低噪 13nV/rtHz
1.8 MHz
DC性能非常好 输出 15MA电流
若想得到低输入电压失调、漂移和电压噪声，选双极型运放
型号 供电 耗电 Vos Vdrift Ib CMRR
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
低噪 10.5nv 0.38uv
BW
其它特性
评价
OP07 AD706 MAX410
正负3V到正 静态电流： 负18V 500μ A
低噪声 19nv/sqrtH Z 3019nv/sq rtHZ
0.2MH 高输入阻抗1T、极低 Z 的功耗以及高增益 4.5
正负15v 正 负12v
2.8~4ma
JFET输入运放结合精 Vos性能在jfet运放中是 度和高速度 最好的)
AD820
单电源5.0 V 900µA to 36 V
100µV 800 典型1 μ V/ 25 pA 最大 μ V °C 偏置电流 maximum
100dB
低噪 8nv(30hz)5 nv(1khz)
10Mhz 输入阻抗低300k欧
高速低噪声双通道
CMOS 运算放大器 OPA333
极低的工作 超低静态电流 电压1.8V到 (17uA～25ua) 5.5V 超低失调电 零漂最大 压2～10uv 0.05uv/c 70～200pa 130db 1.1uv （0.01～ 10HZ） 350k cmos工艺目前市场上 尺寸最小功耗最低的 零漂移放大器静态电 流仅为性能最接近产 品的十分之一 22.91元 医疗仪器、温度测量、 测试仪器、传感器信号 调理和便携式仪器,TI最 杰出的运放产品之一 Zero-Drift Series
1.4~2.5ma
低失调、低温漂JFET输 入集成运放,,可用于高速 积分器、D/A转换器等电 路 3MHZ 高输入阻抗1T,低失真 双路低噪声JFET输入 1.40元 3MHZ 高输入阻抗1T,低失真 通用JFET输入 3MHZ MOSFET前级(高输入 阻抗1T)高输入阻抗双 通道 4.5MH MOSFET前级(高输入 Z 阻抗1.5T)高输入阻抗 双通道 160K biMOS轨对轨，比 TLC功耗更低带宽更 大 高输入阻抗1T、极低 的功耗以及高增益 低价,高速JFET输入并具 有低偏置电压 可在很多场合直接替代 741 输入阻抗大的高速 动放 4.5~7.2元 11uA/通道的 160kHz RR 输出双路运算放大器， 直流和噪声性能偏差， 好在功耗超低 LInCMOS 精密双运放低 价3元 性能改进版本 是TLC2252 10元 电池供电应用,四路满电 源幅度,低压微功耗运放
950uv
2uv
90dB共模抑 制比以及 105dB电源 抑制比 （PSRR） 低偏置电流 70dB 1pa 10pa 最大 30pa 100dB
低噪声9nv
2.180M HZ 5.4uv 300k 低价微电压低噪运放 (双通道)
0.05mv 最 大1.5mv
0.9uv/c
48nv
1.21美元 适合电池供电
5美金 用于高精度数
据采集 仪用运放
低输入失调 低温漂 低偏置电流 100db 电压 0.7~2.5μ V/ 2~12na 60~150uv ℃ 时漂也 小1.5uv/月 30uv~100uv 0.6uv/c 低偏置电流 50~110pa
0.6MH 可以较低价格代替斩 精密的低噪声低零漂运 Z 波运放,性能类似ua714 放,直流小信号放大不错
OPA2335 LTC1051
2.7~5.5v
QUIESCENT LOW OFFSET 0.05μ V/° 70～200pa CURRENT: 285μ VOLTAGE: 5 C max μ V (max) A
130db
1.4
2M
Single Supply Operation 4.75V to 16V
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
BW
其它特性
高速度的JFET输入集 成运放还具有高输入 电阻，小偏置电流和 输入失调电流
评价
LF411 TL072 TL081 LF353 CA3240 TLV27L2 TLC27L2 TLC2252 LT1055
正负18V以 内 正负18V以 内 正负18V以 内 正负18V以 内
10uv最大 低漂1uv/c 40uv带自校 准
低偏置电流 100dB 1pa最大60pa
极低的输 入电压噪 声密度1.5 nV at 1kHz 12nv(1khz)
高精度 BiFET 偏置电 流是op07的1/20 噪声 是op07的1/5ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ耗电是 op07的1/6 并且有更高 的输入阻抗 28MHz 28MHz、低噪声、低 Unity- 电压、精密运算放大 Gain 器 桥接信号调理 低 Bandwi 噪声 非常适合源阻抗 dth 较低的应用 1.5uv(0.1~ 4.7Mhz 高输出能力50ma,高精 10hz) 度结合高带宽大输出 能力 无斩波运放的噪 声 0.5uv 800k
70~75uv
0.3uv/c
1~100pa
115dB
低失调电压 1.8uv/c 最大250uv 220~800uv 2~4uv/c
1pa 低输入 偏置电流 85C时80pa 4~100na
90dB
低噪8.9nv/ 760nv 1khz （电 流噪声也 低0.5fA ） 38nv 2.8uv
3MHZ 超低失真0.0002% 低噪低失真(四通道) 适 THD 轨对轨 单位增益 合低失真噪的电池供电 稳定 1000G输入阻抗 应用 adc缓冲 155kHZ 单位增益稳定,高阻抗 微功耗 适合高精度电池 应用Z 10E13 供电应用, 高输出20ma 反向电压 电池应用 4到20ma变送 保护18v 17M欧输入 阻抗 2K(f=1 10G欧输入阻抗 微电压 微功耗电池应用 00hz) 低压信号处理 微功耗滤 波器 180k
小的输入失 输入失调电 输入偏置电 70db 调电压 压温度系 流： 50pA 2~5mV 数：7μ V/ ℃ 3~10mv 18uv/c 18uv/c 10uv/c 低偏置电流 86db 20~200pa 低偏置电流 86dB 30~200pa 低偏置电流 100dB 50~200pa 10~40pa 90db 低噪15nv 18nv 低噪声电 压 18nv 40nv(1khz)
型号
供电
耗电
Vos
Vdrift Ib
CMRR
噪声电压 噪声电压 密度 Vp-p
BW
其它特性
满摆幅运算放大器， 低噪声
评价
高精度、低功耗、小体 积与温度稳定性的良好 结合，适合精度必须随 环境条件的波动而保持 稳定应用场合0.64美元 双路,低噪声,满电源幅度 运放 7.9元
AD8663
TLC2274 ISL28288 MAX4254 MCP609 LT1490 LT6005
双通道,低耗电2.28美元 是低频滤波器的极好选 择(12~14位数据采集)
双极型放大器 达到16位 精度
高级 LinEPIC 自校准精 密双路运放 自校准 最 高精度cmos单电源运放 使用范围大
ICL7650
正负9v
2ma
失调小 漂移低 0.7uV 最大 0.02uV/C 5uV
输入偏置电 超高增益,共 流小4~10pa 模抑制能力 强 超高 CMRR140D B
输入失调电 压：1~5mV
输入偏置电 90db 流： 80~500nA
通用型运算放大器
输入失调电 温度漂移： 输入偏置电 差模电压增 压： 2mV 7μ V/℃ 流： 45nA 益： 100dB
1 MHz 通用性运放，它具有 输出电压振幅大、电 源功耗小等优点
低功耗四运放滤波好
0.5~4mv
200~800na
正负2.5V到 低耗电600ua 正负18V
低噪声 15nv
± 2.4V to ± 2.5mA Supply 5V Current Per Amplifier
250µV (max) Offset Voltage
drift (1μ V/ 80na ° C)
130
TLC4502
4~6v 单5v
单路 1~1.5ma
2~44v 3v 5v 最大50ua 正负15v 1.6~16v 供电1ua
高cmmr98db
50nv
1u
500uv
2uv/c
低偏置90pa 100db
325nv f=100hz
3uv
若想得到低输入电流和电流噪声，选择FET运放
型号 供电 耗电
静态电流： 1.8mA
Vos
Vdrift Ib
CMRR
0.6~60pa 低温漂移 1.1uv/c 低 时漂0.1uv 每月
94db
68nV/sqrt HZ
85k
2.7~16v
低耗电35ua
最大850uv 0.5uv/c 低偏置电流 83db 典型200uv 0.003uv/mo 1pa典型 最 nth 大150pa 最大150uv 1.2~4uv/c 典型50uv 150pa最大 典型 40pa(70) 98db
Low Supply Current 1mA/Op Amp
Maximum Maximum offset Offset Voltage 5µ Voltage Drift 0.05µ V V/°C
Minimum CMRR, 114dB
Low Noise 1.5µVp-p
(0.1Hz to 10Hz)
Dual/Quad Low Cost Precision Op Amp Zero-Drift With Internal Capacitors
2uV
2MHZ 利用动态校零技术消 响应快, 除了CMOS器件固有 的失调和漂移,性能稳 定及价格低廉等优点,