，0.25％，0.5％，1％，2％，5％，10％
(h).耐壓範圍來區分…………………因瓦數不同而有400V、500V、700V、1000V
(i).偵測用途來區分…………………光敏電阻（CDS）、熱敏電阻（NTC: Negative TemperatureCoefficient＆PTC: Positive Temperature Coefficient）
11.8
-
17.4
17.4
-
25.5
25.5
-
37.4
37.4
-
54.9
54.9
-
80.6
80.6
-
12.0
-
12
17.6
-
-
25.8
-
-
37.9
-
-
55.6
-
-
81.6
-
-
12.1
12.1
-
17.8
17.8
-
26.1
26.1
-
38.3
38.3
-
56.2
56.2
56
82.5
82.5
82
12.3
-
-
18.0
3.電阻的使用：
(a).功率選用：
一般決定電阻應該選用幾瓦，係考量消耗在電阻上的功率所產生的熱量，因為電阻會有Derating Curve（功率衰減曲線），例如：2W的電阻，實際使用消耗在電阻上的功率，最好小於1W（ie.＜50%），下圖就是Carbon Film固定電阻隨環境溫度不同的衰減曲線：
根據歐姆定律……………V ＝ I* R
DiodeCharacteristics
二極體Diode是半導體(Semiconductors)器件﹐利用半導體的單向導電性造成﹐內部有一個PN結
由硅或鍺材料造成﹐可以用伏安特性來描述。
Smd﹕粘片Dip﹕插件PACKAGE﹕封裝形式specification﹕規格書
Dual,commoncathodeschottkyrectifierdiodes﹕共陰極雙個的肖特基勢壘整流二極體

-
56.9
-
-
83.5
-
-
12.4
12.4
-
18.2
18.2
-
26.7
26.7
39.2
39.2
39
57.6
57.6
-
84.5
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.25%
1 %
5 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
0.5%
10 %
10.0
10.0
10
14.7
14.7
-
21.5
21.5
-
31.6
31.6
Thermal Characteristics﹕電晶體特性
Collector-Emitter Voltage﹕VCEO
Collector-Base Voltage﹕VCBO
Emitter-Base Voltage﹕VEBO
Collector Current – Continuous﹕IC
Operating and Storage Junction Temperature Range﹕工作和貯藏接合溫度范圍Tstg
*10的幾次方
例如：紅色則為2
R = XXX *102
誤差碼：
紅色：2%
棕色：1%
綠色：0.5%
藍色：0.25 %
紫色：0.1%
灰色：0.05%
圖中的電阻值為：
1 2 2 * 102= 12200 = 12.2K
A1
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
0.1%
2 %
Electrical Characteristics﹕有關電氯特性
Min﹕最小的
Max﹕最大的
Typ﹕中間的
Units﹕單位
TEST CONDITIONS﹕測試條件
Breakdown Voltage﹕擊穿電壓BV
Reverse Leakage﹕反向漏電流IR
Forward Voltage﹕正向電壓降VF
慣用的英文代碼：
K：1000= 103
M：1000K = 106
G：1000M = 109
‘m’：10-3
‘ u ‘：10-6
‘n’：10-9
‘ p‘：10-12
(b).精密電阻的條碼：
4
誤差碼用文字時：
G：2%
F：1%
D：0.5%
C：0.25 %
B：0.1%
A：0.05%
第一個數字
第二個數字
第三個數字
23.4
-
-
34.4
-
-
50.5
-
-
74.1
-
-
11.0
11.0
11
16.2
16.2
-
23.7
23.7
-
34.8
34.8
-
51.1
51.1
51
75.0
75.0
75
11.1
-
-
16.4
-
-
24.0
-
24
35.2
-
-
51.7
-
-
75.9
-
-
11.3
11.3
-
16.5
16.5
-
24.3
24.3
-
35.7
35.7
Collector Dissipation﹕消耗功率PC
Collector-Base Breakdown Voltage﹕集電極-基極擊穿電壓BVCBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage﹕集電極-發射極擊穿電壓BVCEO
Emitter-Base Breakdown Voltage﹕發射極-基極擊穿電壓BVEBO
Base Cut-off Current﹕基極關閉電流IBEV
Collector Cut-off Current﹕集電極關閉電流ICEX
DC Current Gain﹕直流電流放大倍數hFE
Collector-Emitter Saturation Voltage﹕集電極-發射極飽和電壓VCE(sat)
-
-
15.4