阻抗计算：
1.介电常数E r
E r（介电常数）就目前而言通常情况下选用的材料为
F R-4，该种材料的E r 特性为随着加载频率的不同而变化，一般情况下E r的分水岭默认为1
G
H Z（高频）。
目前材料厂商能够承诺的指标<5.4（1M H z)，根据我们实际加工的经验，在使用频率为1G H Z以下的其E r认为4．2左右。
1.5—2.0G H Z的使用频率其仍有下降的空间。
故设计时如有阻抗的要求则须考虑该产品的当时的使用频率。
我们在长期的加工和研发的过程中针对不同的厂商已经摸索出一定的规律和计算公式。
●7628----4.5（全部为1G H z状态下)
●2116----4.2
●1080----3.6
2. 介质层厚度H
H（介质层厚度）该因素对阻抗控制的影响最大故设计中如对阻抗的宽容度很小的话，则该部分的设计应力求准确，FR-4的H的组成是由各种半固化片组合而成的（包括内层芯板），一般情况下常用的半固化片为：
●1080 厚度0.075MM、
●7628 厚度0.175MM、
●2116厚度 0.105MM。
3.线宽W
对于W1、W2的说明：
5.铜箔厚度
外层铜箔和内层铜箔的原始厚度规格，一般有0.5OZ、1OZ、2OZ(1OZ约为35um或1.4mil)三种，但经过一系列表面处理后，外层铜箔的最终厚度一般会增加将近1 OZ左右。
内层铜箔即为芯板两面的包铜，其最终厚度与原始厚度相差很小，但由于蚀刻的原因，一般会减少几个um。
表层铜箔：
可以使用的表层铜箔材料厚度有三种：12um、18um和35um。
加工完成后的最终厚度大约是44um、50um和67um，大致相当于铜厚1 OZ、1.5 OZ、2 OZ。
注意：在用阻抗计算软件进行阻抗控制时，外层的铜厚没有0.5 OZ的值。
走线厚度T与该层的铜厚有对应关系，具体如下：
铜厚(Base copper thk) COPPER THICKNESS(T)
For inner layer For outer layer
H OZ(Half 0.5 OZ) 0.6 MIL 1.8 MIL
1 OZ 1.2MIL 2.5MIL
2 OZ 2.4MIL 3.6MIL
铜箔厚度单位转换：
铜箔厚度（um）铜箔厚度（mil）铜箔厚度（OZ）
18um0.7mil 0.5 OZ
35um 1.4 1 OZ
Oz 本来是重量的单位Oz(盎司ang si )=28.3 g(克)
在叠层里面是这么定义的,在一平方英尺的面积上铺一盎司的铜的厚度为1Oz,对应的单位如下
0.13mm(5.1mil)厚度的Core（铜箔的厚度35/35um）的厚度分布：
0.21mm(8.3mil)厚度的Core（铜箔的厚度35/35um）的厚度分布：
规格（原始厚度）有7628（0.185mm/7.4mil），2116（0.105mm/4.2mil），1080
（0.075mm/3mil），3313（0.095mm/4mil ），实际压制完成后的厚度通常会比原始值小10-15um 左右（即0.5-1mil），7628（7.4mil）
6.厂家提供的PCB参数：
不同的印制板厂，PCB的参数会有细微的差异，通过与上海嘉捷通电路板厂技术支持的沟通，得到该厂的一些参数数据：
（1）表层铜箔：
可以使用的表层铜箔材料厚度有三种：12um、18um和35um。
加工完成后的最终厚度大约是44um、50um和67um。
（2）芯板：
我们常用的板材是S1141A，标准的FR-4，两面包铜，可选用的规格可与厂家联系确定。
（3）半固化片：
规格（原始厚度）有7628（0.185mm），2116（0.105mm），1080（0.075mm），3313（0.095mm ），实际压制完成后的厚度通常会比原始值小10-15um左右。
同一个浸润层最多可以使用3个半固化片，而且3个半固化片的厚度不能都相同，最少可以只用一个半固化片，但有的厂家要求必须至少使用两个。
如果半固化片的厚度不够，可以把芯板两面的铜箔蚀刻掉，再在两面用半固化片粘连，这样可以实现较厚的浸润层。
（4）阻焊层：
铜箔上面的阻焊层厚度C2≈8-10um，表面无铜箔区域的阻焊层厚度C1根据表面铜厚的不同而不同，当表面铜厚为45um时C1≈13-15um，当表面铜厚为70um时C1≈17-18um。
（5）导线横截面：
以前我一直以为导线的横截面是一个矩形，但实际上却是一个梯形。
以TOP 层为例，当铜箔厚度为1OZ时，梯形的上底边比下底边短1MIL。
比如线宽5MIL，那么其上底边约4MIL，下底边5MIL。
上下底边的差异和铜厚有关，下表是不同情况下梯形上下底的关系。
（6）介电常数：
半固化片的介电常数与厚度有关，下表为不同型号的半固化片厚度和介电常数参数：
板材的介电常数与其所用的树脂材料有关，FR4板材其介电常数为
4.2—4.7，并且随着频率的增加会减小。
介质损耗因数：电介质材料在交变电场作用下，由于发热而消耗的能量称之谓介质损耗，通常以介质损耗因数tanδ表示。
S1141A的典型值为0.015。