实验六存储器和总线实验
一、实验目的
熟悉存储器和总线组成的硬件电路
二、实验要求
按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据。

三、实验内容
（1）实验原理
实验所用半导体静态存储器电路原理如图所示，该静态存储器由一片6116（2k*8）构成，其数据线（D0-D7）已和数据总线（BUS-DIAP UNIT）相连接，地址线由地址锁存器（74LS273）给出，该锁存器的输入已连至数据总线。

地址A0-A7与地址总线相连，显示地址内容。

数据开关经三态门（74LS245）已连至数据总线，分时给出地址和数据。

因为地址寄存器为8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10本实验装置已接地，其容量为256字节。

6116由三根控制线：/CS(片选线)、OE（读线）、WE（写线）。

当片选有效（/CS=0）时，同时OE=0时，(WE=0)时进行读操作。

本实验中将OE引入接地，在此情况下，当/CS、WE=1时进行写操作。

/CS=0、WE=0时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。

实验时T3脉冲由“单步”命令键产生，其它电平控制信号由二进制开关模拟，其中/CE（存储器片选信号为低电平有效，WE为写/读（W/R）控制信号，当WE=0时进行读操作、当WE=1时为写操作。

（2）实验步骤
1、控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE）、写/读线（WE）、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE、WE、LDAR）之间对应相连。

位于实验装置左上方CTR-OUT的控制信号(/SW-B)与左下方INPUT-UNIT(/SW-B)对应相连。

具体信号连接：/CE,WE,LDAR,/SW-B
2、完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。

在闪动是我“P”状态下按动增值命令键，时LED显示器自左向右第一位显示提示符“H”，表示装置已进入手动单元试验状态。

（若当前处“H”状态，本操作可略）
3、内部总线数据写入存储器
给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下：（以向00地址单元写入11数据为例，然后重复操作将数据分别写入各地址单元）。

4,、读存储器的数据到数据总线
依次独处第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。

具体步骤如下：（以从00单元独处11数据为例，其它则类似）。