教你看懂内存编码！内存大小识别方法(详)内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。

看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPDIBM：BM NPNX：NN一.日本产系列：主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。

1.HITACHI［日立］。

1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。

它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHIHM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。

市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。

空白则为普通。

TT为TSOII封装。

最后XX代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］A60：10ns［PC-100 CL2或3］B60：10ns［PC-100 CL3］例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。

2.NEC。

NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXXμPD4代表是NEC的产品。

"5"代表是SDRAM。

第1、2个X代表容量。

第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。

当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。

由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4或5个X代表Bank。

"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。

第5个X，如为"1"代表LVTTL。

如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPII封装。

-A后的XX是代表速度：80：8ns［125MHz］10：10ns［PC100 CL 3］10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。

12：12ns70：［PC133］75：［PC133］速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。

其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。

估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。

例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。

3.TOSHIBA东芝。

TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：TC59S XX XX X FT X-XXTC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAM系列。

其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。

第1、2个X代表容量。

64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。

目前常见的为"B"。

FT为TSOPII封装。

FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：75：7.5ns［133MHz］80：8ns［125MHz］10：10ns［100MHz CL=3］例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

二.韩国产系列：韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。

1.SEC［Samsung Electronics］三星。

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。

"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。

方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。

2为2个Bank，3为难个Bank。

"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

"T"为TSOP封装。

速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。

"G/F"后的X代表速度：7：7ns［143MHz］8：8ns［125MHz］H：10ns［PC100 CL2或3］L：10ns［PC100 CL3］10：10ns［100MHz］例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit［16*4］，16，4个Bank，在100MHZ 时CL=2。

三星公布的标准PC133芯片：Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GARegistered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA2.HYUNDAI现代现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。

现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。

经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。

而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。

编号BTC 的SDRAM上133MHz很稳定。

66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX -XXHY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：16：16Mbits，4K Ref。

64：64Mbits，8K Ref。

65：64Mbits，4K Ref。

128：128Mbits，8K Ref。

129：128Mbits，4K Ref。

256：256Mbits，16K Ref。

257：256Mbits，8K Ref。

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。

是2的幂次关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL［Low Voltage TTL］接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：JC：400mil SOJTC：400mil TSOP-IITD：13mm TSOP-IITG：16mm TSOP-II最后几位为速度：7：7ns［143MHz］8：8ns［125MHz］10p：10ns［PC-100 CL2或3］10s：10ns［PC-100 CL3］10：10ns［100MHz］12：12ns［83MHz］15：15ns［66MHz］例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表CL=3的PC-100。

需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。

-8的性能要好于-7K和-7J。

3.LGS［LG Semicon］LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。

LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。

其中10K是非PC100规格的，速度极慢。

7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。

而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。

现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。

而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。