《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。

2.减小；增大。

3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。

4.0.5；；；。

5. 15V；；；；6V；。

6.大；整流。

二、1.①；⑤；②；④。

2. ②；①。

3.①。

4.③。

5.③。

6.③。

三、1、2、5、6对； 3、4错。

思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。

再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。

(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。

故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。

当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。

当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。

同理，当u i≤时，U om≈。

图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。

因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。

截止。

1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；<u i<8V时，u o=u i；u i<时，u o=。

图略。

1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。

(2)当负载开路时，I Z=I R=12mA。

(3) I L=6mA，I R=(U I-U O)/R=14mA，I Z=I R-I L=8mA。

第2章自测题一、1. 15；100；30。

2.(从左到右)饱和；锗管放大；截止；锗管放大；饱和；锗管放大；硅管放大；截止。

3. (1)6V；(2) 1mA，3V；(3)3kΩ，3kΩ；(4) 50，-50；(5) 1V；(6)20μA；(7)30mV。

4.(1) 1mA，6V；(2)Ω，Ω；(3) 。

5.削底，削底，削底。

6.共集；共集；共集和共基；共集；共射。

二、1.②。

2.④。

3. ③。

4.②；①；④。

5.②④。

6.④。

三、1、5对；2、3、4、6错。

思考题与习题2.1.1 (a)NPN硅管，1-e、2-b、3-c。

(b)PNP硅管，1-c、2-b、3-e。

(c)PNP锗管，1-c、2-e、3-b。

2.1.2 (a)放大状态。

(b)截止状态。

(c)因J C 零偏，管子处于临界饱和状态。

2.2.1图(a)电路不能放大，因为静态I B =0。

图(b)电路不能放大，因为V CC 极性接反。

图(c)、电路具有放大功能。

2.3.1 (1) 当S →A 时，因R b <βR c ，管子处于饱和区，I C =I CS ≈V CC /R c =3(mA)。

(2) 当S →B 时，因R b >βR c ，管子处于放大区，I B =(V CC -U BE )/R bB = (mA)，I C =βI B = (mA)。

(3) 当S →C 时，截止，I C =0。

2.3.2 (1)由题图(b)得V CC =10V ，U CE =4V ，I B =40μA ，I C =2mA ，所以R b =(V CC -U CE )/I B =Ω，R C =(V CC -U CE )/I C =3k Ω。

又由图可知I C R'L =(6-4)=2V ，故R'L =1k Ω。

据R'L =R c 2.3.32.3.42.3.52.3.62.4.12.4.22.4.32.4.42.4.52.4.62.4.72.4.8型和绝缘栅型；电压控制；输入电阻高；不参与导电。

2. 漏；源；源；漏；源。

3. 4mA ；-3 V 。

4. 16mA ；+4V ；8ms 。

5.减小；减小；减小。

6. g m 和R S 。

二、1. ②。

2. ③。

3. ④。

4. ④。

5.③。

6. ②。

三、3、4、5对；1、2、6错。

思考题与习题3.1.1图(a)为N-DMOS ，U P = -2V ，I DSS = 2mA ；图(b)为P-JFET ，U P = 2V ，I DSS = 3mA ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = 2mA ；图(d)为N-EMOS ，U T = 1V 。

3.1.2图(a)为N-EMOS ，U T =3V ；图(b)为P-EMOS ，U T = -2V ；图(c)为P-DMOS ，U P = 2V ，I DSS = -2mA ；图(d)为N-DMOS ，U P = -3V ，I DSS = 3mA 。

3.1.3习题3..1.3图解3.1.4 (1)为N-DMOS ；(2) U P = -3V ；(3)I DSS ≈ 6mA 。

3.2.1(1)A u = -g m R D = -66。

(2)A u = -g m R ′L = -50。

(3)R i =R g +R g1≈3.2.23.2.33.2.43.2.53.2.6usl1001(100/)Aj f -=-&ush51001(/10)A j f -=+&。

5.不变；下降；不变；减小；不变；增大。

6.窄；低。

二、1.(1) ③；(2) ③；(3) ③；(4) ②。

2. (1) ③；(2) ④。

3.(1) ③；(2) ①。

4. ④。

5.①。

6.②。

三、2、5对；1、3、4、6错。

思考题与习题4.1.1(1) I B1=20μA ，I C1=2mA ，U CE1≈10V 。

U B2=，I C2≈I E2 =，U CE2≈。

(2)r be1=Ω；r be2=Ω。

R i2≈(Ω)，R i =R b04.1.24.1.34.1.44.1.51.1M m d be c L u u1u2m f be////1+g R r R R A A A g R r β-⋅-=⋅=⋅&&& 4.1.64.2.14.2.24.2.34.2.114.2.44.2.54.2.6解。

3.效率；%；交越；甲乙。

4. 2.5 W ； W 。

5. W ；%。

6. 4。

二、1. ③。

2. ⑥。

3. ②③。

4. ④。

5. ①。

三、1、2、3、6对；4、5错思考题与习题5.2.1 (1)由P om=V CC2/2R L得V CC≥，故V CC取18V。

(2) I CM ≥V CC/R L=1.125A，U(BR)CEO≥2V CC=36V。

(3) P VCC=。

(4)P CM1=P CM2≥=2W。

(5)U i =。

P o=；P Vcc=2V CC U om/πR L≈；P c =P Vcc-P o=10W；η≈%。

(2)为尽限状态，5.2.2 (1)UP om=V CC 2/2R L=202/2×8=25W；P Vcc=2V CC2/πR L≈；P c=P Vcc-P o=；效率为η≈%。

5.2.3由P om=V CC 2/2R L得U om=16V，则I Lm=U om/R L=1A，故I CM >1A。

因电源电压|V CC|>16V，故U(BR)CEO>2V CC=32V。

由P CM>=。

5.2.4(1)U o=0，调R1或R3可满足要求。

(2)增大R2。

(3)此时I B=(2V CC-2U BE)/(R1+R3)，则V1、V2上的静耗为P C=βI B U CE=βI B V CC=2325mW>>P CM，两管将烧毁。

5.2.5(1)U C2=5V，调R1或R3。

(2)增大R2。

(3)P C=β(V CC/2)(V CC-2U BE)/(R1+R3)=896mW>>P CM，两管将烧毁。

5.2.6(1)准互补OCL功放电路，工作在甲乙类状态。

(2)P om=(V CC-U CE-U R5)2/2R L。

(3)U CEmax=U om+V CC= (V CC-U CES)R L/(R5+R L)+V CC=；I Cm=(V CC-U CES)/(R5+R L)=2.59A。

5.3.1因U om=18/2=9V，(1)P om=U om2/2R L=。

(2)因20lg A u=40dB，则A u=100，U im=U om/A u=9/100=，U i=64mV。

第6章自测题一、1.输入级；中间级；输出级；偏置电路；抑制零漂，且输入电阻高；电压增益高；带负载能力强。

2.恒定；小；大。

3.差模；共模。

4.两个特性相同；温度漂移。

5.两；两；四；相同；半边差模等效电路的电压增益；零；无穷大。

6.同相；反相；相同；相反。

二、1. ②。

2. ①；④。

3.③。

4. ③。

5. ③。

6. ③。

三、2、3、4、5、6对；1错。

思考题与习题6.2.1 (1) VT1、VT2和R组成镜像电流源电路。

由于其等效交流电阻非常大，因此把它作为VT3的集电极负载可提高电压放大倍数。

(2) 由于VT1、VT2特性相同，且β足够大，此时两管基极电流可忽略，则I C2=I C1≈I R=(V CC-|U BE|)/R≈V CC/R。

6.3.1 (1)因U BE+I E (R P/2+2R e)=V EE，故I C≈I E =，U CE =V CC-I C R c-U E=。

(2)因 u id=u i1-u i2=8mV，且A ud=-β(R c6.3.26.3.36.3.46.3.56.3.66.3.76.3.86.3.91. 0.1910；。

3. 34dB。

4. 10；。

5. 909；900。

6.自激。

二、1. ②。

2. ③。

3. ③。

4. ②。

5. ①。

6. ②。

三、4、5、6对；1、2、3错。

思考题与习题7.1.1图(a)：R e1和R e3分别引入一、三级直流和交流负反馈；R e2和C e2引入第二级直流负反馈；R e3、R f1和R e1引入一、三级间直流和交流负反馈；R e2、C e2和R f2引入一、二级间直流负反馈。

图(b)：R e1、C e1和R e2、C e2分别引入一、二级直流负反馈；R e3引入第三级直流和交流负反馈；R f引入一、三级间直流和交流负反馈。