二极管和三极管
二极管
二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode），它是一种能够单向传导电流的电子器件。

在半导体二极管中有一个PN（Positive-Negative）结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。

在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

当外加电压等于零时，由于P-N结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。

二极管特性：
正向性：
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随着电压增大而迅速增大。

在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。

当二极管两端的正向电压超过一定的阈值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增大，二极管正向导通。

该电压叫门坎电压或者阈值电压。

反向性：
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。

由于反向电流很小，二极管处于截止状态。

这个反向电流又称为反向饱和电流或者漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。

引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

电击穿时二极管失去单向导电性。

硅二极管伏安特性曲线：
三极管
三极管可以分为PNP型三极管与NPN型三极管
2个PN结的方向不一致。

PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。

NPN则共阳极，即两个PN结的P结相连做为基极，另两个N结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝外的三极管。

工作原理：
NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形
成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.
根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中：β称为交流电放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时对两者不区分，β值为几十或者一百多
三极管是一种电流放大器件，但实际使用常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

三极管的三种组态：
ps：根据发射极方向确定正负极
共发射极接法，如图（b），发射极作为公共电极，用CE表示；(Vc>Vb>Ve)
共基极接法，如图（a），基极作为公共电极，用CB表示；(Vc>Vb>Ve)
共集电极接法，如图（c），集电极作为公共电极，用CC表示。

(Vc>Vb>Ve)
共射极放大电路：
对于共射极放大电路
①V BE = Vi + Vcc（Vcc起拉高电压的作用，Vi为输入电压）
②V CE = V o + Vcc（Vcc起拉低电压(分担电压)的作用，Vo为输出电压）
PS：分析该电路图时，需先分析其静态时的电流及电压（重点电容器），再矢量加交流电流和电压
如图：静态时，U C1 = V CC（去掉电阻Rc电压），U C2 = V CC（去除电阻Rb电压）动态时，其I BE = I VINBE + I VCCBE，即U BE = U VINBE + U VCCBE其U CE = V O + U C2，即V O = U CE - U C2，即V O = U CE - V CC。