芯片解密需要用到的FIB简介
为了让大家进一步的了解芯片解密，我们需要先了解一下FIB法芯片解密过程中必须用到的一台仪器FIB。

以下会列出其中一种FIB的参数及附上工作间的图片，以供大家有直观的了解。

了解了就没有什么神秘感了。

以后的文章大家看起来就容易懂了。

FIB性能参数:
型号：FEI DualBeam820.FIB/SEM（离子束/电子束）双束机台
大陆地区第一台投入商业服务的Dual-Beam双束机台
最精准分辨率高达7nm
可同时提供FIB聚焦离子束切割修改与SEM电子束影像观察
微线路切割，卤素气体辅助蚀刻
纵向切割Cross-Section
深层微沉积，沉积金属物为白金/钨
VC(Voltage Contrast)电位对比测试，判断连接线(metal,poly,contact,via)之open/short
微线路修改最高制程可达0.13um
支持8英寸wafer
FIB主要应用范围
微线路修改（Microcircuit Modification）
可直接对金属线做切断、连接或跳线处理.相对于再次流片验证,先用FIB工具来验证线路设计的修改,在时效和成本上具有非常明显的优势.
测试键生长（Test Pad/Probing Pad Building）
在复杂线路中任意位置镀出测试键,工程师可进一步使用探针台(Probe station)或E-beam直接观测IC内部信号.
纵向解剖Cross-section
SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备.
VC电势对比测试（Voltage Contrast）
利用不同电势金属受离子束/电子束照射后二次电子产量不同致使其影像形成对比的原理，判断metal,poly, contact,via之open/short
FIB原理
静电透镜聚焦的高能量镓离子,经高压电场加速后撞击试片表面,在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀(连接)
物质,其解析度为亚微米级别.离子束实体喷溅加以卤素气体协作,可完成移除表面物质(纵向解剖/开挖护层、切断金属线),离子束喷溅与有机气体协作则可完成导体沉积(金属线连接、测试键生长).
另一种型号的FIB：。