版图注意事项
①P管与N管分层放置，P管放入N阱中。

N阱中应尽量多的设置阱连接区，N管层应尽量多的设置衬底接触点。

②每一层晶体管要加保护环，保护环是为了减少栓锁效应，保护环分为硬环和软环。

P管用N型保护环，N管用P型保护环。

保护环由select、active、active contact、metal层组成。

N型保护环的select层用nselect，P型保护环的select层用pselect。

图1. P型保护环
③晶体管的放置要保证晶体管内部电流方向一致
图2 晶体管放置示意图
④重要晶体管(如差分输入对、电流镜)应增加虚拟管，高度匹配时在管子的四周都加虚拟器件。

图3为非高度匹配时虚拟管的运用。

图3 加入了虚拟器件的版图
⑤特殊晶体管的优化处理（见余华老师课件）
a）宽度很宽的晶体管b）长度很长的晶体管
c）宽度很窄的晶体管d）晶体管的合并
⑥注意晶体管的共质心布局。

如：叉指状MOS晶体管：ABBA
图4 叉指状MOS晶体管
⑦pad画法：Metal1：102×102；Metal2；100×100；Overglass：88×88；Via：90×90；Pad Comment：100×100。

图5 pad版图
⑧“poly-poly”结构电容画法：电容中要用到Poly、Poly2、Metal1、Poly Contact、Poly2 Contact、Capacitor ID等图层，电容的有效面积是Poly、Poly2的正对面积，也就是Poly2的面积。

下图为50*50的电容，其画法为：Poly（66*56）、Poly2（50*50）、Capacitor ID （50*50）、Metal1、Poly Contact、Poly2 Contact。

图6 50*50电容版图
其电容提取如下：
.SUBCKT c1
C1 1 2 c=1.1525e-012 $ (-29.5 20 20.5 70)
.ENDS
⑨ 版图：
图7 初学者所画轨对轨运放的版图
注意：1）此次版图所用工艺为MOSIS/ORBIT 1.2u SCNA 。

（设置替换路径为：C:\program files\Tanner EDA\Tanner Tools v13.1\L-Edit and LVS\Tech\Mosis\morbn12）
2）替换设置后，将设置-设计-technology 下的technology to micro map 改为： 1 Lambda=11 microns 。

T-spice 后仿真时所用工艺为余华老师所给的1.25u 的工艺。