将一通电的导体放在磁场中，若磁场方向与电流方向垂直，那么，在第三个方向上会产生电位差，这种现象称为Hall 效应
行进波因子
表明在晶体中运动的电子已不再局域于某个原子周围，而是可以在整个晶体中运动的，这种电子称为共有化电子。
它的运动具有类似行进平面波的形式。
Bloch 函 波矢k 物理意义：k 称为简约波矢，是对应于平移对称操作本征值的量子数，其物理意义是表示原胞之间电子波函数位相的变化。
不同的k 值表示原胞间的位相差是不同的。
光吸收是指原子在光照下会吸收光子的能量，由低能态跃迁到高能态的现象。
（光通过固体时，与固体中存在的电子、激子、晶格振动及杂质和缺陷等相互作用而产生光的吸收。
） 光发射：固体吸收外界能量，其中一部分能量以可见光或近于可见光的形式发射回来。
有关晶格振动及声子
答：声子：晶格振动的简正模式（或格波）的能量的量子称为声子。
晶体中原子的热振动称为晶格振动。
能带形成的主要原因
答:电子能带的形成是由于当原子与原子结合成固体时，原子之间存在相互作用的结果，而并不取决于原子聚集在一起是晶态还是非晶态，即原子的排列是否具有平移对称性并不是形成能带的必要条件。
导体：低温下为部分填充的或半满的能带
绝缘体：在T-0K 时价带是满带，其上最低的许可带是空带的是绝缘体。
半导体：在T-0K 的价带是满带，其上最低的许可带全空，但价带上的禁带不如绝缘体宽的是半导体。
其T-0K 时的空带称为导带。
费米面：k 空间中能量为EF 的等能面 F （k ）=EF
费米面是F-0K 时k 空间占有态与空态的界面，其所包围的体积直接决定于价电子的数密度。
二次电子，透射电子及其应用
二次电子：从距样品表面100A 左右深度范围内激发出来的低能电子（<50ev ）；主要特点：1、对样品表面形貌敏感；2、空间分辨率高；3、信号收集率高；应用：扫描电子显微镜 透射电子：特点：1、质厚衬度效应；2、衍射效应；3、衍射衬效应。
应用：透射电子显微镜（电子束照在单晶上花纹是倒点阵花样，在多晶上是同心圆）
Eg 影响因素及其尺寸关系 Eg= 为成键态与反键态之间的能量间隙。
禁带宽度影响因素：其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
尺寸减小，带隙变宽。
金属、半导体电导率随T 变化的异同点 电导率： 半导体的本征是电导率随温度升高而迅速上升。
金属电导率随T 升高而升高。
低温区，电导率表现出非线性的温度关系；高温区，电导率与温度为线性关系。
紧束缚近似：近自由电子近似方法认为原子实对电子的作用很弱，因而电子的运动基本上是自由的。
其结果主要适用于金属的价电子，但对其他晶体中的电子，即使是金属的内层电子也并不适用。
在大多数晶体中，电子并不是那么自由的，即使是金属和半导体中，其内层电子也要受到原子实较强的束缚作用。
在本节，我们将讨论另一种极端情况：当晶体中原子的间距较大，因而原子实对电子有相当强的束缚作用。
因此，当电子距某个原子实比较近时，电子的运动主要受该原子势场的影响，这时电子的行为同孤立原子中电子的行为相似。
这时，可将孤立原子看成零级近似，而将其他原子势场的影响看成小的微扰。
这种方法称为紧束缚近似 (Tight Binding Approximation)。
近自由电子模型:在周期场中，若电子的势能随位置的变化（起伏）比较小，而电子的平均动能要比其势能的绝对值大得多，这样，电子的运动几乎是自由的。
因此，我们可以把自由电子看成是它的零级近似，而将周期场的影响看成小的微扰。
将一通电的导体放在磁场中，若磁场方向与电流方向垂直，那么，在第三个方向上会产生电位差，这种现象称为Hall 效应 行进波因子
表明在晶体中运动的电子已不再局域于某个原子周围，而是可以在整个晶体中运动的，这种电子称为共有化电子。
它的运动具有类似行进平面波的形式。
Bloch 函 波矢k 物理意义：k 称为简约波矢，是对应于平移对称操作本征值的量子数，其物理意义是表示原胞之间电子波函数位相的变化。
不同的k 值表示原胞间的位相差是不同的。
光吸收是指原子在光照下会吸收光子的能量，由低能态跃迁到高能态的现象。
（光通过固体时，与固体中存在的电子、激子、晶格振动及杂质和缺陷等相互作用而产生光的吸收。
） 光发射：固体吸收外界能量，其中一部分能量以可见光或近于可见光的形式发射回来。
有关晶格振动及声子
答：声子：晶格振动的简正模式（或格波）的能量的量子称为声子。
晶体中原子的热振动称为晶格振动。
能带形成的主要原因
答:电子能带的形成是由于当原子与原子结合成固体时，原子之间存在相互作用的结果，而并不取决于原子聚集在一起是晶态还是非晶态，即原子的排列是否具有平移对称性并不是形成能带的必要条件。
导体：低温下为部分填充的或半满的能带
绝缘体：在T-0K 时价带是满带，其上最低的许可带是空带的是绝缘体。
半导体：在T-0K 的价带是满带，其上最低的许可带全空，但价带上的禁带不如绝缘体宽的是半导体。
其T-0K 时的空带称为导带。
费米面：k 空间中能量为EF 的等能面 F （k ）=EF
费米面是F-0K 时k 空间占有态与空态的界面，其所包围的体积直接决定于价电子的数密度。
二次电子，透射电子及其应用
二次电子：从距样品表面100A 左右深度范围内激发出来的低能电子（<50ev ）；主要特点：1、对样品表面形貌敏感；2、空间分辨率高；3、信号收集率高；应用：扫描电子显微镜 透射电子：特点：1、质厚衬度效应；2、衍射效应；3、衍射衬效应。
应用：透射电子显微镜（电子束照在单晶上花纹是倒点阵花样，在多晶上是同心圆）
Eg 影响因素及其尺寸关系 Eg= 为成键态与反键态之间的能量间隙。
禁带宽度影响因素：其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
尺寸减小，带隙变宽。
金属、半导体电导率随T 变化的异同点 电导率： 半导体的本征是电导率随温度升高而迅速上升。
金属电导率随T 升高而升高。
低温区，电导率表现出非线性的温度关系；高温区，电导率与温度为线性关系。
紧束缚近似：近自由电子近似方法认为原子实对电子的作用很弱，因而电子的运动基本上是自由的。
其结果主要适用于金属的价电子，但对其他晶体中的电子，即使是金属的内层电子也并不适用。
在大多数晶体中，电子并不是那么自由的，即使是金属和半导体中，其内层电子也要受到原子实较强的束缚作用。
在本节，我们将讨论另一种极端情况：当晶体中原子的间距较大，因而原子实对电子有相当强的束缚作用。
因此，当电子距某个原子实比较近时，电子的运动主要受该原子势场的影响，这时电子的行为同孤立原子中电子的行为相似。
这时，可将孤立原子看成零级近似，而将其他原子势场的影响看成小的微扰。
这种方法称为紧束缚近似 (Tight Binding Approximation)。
近自由电子模型:在周期场中，若电子的势能随位置的变化（起伏）比较小，而电子的平均动能要比其势能的绝对值大得多，这样，电子的运动几乎是自由的。
因此，我们可以把自由电子看成是它的零级近似，而将周期场的影响看成小的微扰。
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⋅k r i e ⋅k r。