半导体材料
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一、绪论
1、如何区分半导体、金属和绝缘体
2、半导体材料的五大特征，每个特征的基本含义
负电阻温度系数：随着温度的升高，电阻值下降。

光电导效应：指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。

整流效应：某些硫化物的电导
3、半导体有哪些主要的分类方式
二、半导体材料基本特性
1、本征半导体、P型、N型半导体
2、PN结、阻挡层、空间电荷区、耗尽层
Pn结：通过扩散作用，将p型和n型半导体制作在一块半导体基片上，交界面产生的空间电荷区就是pn结空间电荷区：在pn结中，，由于电子的扩散运动和内电厂导致的漂移运动，使pn结中间部位产生的一个很薄的电荷区
3、价带、导带、禁带、允带、满带
4、多子、少子
5、直接跃迁与间接跃迁
直接跃迁：价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不变化间接跃迁：价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子能量改变，准动量也要变化
6、电导率、迁移率
7、霍尔效应
8、与光作用的形式
三、元素半导体
1、作为半导体，列举硅的两个主要应用领域
2、硅和锗（zhe）是直接带隙还是间接带隙
3、如何得到N型和P型的硅
4、根据结晶特点，硅可以分为哪几类
5、最常用的高纯化学提纯方法是什么，及其工艺流程
6、硅物理提纯的原理是什么。

（其中涉及的各种概念，如结晶驱动力、分凝系数、固溶体、正常固溶）
7、多晶硅如何制备
8、单晶硅生长方法有哪些，其中最主流的方法是什么
9、与硅相比，锗主要有哪些特点
10、锗的应用
四、化合物半导体
1、Ⅲ-Ⅴ族化合物中，被研究最多的是什么
GaAs GaP
2、宽带隙半导体主要有哪几种化合物
ZnO Sic GaN AlN
3、砷化镓晶体结构、物理特性、优势及应用
闪锌矿结构，熔点1238度密度5.32g/cm3 ，工作效率和速度快具有更宽的温度特性具有良好的抗辐射能力, 应用：发光二极管无线通讯
4、ZnO，SiC，GaN单晶生长中各自难度是什么
ZnO熔点高，有强烈的极性析晶特性，高温易挥发。

SiC没有熔点，在1800度升华为气态，C在Si熔体的溶解度非常小。

GaN熔点高达2700度，但在1000度会分解用提拉法和熔盐法很难生长。

5、ZnO半导体最重要的特性是什么
能带隙和激子束缚能较大，带边发射在紫外区，非常适合作为白光LED的激发光源材料
6、ZnO的生长方法有哪些
助熔剂法水热法气相传输法坩埚下降法
7、SiC和GaN各自的特性，举例说明其应用
SiC禁带宽度大，高临界电厂，高热导率，高电子迁移速度，抗辐射，热稳性定好应用：高频率功率器件，大功率器件，高温器件GaN 高频特性，高温特性，电子漂移饱和速度高介电常数小，热导性好，耐酸耐碱难腐蚀应用：GaN基蓝光LED GaN基蓝光LD，紫外探测器
8、SiC和GaN各采用什么方法生长
SiC：PVT法GaN：氢化物气相外延法，高压溶液法，液相助熔剂法
五、太阳能电池制备工艺简介
1、太阳能电池的工作原理是什么
晶片收光后，pn结中N型半导体的空穴往P型移动，而P型中的电子往N型区移动，从而形成从N型区到P 型区的电流，从而形成电势差，形成了电流
2、太阳能电池的基本制备工艺流程
去除损伤层，表面绒面化，发射区扩散，边缘结刻蚀，PECVD沉积SiN，丝网印刷正背面电极浆料，共烧形成金属接触，电池片测试
3、画出单晶硅太阳能电池结构示意图
4、为什么要进行表面绒化处理
绒面具有受光面积大，反射率低的特点，从而提高电池的光电转换效率
5、减反膜的成分是什么，主要起什么作用
氮化硅，具有较高的折射率，能起到较好的减反射效果
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