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Warning and explanation：文中所引用图片均来自于互联网和中科院半导体所官方网站。

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请勿盗链文中的
图片，后果自负！
介货就是硅
微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段（上游是电路设计，下游是封装测试）。

一个芯片的制造能否达到设计要求，与制造工艺有很大的关系，因此有必要对工艺线的流程为大家说
明讲清楚。

我们手中使用的mobilephone，camera，ipad内部电路板上焊接的形状各异外形诡
异的小芯片都是如何造出来？想必大家都是有兴趣知道的。

即使没有电子工程的基础，通过我的讲解也是可以，你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。

IC（integrate circuit）的制造分为前工序和后工序。

前工序:IC制造工程中，晶圆光刻的工艺（即所谓流片），被称为前工序，这是IC制造的最要害技术。

后工序:晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。

我们所要了解的就是前工序的内容，打蛇打七寸，直入要害。

首先，光刻过程的操作流程为：
衬底氧化—涂胶—光刻机曝光—显影烘干—刻蚀—清洗干燥—离子注入（等离子刻蚀、金属淀积）—去胶。

其中最费钱的一步大家知道是什么吗？
光刻机曝光。

流片光刻的费用约占到总体花费的40%左右。

很多研究机构或者高校做芯片设计
只是通过软件模拟一下，由此就以这些数据写论文，很少有经费可以去流片测试。

况且一个可以投产的芯片并不是一次流片就能成功的，通常情况下需要四次甚至更多次数。

以西电微电子学院的军用RFID为例，流片次数已过4次，电路尺寸逐步达到设计标准。

军用研发经费充足，不计
成本，不过半导体产业高投入的现状可见一斑。

现在通过图片讲解对各部工序逐一讲解：
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1.氧化
先看一个简单的化学方程式
Si+O2=SiO2(1000℃)
这一步是将Si圆片在高温下暴露于高纯度氧气和氢气的混合气体中在表面淀积一层SiO2。

这部分氧化层可以用做绝缘层，同时也可以是晶体管的栅极。

1 硅单晶切割Fig
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