– 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 – 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘
内存储器的分类
• 内存储器
随机存取存储器（RAM）
Random Access Memory
只读存储器（ROM）
Read Only Memory
随机存取存储器（RAM）
• RAM
静态存储器（SRAM）10ns～20ns
时间 • 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） • 功耗：动态功耗、静态功耗
存储器的引脚特征
• 地址线 • 数据线 • 片选 • 输出允许 • 读/写控制
5-2 随机存取存储器 RAM
一、静态RAM（SRAM）：
1、SRAM芯片的构成
② 地址
地地
译码电
址址
路：根
寄译
据输入 AB 存 码
的地址
编码来
一、静态RAM（SRAM）： 1、SRAM芯片的构成 2、典型SRAM芯片
常用的典型SRAM芯片有：
2114：容量为1 K×4 bit，有1024个存储单元，需10根地址线。 6116：容量为2 K×8 bit，有2048个存储单元，需11根地址线。 6264：容量为8 K×8 bit， 62128：容量为16 K×8 bit， 62256 ：容量为32 K×8 bit ，
选中芯
片内某
个特定
的存储 ① 存储体：存储器
单元 芯片的主要部分，
用来存储信息
存储体
控制电路 OE WE CS来自读数写
据
电
寄
路
存 DB
③ 片选和读
写控制逻辑 ：选中存储 芯片，控制 读写操作
一、静态RAM（SRAM）：
1、SRAM芯片的构成
① 存储矩阵：
基本存储单元按矩阵方式排列:
★ 按字结构方式排列：一个字节 的8位制做在一块芯片上。特点： 若选中，则有8位信息同时从一个 芯片中读出，但是，芯片封装引线 较多。(例由128×8组成的1K芯片)
单译码结构 双译码结构
0 存储单元
A5
1
A2
A4 译 A3 码 A2 器 A1
A1 A0
64个单元
A0
63
0
1 行 译 码
7
0
64个单元
1
7
列译码
单译码 双译码
( 64条输出线 ) ( 16条输出线 )
A3A4A5
1、SRAM芯片的构成
地地
读
数
址址
存储体
写
据
寄译
电
寄
AB 存 码
路
存 DB
控制电路
① 存储矩阵： ② 地址译码电路：
微机原理ppt
微处理器
运算器 控制器 寄存器
内 存储器
I/O接口
I/O设备
数据总线（DB） 控制部线（CB） 地址总线（AB） I/O接口
外 存储器
5.1 存储器概述
• 计算机中用来存储程序和数据的部件 • 表征计算机的记忆能力 • 存储器多种分类
从身边的存储器说起!
存储器一览
• 日本NTT推出光学薄膜内存 • 邮票大小容量10G
一、静态RAM（SRAM）： 2、典型SRAM芯片 ( 以6264为代表进行分析 )
6264：容量为8 K×8 bit，
A0~A12：13条地址信号线。 D0~ D7 ：8条双向数据线。 CS1：片选信号线，低电平有效。 CS2：片选信号线，高电平有效。平时接高
电平(+5V电源) OE：读允许信号，低电平表示允许输出， WE：写允许信号，低电平表示允许写入
5-2 随机存取存储器 RAM
二、动态RAM（DRAM）
1. 单管动态RAM的存储单元分析
行选择信号
在读操作时，
放大器 列选择信号
先由行地址译码，使某行选
Q
择信号为高电平，该行上的管子
C 导通，由放大器读取电容上的电
压值，
再由列地址译码，使某列 选通。被行列均选通的基本单元 允许驱动，并读出数据，
① 刷新：存储单元以电容为基础，电容中电荷由于漏电会 逐渐丢失，因此 需定时 (一般2mS) 对电容充电，即刷新。
② DRAM 芯片地址线引脚的数目减少一半：在内部将地址 分为行地址 (RAS) 和列地址 ( CAS )，地址信号两次送入。当对 DRAM 进行访问时，先使RAS有效，送行地址并锁存；再使 CAS有效，送列地址并锁存，最后再控制数据的读出和写入。
OE WE CS
③ 片选和读写控制逻辑：选中存储芯片，控制其读写操作
• CS 或 CE：片选信号。有效时，可以对该芯片进行读写操作 • OE：读允许信号。有效时，芯片内数据输出 • WE：写允许信号。有效时，数据进入芯片中
1、SRAM芯片的构成
①地址译码器 采用双译码
②存储矩阵选 用位结构矩阵
5-2 随机存取存储器 RAM
+5V电压和GND接地线。
5-2 随机存取存储器 RAM
静态RAM（SRAM）：存储单元以双稳电路为基础，故状
态稳定；只要不掉电，信息就不会丢失。
动态RAM（DRAM）：存储单元以电容为基础，故电路简
单，集成度高，功耗小；但既使不掉电，也会因电 容放电而使信息丢失，所以要定时刷新。
二、动态RAM（DRAM）
CPU内核
快
寄存器组
小
速
高速缓存
容
度
主存储器
量
联机外存储器
慢
脱机外存储器
大
存储器分类—内存和外存
• 内存——存放当前运行的程序和数据。
– 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 – 通常由半导体存储器构成 – RAM、ROM
• 外存——存放非当前使用的程序和数据。
– 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后 CPU才能访问。
★ 按位结构方式排列：8位由8块 芯片组成；特点：芯片封装时引线 较少，成品合格率提高；但使用芯 片较多。(例由1024×1组成的1K芯片)
当存储器系统较小时，宜采用 按字结构方式排列的芯片，反之…
基本存储单元结构图 一个基本单元仅存一位信息
1、SRAM芯片的构成
① 存储矩阵： ② 地址译码电路：
Static RAM
动态存储器（DRAM）100ns ～ 200ns
Dynamic RAM
只读存储器（ROM）
• 只读存储器
掩膜ROM 一次性可写ROM EPROM EEPROM FLASH ROM
存储器的主要技术指标
• 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N • 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的
U盘
新内存 - DDRII SDRAM
• 源于显卡，2003年2月，nVIDIA首次将 DDRII技术应用到其当时最高端的显卡 GeforceFX5800
• DDRII内存的真身
DDRII的插槽
240pin，看起来和184pin DDR插槽差不多
微机拥有不同类型的存储部件
• 由上至下容量越来越大，但速度越来越慢