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２００５０４００９ 检测化学机械抛光工艺终点的方法（英 文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，６８７２６６２ Ｂ１（２００５－ ０３－ ２９）
这是一种采用抛光板的温度梯度的变化来检测 化学机械抛光工艺终点的方法。该方法是将抛光板温 度 的 测 量 、标 准 大 气 压 和 数 字 分 析 相 结 合 ，来 描 绘 温 度梯度和抛光时间的关系曲线。ＣＭＰ 的终点是通过 曲线斜率的变化来检测的，该方法可以允许在线检测 抛光终点而不用停止抛光过程。
从废液中去除。同时有机和无机污染物通过光催化剂 上；一个第一抛光终点检测器，通过温度传感器的温
的光解作用分解，使得废液在环保标准范围内排放。 度变化来检测抛光终点，至少有一个温度传感器来检
测 抛 光 区 域（ 薄 板 ，抛 光 板 和 抛 光 液 ）的 温 度 ；第 二 个
２００５０４０１１ 化学机械抛光后从硅片上去除氧化硅皮 抛光终点检测器，它通过负荷电流，电压和载荷驱动
０２－ １７）
化 学 机 械 抛 光 的 水 分 散 体 包 括 ：（Ａ） 磨 粒 成 分 ；
化学机械抛光
（Ｂ） 一 种 至 少 是 喹 啉 羧 酸 或 吡 啶 羧 酸 的 成 分 ；（Ｃ）除 喹 啉 羧 酸 和 吡 啶 羧 酸 以 外 的 有 机 酸 ；（Ｄ） 一 种 氧 化
２００５０４００１集成电路上的铜层和 Ｔａ Ｎ 层的化学机械 抛 光 浆 料（朝 鲜 语）． ＫＲ Ｐ ａ ｔ，２００３０９２６０５ Ａ （２００３ － １２－ ０６）
这是一种晶片化学机械抛光前，能够预调节抛光 板的化学机械抛光设备和方法。该设备包括一个安装 有合适坯料的前调节支架。使用时，坯料压在旋转的 抛光板的抛光表面上，经过一定时间通过摩擦来增加 抛光表面的温度。这种前调节抛光板使得随后在该抛 光设备上抛光的半导体晶片的抛光率均匀。
６０ ２００５年第 ４ 期·第 ５ 卷 总第 ２３ 期
该化学机械抛光设备包括：一种由电动机带动旋
方法基本包括以下步骤：在含有铜离子和有机污染物 转的抛光台，上面有一个抛光扳；在抛光台上面安装
的废液中加入光催化剂颗粒，用紫外光或太阳光照射 一个通过驱动电机驱动的载荷头，在其底部安有一个
废液使得铜离子沉积在光催化颗粒表面。这样，铜离子 薄板；一个抛光液输送器可以将抛光液送到抛光台
２００５０４０１７ 用电解和化学机械抛光方法在硅片的校 正标志上去除沉积物的方法和仪器（中文）． ＴＷ Ｐ ａ ｔ， ５８３３５０ Ｂ（２００４－ ０４－ １１）
这是一种用于电解带有校正标志的硅片上的金 属的电解装置，它包括：装有电解液的电解槽；两个电 极，一个连接电解槽，另一个接地；电极探针的一端连 接 其 中 的 一 个 电 极 ，另 一 端 与 电 解 槽 相 邻 ，并 且 与 作 为正极的硅片校正标志相连，以去除覆盖在校正标志 上的金属。
与方法。抛光浆料配方为：（ａ）一种液体介质，最好是 （２００５－ ０３－ ３１）
水 ；（ｂ）一 种 磨 料 ；（ｃ）纯 粘 土 和 任 意 一 种 添 加 剂 ，例 如
该抛光液包括粒径为 １００￣５００ μｍ 的粒子，７０％
（ｄ）化学促进剂或氧化剂；（ｅ）一种络合剂或偶联剂，该 以上的颗粒粒径为 ２１２￣４２５ μｍ 的颗粒。这种抛光液
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专利
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的金属、玻璃、陶瓷和（或）玻璃陶瓷颗粒，以防止这些 颗粒回到表面。同时介绍了采用上述浆料使 ＮｉＰ，玻 璃，陶瓷或玻璃陶瓷表面整平或抛光的方法。
集锦
２００５０４００４ 化学机械抛光的水分散体系以及化学机 械抛光方法（英文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０３７６９３ Ａ１（２００５－
该抛光板包括：一种不溶于水的基体和分散在该
基四唑的任意一种抗氧化剂。鳌合剂最好是甘氨酸， 基体材料中的溶于水的颗粒，一个抛光面和与它相对
亚氨基二乙酸，氮川三乙酸及其盐类，而抛光剂可以 的非抛光面。并且从抛光面到非抛光面有一个光导区
是 Ａｌ２Ｏ３， ＳｉＯ２， ＺｒＯ２，ＣｅＯ２， ＴｉＯ２。
域。光导区域的非抛光表面的粗糙度为小于 １０ μｍ。
可以避免低 ｋ 抛光介质膜的分层与损伤。切变应力测量 １０￣５０００ ｍｇ／Ｌ 的三亚甲基磷酸。这种抛光液还可以
体系包括一个传感器磁盘和一个或多个负载单元。
选择含有一种 ｐＨ 值控制剂。
２００５０４０１３ 半导体晶片化学机械抛光板的预调节仪 器与方法 （英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０５１２６６ Ａ１ （２００５－ ０３－ １０）
２００５０４０１４ 化学机械抛光的抛光板及其制造（日文）． Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ，２００５０７４６１４ Ａ２（２００５－ ０３－ ２４）
这种表面经过显微加工的抛光垫是由以下方法 制 造 的 ：（１）显 微 成 型 方 法 ；（２）显 微 起 伏 成 型 法 ；（３） 用未固化树脂通过显微花纹筛板来印制抛光板衬底 以形成初加工产品，然后固化该产品。这种抛光板适 合于半导体，ＬＣＤ 玻璃，光学产品，硬盘和磁头生产 等。
器件的生产中去除抛光后晶片上的氧化硅皮。
该专利提供了一种金属层的化学机械抛光液。它
能够抑制 Ｈ２Ｏ２ 的水解，保持了 Ｈ２Ｏ２ 的组成浓度并且 ２００５０４０１２ 具有切变应力测量的化学机械抛光 （英 具有连续的抛光速度。该抛光液包括：去离子水，抛光
文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，６８６９４９８ Ｂ１（２００５－ ０３－ ２２）
该专利介绍了一种能够去除铜的氧化层而不使 邻近的 ＴａＮ 层磨损的液体抛光浆料，该抛光浆料包
剂。其中成分（Ｂ）与成分（Ｃ）的质量比为 ０．０１￣２．００，而 ＮＨ３ 的成分浓度小于 ０．００５ ｍｏｌ／Ｌ。采用这种化学机械 抛光的液体分散系统，对不同的加工表面层都具有很 高的抛光效率，同时能够得到高精密度的整平抛光表 面。
个相邻碳原子分别连接的羟基的多元醇，强酸（如：硫 测抛光终点。
酸 ），０～９％ 质 量 分 数 的 憎 水 有 机 溶 剂 （如 ：甲 苯 ），含 水
量小于 ５％质量分数且不含金属离子。利用该试剂的 ２００５０４０１６ 化 学 机 械 抛 光 液 （ 朝 鲜 语 ）．ＫＲ Ｐ ａ ｔ，
方法亦属于本专利的权力要求范围，它适合在半导体 ２００３０８７２２７ Ａ（２００３－ １１－ １４）
这是一种用于集成电路的生产中去除金属，特别 是抛光贵金属表面的浆料。这种浆料由过碘酸、磨料 和一种缓冲剂体系组合形成，其 ｐＨ 值为 ４～８。
该专利介绍了计算机存储器磁盘的生产中用于 ２００５０４００８．含 有 固 态 过 硫 酸 盐 的 化 学 机 械 抛 光
整平或抛光 ＮｉＰ，玻璃，陶瓷 或 玻 璃 陶 瓷 表 面 的 配 方 （ＣＭＰ ） 抛 光 液 （ 日 文 ）．Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ ２００５０８５８４１ Ａ２
剂 ，Ｈ２Ｏ２，柠 檬 酸 ，聚（丙 烯 酸 钾 ），硝 酸 亚 铁 ，水 解 缓 蚀
这是一种采用了切变应力测量系统的化学机械 剂。抛光剂可以从二氧化硅、氧化铝、氧化铈和二氧化
抛光体系。抛光参数（如：抛光压力）能够随着测定的切 钛中选择，抛光剂的加入量为抛光液总重量的 ３％～
变应力而调节。例如：增加压力可以避免打滑，降低压力 ２５％。 水 解 缓 蚀 剂 为 １０￣５ ０００ ｍｇ／Ｌ 的 磷 酸 或 者 是
２００机 械 抛 光 设 备 （ 英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，
方法（英文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０７２７４２ Ａ１（２００５－ ０４－ ０７） ２００５０４８８７５ Ａ１（２００５－ ０３－ ０３）
含铜的化学机械抛光（Ｃｕ－ＣＭＰ）废液的光化学处理
括：（ａ） ０．２％￣１５％质量分数的金属氧化物抛光磨料； ２００５０４００５．化学机械抛光板以及化学机械抛光方法
（ｂ） ０．５％￣１０％质量分数的 Ｈ２Ｏ２ 氧化剂；（ｃ）０．２％￣５．０％ （英文）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０１４３７６ Ａ１（２００５－ ０１－ ２０）
质量分数的鳌合剂（羧酸胺类）；（ｄ） 苯并三唑和 ５－ 氨
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该专利研究了用离子减薄和化学机械抛光削减
到使基体表面抛光的目的。该方法包括：（１）设立抛光 结束时间，也就是在基体表面上去除预计厚度的目标 材料的时间；（２）抛光该基体以去除目标材料；（３）在抛 光过程中，增加抛光板上的副产品污染物的水平，从
ＭＲ 传感 器 附 近 的 不 均 一 性 以 形 成 只 读 转 换 器 的 方 法。抗蚀剂掩模在只读转换器形成过程中被消除，从 而只读转换器邻近的膜的厚度一致。
的 试 剂 与 方 法 （ 日 文 ）．Ｊ Ｐ Ｐ ａ ｔ，２００５０８２６３３ Ａ２ 电机的电阻变化来检测抛光终点。代替上述这第二抛
（２００５－ ０３－ ３１）
光终点监测器，也可以使用一种光学信号抛光终点监
该试剂包括：含有在 ２～４ 个碳原子的链烷上与两 测器，它通过检测照射到薄板上的光和反射的光来检
２００５０４００２ 化 学 机 械 抛 光 方 法 （ 英 文 ）．ＵＳ Ｐ ａ ｔ， ２００５０７ － ００９１ Ａ１（２００５－ ０３－ ３１）
这种化学机械抛光的方法是，采用一种含有浆料 的抛光垫研磨在基体表面上形成的目标材料，从而达
２００５０４００６ 采用离子减薄和化学机械抛光削减 ＭＲ 传感器附近的不均一性以制备只读转换器的方法（英 文）． ＵＳ Ｐ ａ ｔ，２００５０６７３７２ Ａ１（２００５－ ０３－ ３１）
络合剂或偶联剂能跟抛光过程中去除的 ＮｉＰ、玻璃、 可于半导体器件制造中的化学机械抛光。具体地说，
陶瓷和（或）玻璃陶瓷材料进行化学的或离子的络合 含有过硫酸铵和硅胶的溶液被用作铜膜 ＣＭＰ 的抛光
或偶联。并且该络合剂或偶联剂携带抛光过程中去除 液。
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