DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪使用说明书一、概述DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法，通过施加磁场,可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度，以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
二、主要技术性能1、环境适应性：工作温度 10～35℃；相对湿度 25～75%。
2、通用磁学测试仪2.1可调电压源：0～15.00V、10mA；2.2可调恒流源：0～5.000mA和0～9.999mA可变量程，为霍尔器件提供工作电流，对于此实验系统默认为0-5.000mA恒流源功能；2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置，实现单独的电压源和电流源功能；2.4电流电压调节均采用数字编码开关；2.5数字电压表：200mV、2V和20V三档，4位半数显，自动量程转换。
3、通用直流电源3.1直流电源，电压0～30.00V可调；电流0～1.000A可调；3.2电流电压准确度：0.5%±2个字；3.3电压粗调和细调，电流粗调和细调均采用数字编码开关。
4、测试架4.1底板尺寸：780*160mm；4.2载物台尺寸：320*150mm，用于放置螺线管和双线圈测试样品；4.3螺线管：线圈匝数1800匝左右,有效长度181mm，等效半径21mm；4.4双线圈：线圈匝数1400匝(单个)，有效直径72mm，二线圈中心间距 52mm；4.5移动导轨机构：水平方向0～60cm可调；垂直方向0～36cm可调，最小分辨率1mm；5、供电电源：AC 220V±10%，总功耗：60VA。
三、仪器构成及使用说明DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。
1、测试架1.双线圈；2.载物台（上面绘制坐标轴线）； 3，4 双线圈励磁电源输入接口；5.霍尔元件；6.立杆；7.刻度尺；8.传感器杆（后端引出2组线，一组为传感器工作电流Is，输出端号码管标识为Input；一组为霍尔电势V H输出，输出端号码管标识为Output）； 9.滑座； 10.导轨； 11. 螺线管励磁电源输入接口；12.螺线管； 13.霍尔工作电流I S输入，号码管标有Input（红正，黑负）；14.霍尔电势V H输出，号码管标有Output（红正，黑负）； 15.底座图1-1组合式磁场综合实验仪（测试架图）2、通用磁学测试仪（DH0802）1.电压或电流显示窗口（霍尔元件工作电流或电压指示）；2.恒流源指示灯；3.恒压源指示灯；4.调节旋钮（左右旋转用于减小或增加输出；按下弹起按钮用于恒流源或恒压源最小步进值选择，按照显示值的个、十、百、千位依次循环切换）；5.电源输出插座（正极红+，负极黑-，为霍尔元件或传感器提供工作电源；对于此实验，系统默认为恒流输出功能，为霍尔元件提供恒定的工作电流；输出插座与霍尔元件的输入端正负极对应相连，霍尔元件测试线上对应有input标号，连线时请注意！）；6. 霍尔电压表（霍尔电势表，200.00mV，2V和20V自动量程转换）；7.量程指示灯mV； 8. 量程指示灯V；9.置零键（对某一测试值进行置零，置零后指示灯亮，此时显示值与实际值相差“置零值”；再次按置零键恢复正常测试，电压输入值等于显示值）；10.电压输入插座（正极红+，负极黑-；该输入后用于测量霍尔元件的霍尔电势V H，与霍尔元件的输出端正负极对应相连，霍尔元件测试线上对应有output标号，连线时请注意！）。
图1-2通用磁学测试仪面板图1.电压显示窗； 2，3.电压粗调和细调指示灯；4.电压调节旋钮（旋转旋钮增加或减小电压输出；按下弹起旋钮用于粗调和细调切换）；5.输出指示灯（灯亮代表输出状态，灯灭代表无输出）；6.电源输出状态切换按钮；7. 电流显示窗； 8，9.电流粗调和细调指示灯；10. 电流调节旋钮（旋转旋钮增加或减小电流输出；按下弹起旋钮用于粗调和细调切换）；11.电源输出插座（正极红+，负极黑-；输出插座与螺线管或双线圈相连，提供励磁电流，产生测试磁场）。
图1-3 DH0801 通用直流电源面板图四、仪器使用注意事项（必读）1.当霍尔片与测试仪未连接好时，严禁开机加电，否则，极易使霍尔片遭受冲击电流而使霍尔片损坏。
2.霍尔片性脆易碎、电极易断，严禁用手去触摸，以免损坏！在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎。
3. 通用磁学测试仪的电源“输出”接实验架上的霍尔元件的input输入，红黑对应相连,提供霍尔元件的工作电流；通用磁学测试仪的电压“输端子IS入”接霍尔元件的output端子，用于测量霍尔元件的霍尔电势V，红黑对应H相连；；决不4.通用直流电源的“输出”接双线圈或螺线管，提供励磁电流IM允许将“I输出”接到霍尔元件“Is输入”处，否则一旦通电，会损坏霍尔M片！5.加电前必须保证通用磁学测试仪的霍尔工作电流输出和通用直流电源的励磁电流输出均置零位，严防电流未调到零就开机。
6.为了不使通电线圈过热而受到损害，或影响测量精度，除在短时间内读取有关数据，通过励磁电流I外，其余时间最好断开励磁电流。
M7.本仪器为开放式设计性实验，关于设备的使用，请仔细阅读仪器组成与使用说明部分。
实验一霍尔效应实验和霍尔法测量磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
[实验目的]1、霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2、测绘霍尔元件的V H—Is，V H—I M曲线，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流I s、磁感应强度B及励磁电流I M之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
[实验仪器]DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪[实验原理]霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如图2-1 图2-1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流图2-1Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is 相反的X 负向运动。
由于洛仑兹力f L 作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负方向的B 侧偏转，并使B 侧形成电子积累，而相对的A 侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f E 的作用。
随着电荷积累的增加，f E 增大，当两力大小相等（方向相反）时， f L =－f E ，则电子积累便达到动态平衡。
这时在A 、B 两端面之间建立的电场称为霍尔电场E H ，相应的电势差称为霍尔电势V H 。
设电子按均一速度V ，向图示的X 负方向运动，在磁场B 作用下，所受洛仑兹力为：f L =－e V B式中：e 为电子电量，V 为电子漂移平均速度，B 为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为：fE H H eV eE -=-=l式中：E H 为霍尔电场强度，V H 为霍尔电势，l 为霍尔元件宽度当达到动态平衡时:f L =－f E V B=V H /l （1） 设霍尔元件宽度为l ，厚度为d ，载流子浓度为 n ，则霍尔元件的工作电流为ld V ne Is = （2）由(1)、(2)两式可得：dIsB R d IsB ne l E V H H H ===1 （3） 即霍尔电压V H (A 、B 间电压)与Is 、B 的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数 ne R H 1=称为霍尔系数（严格来说，对于半导体材料，在弱磁场下应引入一个修正因子 ，从而有 ），它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导率μσne =的关系，还可以得到：p R H μσμ==/或σμH R = （4）式中：μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用N 型半导体材料。
当霍尔元件的材料和厚度确定时，设：ned l d R K H H //== （5）将式（5）代入式（3）中得：IsB K V H H = （6）83π=A ne R H 183π=式中：HK称为元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位控制电流下的霍尔电势大小，其单位是[]/，一般要求HmV⋅mATK愈大愈好。
由于金属的电子浓度()n很高，所以它的R H或K H，都不大，因此不适宜作霍尔元件。
此外元件厚度d愈薄，K H愈高，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。
本实验采用的双线圈霍尔片的厚度d 为0.2mm，宽度l为2.5mm，长度L为3.5mm。
螺线管霍尔片的厚度d为0.2mm，宽度l为1.5mm，长度L为1.5mm。
应当注意：当磁感应强度B和元件平面法线成一角度时（如图2-2），作用在元件上的有效磁场是其法线方向上的分量θB，此时：cos=V HBKIsBH cosθ，所以一般在使用时应调整元件两平面方位，使V H达到最大，即：0=这时有：V HK H（7）KIsB=B=H cos IsB由式（7）可知，当工作电流Is或磁感应强度B，两者之一改变方向时，霍尔电势V H方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电势V H极性不变。
图2-2 图2-3霍尔元件测量磁场的基本电路（如图2-3），将霍尔元件置于待测磁场的相应位置，并使元件平面与磁感应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流Is，霍尔元件的霍尔电势输出端接毫伏表，测量霍尔电势V H的值。
［实验项目］一、研究霍尔效应及霍尔元件特性1、测量霍尔元件零位（不等位）电势V0及不等位电阻R0＝V0／I S2、研究V H与励磁电流I M和工作电流I S之间的关系二、测量通电圆线圈的磁感应强度B1、测量通电圆线圈中心的磁感应强度B2、测量通电圆线圈中磁感应强度B的分布［实验方法与步骤］一、按仪器面板上的文字和符号提示将测试仪与测试架正确连接。