特征频率f T
:当f= f T时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于f T,电路将不正常工作.
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
h FE
电流放大倍数.
V CEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.
P CM
最大允许耗散功率.
封装形式
指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。

为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路
输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧）
输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧）
电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大
电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）
功率放大倍数大（约30～40分贝）小（约10分贝）中（约15～20分贝）
频率特性高频差好好
应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
三极管的三种工作状态
三极管的三种工作状态（放大、截止、饱和）；
放大电路的静态、动态；直流通路、交流通路；
截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

一般将IB≤0的区域称为截止区, 在图中为IB＝0的一条曲线的以下部分。

此时IC也近似为零。

由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。

其实IB＝0时, IC并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。

一般硅三极管的穿透电流小于1μA, 在特性曲线上无法表示出来。

锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。

当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。

所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。

对NPN三极管, UBE＜0, UBC＜0。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

此时发射结正向运用, 集电结反向运用。

在曲线上是比较平坦的部分, 表示当IB一定时, IC的值基本上不随UCE而变化。

在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔIB时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔIC, 此时二者的关系为
ΔIC＝βΔIB
该式体现了三极管的电流放大作用。

对于NPN三极管, 工作在放大区时UBE≥0.7V, 而UBC＜0。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。

在这个区域, 不同IB值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当UCE较小时, 管子的集电极电流IC基本上不随基极电流IB而变化, 这种现象称为饱和。

此时三极管失去了放大作用, IC＝βIB或ΔIC＝βΔIB关系不成立。

一般认为UCE＝UNE, 即UCB＝0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE＜UBE时称为过饱和。

三极管饱和时的管压降用UCES表示。

在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于0.3V。

三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。

对NPN三极管,UBE＞0, UBC＞0。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。