4.4 内存的选购
4.4.1 内存的选购原则 1．内存条的品牌 如图4 18所示。 如图4-18所示。
2．内存颗粒 3．频率要搭配 4．容量
4.4.2 内存产品介绍 1. 海盗船1GB DDR3 1333 海盗船1GB 海盗船1GB 海盗船1GB DDR3 1333内存条的外观，如图 1333内存条的外观，如图 4-19所示。 19所示。
运行CPU- ，容， 如图4 23所示。 如图4-23所示。
4.1.4 按内存条的技术标准（接口类 按内存条的技术标准（ 型）分类
1．DDR SDRAM内存条 SDRAM内存条 DDR SDRAM内存条，其外观如图4-6所示。 SDRAM内存条，其外观如图4
2．DDR2 SDRAM内存条 SDRAM内存条 DDR2内存条的外观如图4 DDR2内存条的外观如图4-7所示。
③ Flash Memory（闪速存储器），如图4-4 Memory（闪速存储器），如图4 所示。
2．RAM （1）SRAM（Static RAM，静态随机存储器） SRAM（ RAM，静态随机存储器） （2）DRAM（Dynamic RAM，动态随机存储器） DRAM（ RAM，动态随机存储器） 4.1.2 按内存在计算机中的用途分类 1．主存储器 2．高速缓冲存储器（Cache） ．高速缓冲存储器（Cache） 3．BIOS ROM
3．CSP封装 CSP封装 CSP（ CSP（Chip Scale Package，芯片级封装） Package，芯片级封装） DDR内存，如图4 14所示。 DDR内存，如图4-14所示。
4.3 DRAM内存的时间参数 DRAM内存的时间参数
4.3.1 DRAM内存的参数设置 DRAM内存的参数设置 1．CAS Latency（CL或tCL） Latency（CL或tCL） 目前DDR内存的CL值主要为2 2.5和 目前DDR内存的CL值主要为2、2.5和3， DDR2的CL在 DDR2的CL在3～6之间，DDR3的CL在5～8 之间，DDR3的CL在 之间。DDR2与DDR3延迟时间对比如图4 之间。DDR2与DDR3延迟时间对比如图415所示。 15所示。
2. Kingmax 2GB DDR2 800 Long-DIMM LongKingmax 2GB DDR2 800 Long-DIMM的外观， Long-DIMM的外观， 如图4 20所示。 如图4-20所示。
4.5 实训――查看内存默认频率及默 实训――查看内存默认频率及默 SPD参数 认SPD参数
1．PCB板 PCB板 2．金手指 3．内存固定卡缺口 4．金手指缺口 5．内存芯片 6．SPD芯片 SPD芯片 7．内存颗粒空位
8．电容 9．电阻 10．标签 10．标签 内存条上标签的形式如图4 10所示。 内存条上标签的形式如图4-10所示。
11. 散热器 带有散热片的内存条如图4 11所示。 带有散热片的内存条如图4-11所示。
2．RAS to CAS Delay（tRCD） Delay（tRCD） 可选值有2 可选值有2、3和4。 3．RAS Precharge（tRP） Precharge（tRP） 可选值有2 可选值有2、3和4。 4．RAS Active Delay（tRAS） Delay（tRAS） 可选值范围为5 12。 可选值范围为5～12。
3．DDR3 SDRAM内存条 SDRAM内存条 DDR3的外观如图4 DDR3的外观如图4-8所示。
4.2 内存条的结构和封装
4.2.1 DDR3 SDRAM内存条的结构 SDRAM内存条的结构 下面以如图4 所示的DDR3 SDRAM为例，介绍内 下面以如图4-9所示的DDR3 SDRAM为例，介绍内 存条的结构。
4.1.3 按内存的外观分类
1．双列直插封装内存芯片 DIP芯片一般用于286以下的微机，现在只有在显 DIP芯片一般用于286以下的微机，现在只有在显 示卡上才能见到它们。其外观如图4 示卡上才能见到它们。其外观如图4-5所示。
2．内存条（内存模块） 内存条主要有两种接口类型：SIMM；DIMM。 内存条主要有两种接口类型：SIMM；DIMM。
4.3.2 DRAM内存的参数标识 DRAM内存的参数标识 通常按CL-tRCD-tRP-tRAS（有时省略tRAS） 通常按CL-tRCD-tRP-tRAS（有时省略tRAS） 的顺序列出这4个参数，如图4 16所示。 的顺序列出这4个参数，如图4-16所示。
如图4 17所示是BIOS设置选项。 如图4-17所示是BIOS设置选项。
（3）多次擦写可编程只读存储器 这类ROM有三种类型。 这类ROM有三种类型。 ① EPROM（Erasable Programmable ROM， EPROM（ ROM， 可擦可编程ROM），其外观如图4 可擦可编程ROM），其外观如图4-2所示。
② EEPROM（Electrically Erasable EEPROM（ Programmable ROM，电可擦写可编程 ROM，电可擦写可编程 ROM），其外观如图4 ROM），其外观如图4-3所示。
第4章 内
存
4.1 内存的分类
4.1.1 按内存的工作原理分类 1．ROM （1）Mask ROM（掩模式只读存储器） ROM（掩模式只读存储器） （2）PROM（Programmable ROM，可编程ROM） PROM（ ROM，可编程ROM） PROM芯片的外观，如图4 PROM芯片的外观，如图4-1所示。
4.2.2 内存芯片的封装
1．TSOP封装 TSOP封装 改进的TSOP技术TSOP II目前广泛应用于 改进的TSOP技术TSOP II目前广泛应用于 SDRAM、 SDRAM、DDR SDRAM内存的制造上，如 SDRAM内存的制造上，如 图4-12所示。 12所示。
2．BGA封装 BGA封装 DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA （Fine pitch Ball Grid Array，BGA的改进型） Array，BGA的改进型） 封装形式，如图4 13所示。 封装形式，如图4-13所示。