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STM32F103RET6中文资料_数据手册_参数

STM32F103RET6是一个完整的家族,其成员完全是pin-to-pin,软件和功能兼容。在参考手册中,STM32F103x4和STM32F103x6为低 密度器件,STM32F103x8和STM32F103xB为中密度器件,STM32F103RET6、STM32F103xD和STM32F103xE为高密度器件。低密度和高 密度器件是STM32F103x8/B中密度器件的扩展,它们分别在STM32F103x4/6和STM32F103xC/D/Edatasheets中指定。低密度设备具有更 低的闪存和ramcapacity,更少的定时器和外围设备。高密度设备具有更高的闪存和RAM容量,以及额外的外设,如 SDIO、FSMC、I2S和DAC,同时与家庭的其他成员保持完全兼容。STM32F103x4、STM32F103RET6、STM32F103xC、STM32F103xD 和stm32f103xee3是STM32F103x8/B设备的临时替代品,允许用户尝试不同的内存密度,并在开发周期中提供更大的自由度。此 外,STM32F103xx性能线系列完全兼容所有现有的stm32f101xx接入线和STM32F102xx USB接入线设备 M3处理器是最新一代用于嵌入式系统的ARM处理器。它的开发是为了提供一个低成本的平台,以满足MCUimplementation的需要, 以减少针数和低功耗,同时提供出色的计算性能和先进的系统响应中断。ARM Cortex -m3 32位RISC处理器具有卓越的代码效率, 在内存大小通常与8位和16位设备相关联的ARM内核中,提供了预期的高性 能。STM32F103xC、STM32F103xD、STM32F103xEperformance系列嵌入式ARM核心,兼容所有ARM工具和软件。图1显示设备的一 般框图family.2.3.2Embedded Flash memoryUp 512 kb的嵌入式Flash用于存储程序和data.2.3.3CRC(循环冗余校验)计算unitThe CRC(循环 冗余校验)计算单元是用于获取CRC编码32-bitdata单词和固定发电机的多项式。在其他应用程序中,使用基于crc的技术来验证数据 传输或存储的完整性。在EN/IEC 60335-1标准范围内,它们提供了一种验证闪存完整性的方法。CRC计算单位帮助计算签名软件在 运行时,在链接时相对于参考签名生成和存储在一个给定的内存location.2.3.4Embedded SRAMUp 64 kb的嵌入式存储器访问(读/写)的 CPU时钟速度为0 waitstates.2.3.5FSMC(灵活的静态存储控制器)加以STM32F103xC嵌入式,STM32F103xD和STM32F103xEperformance线 的家人。它有四个芯片选择输出支持以下模式:PCCard/紧凑型闪存,SRAM, PSRAM, NOR和NAND。功能概述:●这三个方法加以中 断线路或为了被连接到NVIC FIFO●●写代码执行从外部内存除了NAND闪存和PC卡片●目标频率,fCLK HCLK / 2,所以外部访问是 在36 MHz HCLKis时72 MHz和外部访问时在24 MHz HCLK 48只售 原装现货库存,万联芯城所售芯片IC,电阻电容,二三极 管等物料,原装质量有保障,价格有明显优势,已为全国多家 企业提供配套服务,BOM表整单采购有优惠,只需联系客服 提交清单,即可获得优势报价,电子元器件一站式采购,满足 客户多样化物料需求,点击进入万联芯城。
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