模拟电子技术复习题(含答案)模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。

）第二章（×）1. 运算电路中一般引入正反馈。

（√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

第三章（×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。

（×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

第四章（√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。

（×）3. 晶体管的参数不随温度变化。

（√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。

（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。

（×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。

（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。

第五章（×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

（ √ ）2. MOSFET 的输入电阻比BJT 高。

第六章（√ ）1. 运放的共模抑制比CV DV CMR A A K =。

（× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。

（× ）3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比K CMR =100dB 。

（ √ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

（√ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

第七章（√ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。

（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。

（ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。

第八章（√ ）1. 功率放大电路的转换效率VOP P =η。

（ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。

（√ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。

（√ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。

第九章（√ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。

（ √ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF >&&的条件。

（√ ）3. RC 正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC 串并联网络中电阻R 和电容C 的值来调节。

（× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。

（√ ）5. 在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为ϕf ，放大电路的相移为ϕa ，那么只有φa +φf =2nπ，才满足相位平衡条件。

（ √ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。

第十章（ √ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。

（√ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。

二、填空题第二章1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 负 反馈。

2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。

第三章1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。

2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V ，-6V ，-6.2V ，则这只三极管是 PNP 型锗管 。

（写出三极管的类型NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管。

）3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。

第四章4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO 将变 大 （大；小）。

5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出小信号等效电路 图。

6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。

7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当R b 太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。

8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内o u 和i u 的相位相 反 （同；反）。

9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。

10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变 大 （大；小）。

11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。

12.晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。

13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生截止失真。

14. 下图为某放大电路vA•的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为810HZ，下限截止频率为210HZ。

dB20lg/vA•/HZf20406012104106108101010+20dB/十倍频程-20dB/十倍频程15. 用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于截止失真。

16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN型。

题15图题16图第五章1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N沟道耗尽型MOSFET 管。

2．NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是2D n GS T()i K v V=-。

第六章电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻大。

第七章1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入并联负反馈。

2. 为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。

3. 在反馈电路中，若∣1+AF∣>1，则为___负___反馈；若∣1+AF∣<1时,则为__正____反馈。

4. 下图所示电路的反馈极性是正反馈。

5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。

第八章1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT 的最大允许管耗CM P 必须大于 0.2 om P 。

2. 下图功放电路中V CC ＝12V ，R L =6Ω，则最大输出功率P OM ＝ 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。

第九章1. 希望获取频率为100H Z —500H Z 的有用信号，应选用 带通 滤波电路。

2. 正弦波振荡电路主要有RC 和LC 型振荡电路两大类, RC 型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC 型振荡电路一般用来产生 高 频信号。

3. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率o f =12RCπ 。

4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。

第十章在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。

三、单项选择题（每题2分,共20分）第一章1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。

A. V AB. i RC. o RD. L R第三章 1．N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。

A. 电子B. 空穴C. 三价元素D. 五价元素2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 不能确定3. 晶体二极管具有（A ）特性。

A. 单向导电B. 集电极电压饱和C. 双向导电D. 集电极电流截止4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定5．二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（C ）。

A. I S e UB. S e T U nU IC. S (e 1)T U nU I －D. S (e 1)T U nU I +6. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。

锗管为（ A ）V 伏。

A. 0.1B.0.3C.0.4D.0.77. 稳压管稳压是利用它的 特性，所以必须给稳压管外加 电压。

（ C ）A.单向导电，反向B.反向击穿，正向C.反向击穿，反向D.单向导电，正向8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。

A.大B.小C.相等D.无法确定第四章1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内o V 和i V 的相位（ B ）。

A.同相B.反相C.相差90度D.不确定2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏3. 一个三极管放大电路，B i =60μA ，C i = 2mA,β值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。

A.放大B. 击穿C.截止D. 饱和4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B）。

A. 二极管D 截止 V 0o1=UB. 二极管D 导通 V 2o1=UC. 二极管D 导通 V 0o1=UD. 二极管D 截止 V 2o1=U图1 图25. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。

A. N 沟道增强型MOS 场效应管B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管C. P 沟道增强型MOS 场效应管D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管6. 当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。