集成电路设计基础复习提纲
一EDA常用命令
ls 显示当前目录下的文件和路径。
Pwd显示当前文件的绝对路径.。
Cd进入指定目录。
More显示文件内容。
Cp拷贝。
Mkdir创建目录。
tar 打包。
zip压缩。
unzip解压。
ftp传送文件。
二基本概念
1版图设计
CIW命令解释窗口, Library 库，Reference Library相关库, Library Path库路径，Cell单元，View视图，Techfiler.tf工艺文件, cds.lib库管理文件, techfile.cds ASCII 文件，LSW图层选择窗口，display.drf图层显示文件。
LayerPurpose Pair层次用途配对，Cellview Attributes and Properties单元视图属性，Instance单元，Snap Mode 光标按钮画线条或图形的模型。
Stream。
数据流（一个标准数据格式用在cad系统间传递物理设计数据）
parameterized cells，参数化单元。
Flatten，打平
设计方法
1 CIC设计流程
①设计规划。
②建库。
③原理图输入。
④电路仿真。
⑤单元模块版图。
⑥TOP 版图。
⑦验证。
⑧输出GDSII。
⑨制掩膜。
⑩流片封装测试。
2CIC建库的步骤，工艺文件和显示文件的使用。
建库进入设计项目所在的文件夹，打开名利窗口输入icfb，在ciw菜单栏中选择file-creat-creat new library，选择要连接的Techfiler.tf或者选择相应库作为链接库，后根据指示完成余下的操作
工艺文件p1-40说明图层连接，等效连接，不可被重叠，自动布线，设计规则等情况
ciw-technology-file-dump ,design,layout definations,ascll 命名.Tf，ok;/techpurposes /techlayers;/techdisplays;/techlayerpurposepriorities(图层目的优先)；：q！（保存退出）：wq！（写后保存退出）；/ptap
File-load
显示文件的使用：在显示资源编辑窗口里编辑并保存（display。
drf）长期有效
添加新包，先编辑显示文件再在显示资源编辑窗口里编辑其填充等；file—save；tools-display resources-mergefile;分配图层目的配对。
3单元版图绘图方法及编辑基本方法，
新建，根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘制和按参数编辑、连接，测试4绘图及编辑常用命令的使用：
Create—
Rectangle 。
create-rectangle left点拉升点
Instance、create-instance(名字不可改)填写库cell view 坐标等
Path、create-path 1点2点+回车/双击
Pcell、edit-hierarchy（分层）-make cell 填写，画长方形区域，ok
Polygon、create- Polygon（F3），选择图层，点，点等，回车
Conics create-arc，点，点，点回车
Edit—
Moving Objects、到新图层move-change layer；方向移动；正交选择对象
Copy objects、到新图层copy- change layer；源到目的；平面数组；yank and paste Stretch objects（F4,选取边，全局部的选择切换），
选项F3的使用显示option form。
5图层选择的方法
在Lsw选择图层（AV/NV/AS/NS）选择NV 处理AV；shift+middle mouse
Layer tap ,lsw-edit-layer tap/[t] 选取点2次
6GDS数据输入输出步骤
工艺文件、建库、拉动相关库、符号库、原理图编辑、版图编辑。
7pk445chip工作原理，版图设计的原则。
Pk445chip主要有两个放大器，还有一个测量控制器和测量开关管，以及两个单向二极管和信号存储器组成，当一个峰值信号来到时，第一个放大器，把峰值信号跟随输出到信号存储器存储，而峰值下降时，通过第二个放大器的反馈使信号保持。
在第二个峰值来到前，通过测量控制器控制MOS开关管放电，使存储器复位。
版图设计方面主要是运放、测量控制器和测量开关管。
运放采用差分同相输入，单端输出，加上一个RC反馈网络作为频率补偿。
测量控制器和测量开关管采用简单的反相器加与非门和一个NMOS管子组成。
布局布线采用自动的布局布线。
三DIVA验正
1 概念
DRC设计规则检查（按照工艺特定的规则检查物理设计版图）, EXTRACT提取（为了执行ERC，LVS,后端版图仿真分析等，从版图中提取器件参数和连接）,ERC电路规则检测, LVS版图和电路图层比较，Hierarchy层次（描述的是单元包含其他单元的设计数据的组织方式）, Flatten打散，平面化，所有设计数据在同一层Derived Layer导出层（通过层处理函数创建的新层）, Original Layer原始层,
Soft-Connect软连接，CDF元件说明格式,Recognition Layer识别层，prune剔除，MatchType匹配，permute交换，
2图层处理
1）常用命令：
逻辑命令：
GeomXor（这个命令输出两层或多层之间非公有的部分）,
geomNot(输出输入层的反),
geomCat（使所有的输入层连续。
其输出包含所有的输入层），
GeomAnd（与, 输出两个不同层次或边界间的交叠部分）
, geomOr（或, 输出所有的输入层）,
geomAndNot（与非,输出第一层中未被第二层覆盖的部分）。
相关命令：
geomInside（选择完全处在第二输入层中的第一输入层）,
geomOutside（选择完全处在第二输入层之外的第一输入层），
GeomButting(选择与第二输入层相外切的层次),
geomCoincident（选择与第二输入层相内切的层次）,
geomOverlap(选择与第二输入层有公共面积的层次)。
尺寸命令：
geomSize（按输入的数值扩张或收缩输入层）,
geomStretch(扩张或收缩输入层的边界）。
存储命令：
saveDerived（将衍生层存入库中相关的视图中去）,
copyGraphics（从当前分析层拷贝源层次到特定层中去）,
geomErase（从所有的视图中删去指定原始图形层上的全部图形）
outLayer = geomBkgnd（创建个长方形包围设计中的所有数据) geomEnclose（选择完全包含第二输入层的层次，可以内切）
geomStraddle(选取个被其他多变形横跨的多边形)
geomHoles(从甜甜圈图形里生成图形)
2）DIVA实验lab3-1图层处理程序
Metal2=geomOr(‘’metal2” gemosize(“pad” 4.0))
geomE rase(“matel2”)
saveDerived(metal2 (“metal2” ”drawing”))
viaToFox=geomOverlap(“via” gemoSize(“poly1” 0,5))
viaE =geomSize(viaToFix 0.2)
geomErase(“viaE”)
saveDrived(viaE (“viaE” ” drawing”))
3、drc
1）drc程序结构
图层工艺命令；用限制块去包含或排除特定的命令群组；改全局变量
（drc/extract）；drc命令去检测
2）常用命令
Width线宽:检查同一输入层中内边线到内边线的距离,
notch开槽: 检查同一输入层中外边线到外边线的距离,
area面积: 检查单一输入层的面积,
sep隔离: 检查第一输入层的外边线到第二输入层外边线的距离,
enc包围: 检查第一输入层的内边线到第二输入层外边线的距离,
ovlp覆盖: 检查第一输入层的内边线到第二输入层内边线的距离, geomStamp(pwell pplus error) 检查阱是否被错误的使用来作为传导通道
drc(metal1 width <0 .8 “Metal1 Width < 0.8”)
drc(metal1 sep < 1.0 “Metal1 Spacing < 1.0”)
3）drc操作步骤
Verify-drc；选取检查方法，选取检查限制，设置交换机名称，选取或排除检查单元，连接同名端，选取规则文件和库，规则包括（时间改动交换），设置其他选项，找到错误
4 EXT版图提取
1)EXT程序结构。