1. 电流放大系数：α、β 2、极间反向电流：
（1）集-基极反向饱和电流ICBO （2） 集-射极反向饱和电流ICEO
3、极限参数：
（1）集电极最大电流ICM
（2）反向击穿电压：射-基反向极击穿电压U(BR)EBO 集-基反向极击穿电压U(BR)CBO 集-射反向击穿电压U(BR)CEO
（3） 集电极最大允许功耗PCM
Ri rbe RB
Ro RC
+VCC
静态：
C1
+
ui
RC RB
T
C2
+
uo RL
I BQ

VCC VBE RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
-
-
h参数等效电路：
rbe

300 ()

(1

)
26(mV ) IE (mA )
Ii Ib
Ui RB rbe
集电结正
IC(mA )
此区域满足
IC=IB称为
100线性A 区（放
大区）。
偏， 3
IB>IC，
UVC称E为0.饱3 2
和区。
1
80A 60A 此40区域A 中 : IB=0， I区止2CI=0区电BI=C。压0AEO，，称UB为E<截死
3 6 9 12 UCE(V)
15
输出特性三个区域的特点:
主要参数:最大整流电流 IFM 、反向峰值电压URM 、反向 直流电流 IR 等
特殊二极管：稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、 光电二极管、发光二极管、激光二极管等 特别是稳压二极管，利用其反向击穿效应
9
四、 二极管的基本电路及其分析方法
1、图解分析法：
iD VDD /R
R iD
+
VDD
D vD
h参数等效电路：
Ii
Ib
Ic
rbe
Ui R'B
Ib RL
Uo
动态：
AV

rbe
R' L (1 )RE1
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE1]
RE1 RC
Ro RC
RB C1
ui
RE
+VCC
C2
RL uo
静态：
IB
VCC VBE
//
rbe Rs
1
C1
C2 静态：
ui RE
RB1 RC RL
VB

RB 2 RB1 RB2
VCC
uo VBE VB VE VB IE RE
RB
CB VCC
IC

IE

VB
VBE RE
VCE VCC IC RC IE RE
h参数等效电路：
iE e
雪崩击穿和齐纳击穿
稳压二极管利用击穿特性
击穿 特性
IR= -IS VBR
反向 特性
4、 PN结的电容效应：
ID
正向 特性 VD
死区电压 硅管0.6V, 锗管0.2V
势垒电容CB （PN结反偏） 和扩散电容CD （PN结正偏）
8
5、半导体二极管：
二极管的电路符号：
P
N
分为：点接触型、面接触型、平面型。
二、放大电路性能指标：
1、电压放大倍数Au
电压增益=20lg|Au|
(dB)
2、输入电阻ri 3、输出电阻ro 4、通频带 5、失真： 失真
线性失真
幅度失真: 相位失真:
非线性失真： 3
3 二极管及其电路
一、半导体与本征半导体：
半导体的性质：负温度系数、光敏特性、掺杂特性
惯性核
价电子 半导体的共价键结构：
模拟电子技术
《模拟电子技术》 期末总复习
授课人：庄友谊
1
题型：
一、填空题（12、14分） 二、选择题（16分） 三、分析题（18、16分）（3、2题） 四、计算题（44分） （5题） 五、设计题（10分） （1题）
期中前约 50% 期中后约50%
2
1 绪论
一、电子电路中的信号：模拟信号和数字信号
(1) 放大区：发射结正偏，集电结反偏。
即： IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。
即：VCEUBE ， IB>IC，
硅管：VCE0.3V 锗管： VCE0.1V (3) 截止区： VBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
16
（三） BJT的主要参数
4、频率参数：
17
（四） 温度对BJT参数及性能的影响
UBE ↘ ↑
T↑
ICEO ↑
U（BR）CBO ↑
U（BR）CEO ↑
18
二、放大电路的组成及分析计算
（一） 常用放大电路： 共射放大器、共集放大器、共基放大器
直流通道：——提供放大的条件（静态）。 交流通道：——进行交流信号的放大（动态）。
++ + 44 4
++ +
44
4
+ ++ 4 44
4
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
载流子
自由电子 空穴
动态平衡 本征激发 复合
本征半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
5
二、 杂质半导体
N 型半导体（电子导电型半导体） ：掺5价元素使用自由
零点漂移 温度漂移（温漂） ——差分放大器
34
（四） 放大电路的频率响应
1、共射电路的耦合电容是引起低频响应的主要原因, CE影响较大; 三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因
AVS
=
(1－j
AVSM fL )(1 +
（2）图解法确定Q点:
IB
IC
直流 负载线
IBQ
Q
UBE
0.7V
UBEQ
uBE VBB iB RB
ICQ
Q IBQ
UCEQ
UCE
uCE VCC iC RC
一般可认为:硅管UBEQ为0.7V，锗管为0.3V
21
2、动态工作情况的图解法分析：
图解法的步骤：
1、确定静态工作点
2、画直流负载线 3、画交流负载线
24
电路参数对Q点的影响：
Rb：
iC
Rb↗
IBQ↘
RC：
RC↘
Q点下移（Q→Q1）。 直流负载线的斜率 变大
Q3
Q QQ21
（Q→Q2）。
0
交流负载线要看RL而定。
vCE
VCC： VCC变化，直流负载线发生平动，Q点变化情况比
较复杂，在IB不变的情况下，VCC↘，Q→Q3
一般情况下，常采用改变Rb的办法，来调节静态工作点。
放大器的性能指标：
电压放大倍数、输入电阻ri 、输出电阻ro 、通频带
19
（二）放大器的分析方法
A、图解法分析法：
1、静态工作点的图解分析：
（1）近似估算Q点: +
ΔVI
RB
T
-
VBB
I BQ
=
VBB－
V BE
RB
ICQ I BQ
VCEQ VCC ICQ RC
C+
RC
ΔVO
VCC
-
20
Ic
Ib
RL R
Uo
动态：
AV

R' L rbe
Ri RB // rbe
C
Ro RC
RB1 C1
ui RB2
RC
+VCC C2
静态：
VB

RB 2 RB1 RB2
VCC
VE VB VBE
T
RL
RE1
uo
RE2
CE
IC

IE

VB VBE RE1 RE2
VCE VCC IC RC IE (RE1 RE2 )
t
35
25
15
U t 1 2 3 4 5 6 V CE
uCE t
t
AV

vo vi
e j

Vom Vim

0.5 0.02

25
uce与ui反相 23
3、静态工作点对波形失真的影响:
（1） Q点过低，信号进入截止区：产生截止失真 （2） Q点过高，信号进入饱和区：产生饱和失真
——放大器的动态范围
电子浓度大大增加的杂质。 施主原子（离子） 多数载流子（多子）：自由电子， 少数载流子（少子）：空穴。
P 型半导体（空穴导电型半导体） ：掺3价元素使用空穴
浓度大大增加的杂质。 受主原子（离子） 多子：空穴，少子：自由电子。
6
三、 PN结与半导体二极管
1、 PN结的形成过程：
接触 扩散 形成空间电荷区 内电场 漂移
-
ID
Q
2、简化模型分析法：
VD
VDD vD
简化模型：理想二极管模型、恒压降模型、 折线模型、小信号模型
应用简化模型分析：
10
4 双极型三极管及放大电路基础
一、 BJT的结构、原理与特性
（一） BJT的结构与工作原理:
两种类型：NPN型和PNP型。
NPN型
基b 极
c b
e
c 集电极 集电极 c