DKBA 华为技术有限公司内部技术规范DKBA4247-2005.8 射频可测试性设计规范2005年9月10日发布2005年9月10日实施华为技术有限公司Huawei Technologies Co., Ltd.版权所有侵权必究All rights reserved修订声明Revision declaration本规范拟制与解释部门：本规范的相关系列规范或文件：《ICT可测试性设计规范》相关国际规范或文件一致性：替代或作废的其它规范或文件：相关规范或文件的相互关系：《射频可测试性设计规范》包括了《ICT可测试性设计规范》中的《射频ICT可测试性设计规范》，并增加了《FT可测试性设计规范》内容，最后合并为统一的《射频可测试性设计规范》，以后《射频ICT可测试性设计规范》将随本规范升级。
本规范版本升级更改主要内容：本规范为最初版本。
本规范主要起草专家：部门：无线装备部无线基站开发管理部本规范主要评审专家：部门：无线装备部总体技术部工艺测试研究部无线基站开发管理部本规范历次修订情况：规范号主要起草专家主要评审专家Doc No.DKBA4247-2005.08目录Table of Contents1射频单板ICT DFT设计 (6)1.1射频单板ICT测试点设计规则 (6)1.2射频器件ICT DFT设计规则 (8)1.2.1射频放大器和场效应管放大器 (8)1.2.2MMIC射频开关 (9)1.2.3MMIC射频衰减器 (10)1.2.4射频VCO (11)1.2.5射频锁相环 (11)1.2.6集成频率综合器 (12)1.2.7滤波器 (12)1.2.8射频调制器 (12)1.2.9隔离器 (12)1.2.10环行器 (12)1.2.11阻抗变换器 (12)1.2.12射频混频器 (13)1.2.13功分器 (13)1.2.14耦合器 (13)1.2.15功放过流告警电路测试 (13)2射频单板、模块FT DFT设计 (14)2.1射频单板连接器归一化 (14)2.2射频单板外接电源插座归一化 (14)2.3基站天馈系统驻波检测设计 (14)2.4基站射频模块对外接口设计 (14)2.5基站双工器可测试性设计 (15)2.6基站功放模块可测试性设计 (15)2.7基站低噪放可测试性设计 (15)2.8基站TRX单板或模块可测试性设计 (16)3参考文献Reference Document (16)表目录List of Tables表1 XX表Table 1 XX......................................................................................错误！未定义书签。
图目录List of Figures图1某公司功放模块单板微带线上ICT测试点设置方法 (6)图2某公司频率综合源RF通路微带线分支ICT测试点设置方法 (7)图3某公司数字衰减器AT-210控制端ICT测试点设置方法（表贴式） (7)图4ICT测试点设置在扼流线圈和限流电阻之间 (8)图5ICT测试点设置输出微带线上 (8)图6放大器前直接是耦合电容ICT设置方法 (9)图7射频开关电源端ICT测试点设置方法 (9)图8射频开关控制端ICT测试点设置方法 (10)图9射频衰减器电源端ICT测试点设置方法 (10)图10射频衰减器电源端ICT测试点设置方法 (11)图11射频衰减器控制端和射频输入输出端ICT测试点设置方法 (11)图12功放电流检测电路部分ICT测试点设计 (14)射频可测试性设计规范范围本规范主要规范RF单板ICT DFT设计和FT DFT设计，适用于产品设计中的所有成员，特别包括硬件方案设计人员，原理图项目人，RF硬件设计人员，RF CAD设计工程师、ICT装备工程师。
本规范适用于RF单板ICT和FT DFT的设计。
简介本规范规定了RF单板ICT DFT设计方法和FT DFT设计方法，适用在RF单板方案设计阶段、PCB布局阶段和ICT软件编程阶段。
要求开发工程师和RF CAD设计工程师在单板方案设计、PCB布局时遵守此规范进行ICT测试点和FT可测试性设计，ICT装备工程师遵守此规范进行ICT软件编程。
制定本规范的目的之一是收集整理产品设计过程中好的射频FT DFT设计方法并加以总结、推广，旨在从设计源头加强射频FT DFT设计的有效性和规范性，帮助DFT设计人员和产品开发人员更好的实现产品的射频FT DFT特性。
关键词RF，DFT，ICT，FT，ICT测试点。
规范性引用文件无。
术语和定义RF：Radio Frequency，无线电频率。
ICT：In- Circuit Test，在线测试BUT：Board Under Test，被测单板DFT：Design- for- Test，可测试性设计FT：Function Test，功能测试MMIC：Microwave Monolithic Integrated Circuit，微波单片集成电路缩略语Abbreviations 英文全名Full spelling 中文解释Chinese explanation RF Radio Frequency 无线电频率ICT In- Circuit Test 在线测试DFT Design- for- Test 可测试性设计FT Function Test 功能测试MMIC Microwave Monolithic Integrated微波单片集成电路Circuit1 射频单板ICT DFT设计1.1射频单板ICT测试点设计规则规则1.1.1：射频微带线上的ICT测试点的直径设置为40mil，特殊情况下最小可允许为32mil（需要与ICT工程师确认）。
所以PCB设计时，微带线线宽最好设置在30mil以上，尽量减小测试点阻抗的不连续性。
说明1：如果射频微带线上有过孔，过孔直径设置为40mil，特殊情况下最小可允许为32mil （需要与ICT工程师确认），仿真通过后，将该过孔属性设置成ICT测试点属性，则该过孔可以直接作为ICT测试点。
说明2：如果射频微带线上没有过孔，则微带线上ICT测试点类型选用表贴式，直径设置为40mil，特殊情况下最小可允许为32mil（需要与ICT工程师确认），仿真通过后，将表贴式测试点属性设置成ICT测试点属性。
规则1.1.2：射频微带线上的ICT测试点尽量放在微带线上，见图1。
对于1GHz以下的信号，如果布局紧密，微带线上的ICT测试点也可以适当设置在分支线上，见图2；对于1GHz以上的信号，微带线上的测试点要求放在微带线上，如果空间局限必须设置在分支线上，可以最后进行防真，将ICT测试点的影响降低到最小。
图1某公司功放模块单板微带线上ICT测试点设置方法图2某公司频率综合源RF通路微带线分支ICT测试点设置方法规则1.1.3：其它非微带线上的ICT测试点设计规则见《ICT可测试性设计规范》中第四章ICT机械设计规范。
说明：非微带线上的ICT测试点可以是过孔型式，也可以是表贴式。
见图3，某公司单板AT-210数字衰减器控制端ICT测试点为表贴式。
图3某公司数字衰减器AT-210控制端ICT测试点设置方法（表贴式）1.2 射频器件ICT DFT设计规则1.2.1 射频放大器和场效应管放大器规则1.2.1.1：放大器直流工作点设置ICT测试点，可以检测放大器直流工作点电压是否正常。
说明1：如果放大器输出端直接与扼流电感相接，则放大器直流工作点测试点设置在扼流电感与限流电阻之间，见图4；如果放大器输出端直接与限流电阻相接，则放大器直流工作点测试点直接设置在放大器输出端，见图5。
具体应按实际电路及布线情况确定。
图4ICT测试点设置在扼流线圈和限流电阻之间图5ICT测试点设置输出微带线上建议1.2.1.1：如果空间布局允许，建议在放大器输入端的微带线上也设置ICT测试点，可以检测放大器输入工作点电压是否正常。
说明1：射频放大器输入端ICT测试点的设置在放大器输入管脚附近，见图6。
图6放大器前直接是耦合电容ICT设置方法1.2.2 MMIC射频开关规则1.2.2.1：射频开关电源端设置ICT测试点，可以检测射频开关电源端电压是否正常，进一步判断器件电源端工作电流的大小，筛选出电源端漏电偏大的失效器件。
说明1：电源端ICT测试点设置在器件管脚附近，见图7，可以直接检测器件的工作电压。
为达到筛选出漏电流偏大的器件，电源端限流电阻不能低于2.2K。
图7射频开关电源端ICT测试点设置方法规则1.2.2.2：射频开关控制端设置ICT测试点，可以检测射频开关控制电压状态，进一步判断器件控制端工作电流的大小，筛选出控制端漏电偏大的失效器件。
说明1：射频开关控制端ICT测试点设置在器件控制端管脚附近，见图8。
可以直接检测器件控制端工作电压。
为达到筛选出漏电流偏大的器件，控制端限流电阻不能低于2.2K。
图8射频开关控制端ICT测试点设置方法1.2.3 MMIC射频衰减器规则1.2.3.1：射频衰减器电源端设置ICT测试点，可以检测射频衰减器电源端电压是否正常，进一步判断器件电源端工作电流的大小，筛选出电源端漏电偏大的失效器件。
说明1：射频衰减器电源端ICT测试点设置在器件电源端管脚附近，见图9，可以直接检测器件的电源电压。
有些射衰减器电源端和射频端口是同一端口，则只加一个ICT测试点即可，见图10。
为达到筛选出电源端漏电流偏大的器件，电源端限流电阻不能低于2.2K。
图9射频衰减器电源端ICT测试点设置方法图10射频衰减器电源端ICT测试点设置方法规则1.2.3.2：射频数字衰减器控制端口设置ICT测试点，可以检测射频衰减器控制电压状态，进一步判断器件控制端工作电流的大小，筛选出控制端漏电偏大的失效器件。
说明1：射频数字衰减器控制端ICT测试点设置在器件控制端管脚附近，见图11。
可以直接检测器件控制端工作电压。
为达到筛选出漏电流偏大的器件，控制端限流电阻不能低于2.2K。
图11射频衰减器控制端和射频输入输出端ICT测试点设置方法1.2.4 射频VCO规则1.2.4.1：VCO电源端设置ICT测试点，可以检测VCO电源工作电压是否正常。
规则1.2.4.2：VCO模拟电压控制端设置ICT测试点，可以检测控制电压初始电压范围。
1.2.5 射频锁相环规则1.2.5.1：锁相环电源端设置ICT测试点，可以检测集成锁相环电源工作状态。
建议1.2.5.1：锁相环失锁指示端设置ICT测试点，检测锁相环失锁状态。
1.2.6 集成频率综合器规则1.2.6.1：集成频率合成器VCO电源端设置ICT测试点，检测VCO电源电压供电是否正常。