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半桥逆变snubbber电路

半桥逆变SNUBBER电路描述:半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断,当负载电流很大时,开关管关断时di/dt很大,由于线路存在分布电感,所以会引起很大的电压尖峰,如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生,则开关管的电压规格必须比正常值高出许多,开关损耗也较大,当UPS功率很大时(额定电流很大),开关管的选取将变得异常困难;同时,过高的di/dt将产生严重的EMI。

给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗,并能降低相应频段的EMI。

一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER(如图1)图12、RCD SNUBBER(如图2)图23、变形的RCD SNUBBER电路(CLAMPING电路,如图3)图3二、SNUBBER电路的工作过程(以RCD SNUBBER电路为例进行分析,只分析正半周的情况)1、Q1开通后进入稳态,流过Q1的负载电流为I,此时U CS1=0,U CS2=2*V BUS(如图4,红色箭头表示电流流向)。

图42、当Q1的栅极上加入关断信号,电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过,U CE1升高,随之D S1开通,一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流,Q1上电流减小,C S2经R S2、R LOAD进行放电(如图5)。

图53、Q1完全关断(恢复阻断能力)后,U CE1大于正负BUS之和,D2开始正偏置,在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通,C S1继续过充电,C S2继续放电(如图6)。

图64、C S1仍然过充电,D2开始续流,负载电流I由正桥臂向负桥臂换流,C S2放电(如图7)。

图75、D2完全续流,C S1放电,C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上,另一部分反馈到+BUS(如图8)。

图86、C S1放电完毕,U CE1=2*V BUS,U CS2=0,D2进入稳态续流(如图9)。

图97、Q1再次开通,Q1与D2之间进行换流,Q1的电流增大,D2的电流反相进入反相恢复过程,同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路,Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。

图108、D2的反相恢复完毕,Q1上流过负载电流I,同时,C S1的放电、C S2的充电仍然继续(图11)。

图119、进入正桥臂稳态工作的情况(一个工作周期结束)。

三、SNUBBER电路定量分析1、RCD SNUBBER电路考虑线路主要分布电感,电路原理简图如图12。

图12“过程4”中U CE1达到最大,其值约等于U CS1,根据上面对电路工作过程的分析可以知道,将电路再次呈现在下面(图13)。

图13由电路有:2*V BUS =dtdiL u dt di L L CS S 22111-+ (1) 由于i L2=I-i S1,代入(1)式得: 2*V BUS =1121)(CS S u dtdi L L ++ (2) 由于i S1=dtdu C CS S 11,代入(2)式得: 2*V BUS =1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++ (3) (3)式是一个“二阶常系数非齐次线性微分方程”,它的通解等于对应的齐次方程的通解加上它的一个特解,其对应的齐次方程为:1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++=0 (4) 对应的特征方程为:01)(2121=++s C L L S (5) 解之:S=±121)(S C L L j +令ω=+121)(1S C L L ,(4)式的解为: u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt (6)可求出(3)式的一个特解为:u CS1*=2V BUS ,则(3)式的通解为: u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt+2V BUS (7) 由于u CS1(0)=2V BUS ,所以K1=0,(7)式化为:u CS1= K2sin ωt+2V BUS (8) 所以:i S1=C S1t C K dtdu S CS ωωcos 211= (9) 由于i S1(0)=I ,所以K2=1S C Iω,则(3)式的通解为: u CS1=1S C Iω sin ωt +2V BUS (10) 所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为:△U=1S C Iω sin ωt (11) 其最大值为: △U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (12)2、 变形的RCD SNUBBER 电路计算u CE 的微分方程完全与RCD SNUBBER 一样,即:△U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (13)3、 RC SNUBBER 电路电路简图如图14图14根据图有:2*V BUS =111212121)(CS CS S CS S u dt du C R dt u d C L L +++ (14) 对应的齐次线性微分方程为:1111212121)(CS CS S S CS S u dt du C R dtu d C L L +++=0 (15) 其特征方程为:01)(112121=+++S C R S C L L S S S (16)由于△=R S12C 2-4(L1+L2)C S1的符号未知,所以(16)式的解有多种不同情况,这里只讨论△<0的情况,令111212121)(CS CS S CS S u dtdu CR dtu d C L L +++,则:S=-2111])21(2[)21(1)21(2L L R C L L j L L R S S S +-+±+ (17)令-)21(21L L R S +=α、211])21(2[)21(1L L R C L L S S +-+=ωd ,则(15)式的解为:u CS1=)sin 2cos 1(t K t K e d t ωαα+ (18) 由于u CS1(0)=0,所以K1=0,则(18)式化为:u CS1=t K e d t ωαsin 2 (19) 所以: i S1==dtdu C cs S 11C S1()cos 2sin 2t K t e K d d t ωωωαα+ (20) 由于i S1(0)=I ,所以K2=1S d C Iω,则(15)式的通解为:u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1(21)可以求出(14)式的一个特解u CS1*=2V BUS ,则(14)式的通解为: u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1+2V BUS (22)所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为: △U=t e C Id t S d ωωαsin 1(23)由于α<0,所以te α<1,则: △U (MAX)=1S d C Iω (24)四、三种SNUBBER 电路的比较1、 U CE 的最大尖峰电压(C S 的最大过充电压△U (MAX))RCD SNUBBER :△U 1=1S C Iω变形的RCD SNUBBER :△U 2=1S C IωRC SNUBBER :△U 3=1S d C Iω因为ωd =22αω-,所以△U 1=△U 2<△U 3,即在同等条件下RC SNUBBER 电路抑制电压尖峰的能力最差。

2、 开关管损耗RCD 、RC 电路的C 中电荷要经过开关管泄放,开关管损耗较大;变形的RCD 电路的C 中电荷不会经过开关管泄放,开关管损耗较小。

3、 R S 功耗RC 电路中的R S 在C S 充放电过程中都有损耗,损耗较大,令损耗为P RS1,则:P RS1=2CS S U KC f(f 为开关频率,K 为损耗系数,因为C S 中电荷不可能全部损耗在R S 上,所以K<1) RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗,损耗居中,令损耗为P RS2,则: P RS2=221CS S U KC f 变形的RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗,且C S 中的电压变化幅度为△U ,所以损耗最小,令损耗为P RS3,则: P RS3=221U KC S ∆ f 4、 EMI三种电路都能降低di/dt ,从这方面看EMI 差不多。

RCD 电路降低了开关管关断过程的du/dt ,EMI 最好;RC 电路虽然也降低了开关管关断过程的du/dt ,但由于RC 常数较大,du/dt 比RCD 电路大,EMI 居中;变形的RCD 电路不能抑制开关管关断过程的du/dt ,EMI 最差。

五、3A3-15KS 逆变SNUBBER 电路设计1、 允许C S 的过充电压△UBUS 电压V BUS 最高取450V ,则2*V BUS =900V ,如果选用1200V 的管子,则 △U<1200-900V =300V这里留有一定裕量,取△U =250V 。

2、 分布电感估算布线电感的经验估算公式为:L=710)432(ln 2--d l l (H) 3A3-15KS BUS 电容与IGBT 间用长导线连接,其长导线为主要分布电感来源,正BUS 线长0.3m 、负BUS 长0.26m ,都采用10#线,线径为0.003m ,所以有: L=2*0.56*710*)43003.056.0*2(ln --=5.8*10-7H 3、 C S 选择(先根据RCD SNUBBER 计算,软件限流点为90A ,实际上由于采样点在开关周期的中点,所以电流有超过90A 的可能,这里取I=100A 进行计算)根据(12)式△U MAX =121S C L L I +有: C S1===∆+-27222250)10*8.5(100)21(MAX U L L I 0.09*10-6 F=0.09uF 这里取104/1000V 电容。

4、 R S 损耗计算(取损耗系数K=0.1)RCD SNUBBER :P RS2=221CS S U KC =0.5*0.1*0.1*10-6*11502*19200=114W RC SNUBBER :P RS1=2CS S U KC =0.1*0.1*10-6*11502*19200=228W变形的RCD SNUBBER :P RS3=2U KC S ∆=0.5*0.1*0.1*10-6*2502*19200=6W5、 SNUUBER 电路选择从R S 损耗计算中可以看出,选择RCD SNUBBER 电路损耗会非常大,而选择RC SNUBBER 电路损耗会再增大一倍,因此需选择变形的RCD SNUBBER 电路(CLAMPING 电路)。

6、 D S 选择根据上面的分析可以知道,在D S 开始导通的瞬间,D S 将流过所有的负载电流,软件限流点为90A ,实际上电流有超过90A 的可能,所以D S 的I FSM 应该大于150A ,这里选择RHRP15120(15A/1200V),其I FSM =200A 。

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