二.复习题
1.结合实验二的内容，通过简述LEDIT绘制NMOS晶体管的主要步骤，描述
其工艺分层结构。
2.什么是掩膜版，掩膜版如何实现CMOS工艺分层？
第三章器件
一．基本概念
1.耗尽区
2. MOS晶体管分类及导通原理
3. MOS晶体管工作区域
4. MOS晶体管等效电阻
5. MOS管电容模型
二．基本公式及计算
4.相关计算题。
第四章导线
一．基本概念
1.导线的寄生参数
2.导线寄生电容的产生原理
3.导线集总本公式及计算
1.导线的集总RC模型分析
2. Elmore延时计算公式
3.导线的分布rc模型分析
三、复习题
1.简述集总RC模型和分布rc模型。
2.简述传输线模型和分布rc模型之间的区别。
4.反相器链的延时
5.反相器功耗的计算
6.最优电源电压的计算
三、复习题
1.分析反相器在不同工作状态下，PMOS和NMOS分别处在的工作区域，并
画出VTC曲线图示说明。
2.反相器功耗由哪几部分组成？分析说明减小反相器功耗的主要手段。
3.相关计算题。
3. Tanner中包含哪些主要的工具？分别完成什么功能？
4.简述扇入和扇出的概念；当增大驱动门的扇出时，对该驱动门的动态性能
有何影响？试分析说明。
第二章制造工艺
一.基本概念
1.阱
2.衬底
3. PMOS NMOS CMOS
4.有缘区
5.光刻
6.掩膜版
7.简化的CMOS工艺流程
8. CMOS集成电路的工艺分层结构
3.假设信号源内阻为零，分析不同负载阻抗条件下传输线响应。
4.相关计算题。
第五章CMOS反相器
一．基本概念与基本原理
1.反相器的基本工作原理
2.反相器的基本指标
3.开关阈值
4.本征电容
5.等效扇出
二．基本公式与计算
1.开关阈值的计算、开关阈值与PMOS对NMOS尺寸比的关系
2.噪声容限、增益的计算
3.传播延时的计算
数字集成电路设计期中考试复习提纲
第一章绪论
一、基本概念
1.摩尔定律
2.数字集成电路的抽象层次划分
3.数字集成电路的基本设计流程
4.电压传输特性
5.再生性
6. DRC
7. LVS
二、基本计算
1.芯片成品率的计算
三、复习题
1．根据实验一的内容，简述数字集成电路设计的基本流程。
2．简述数字集成电路设计的抽象层次。
1.二极管电流公式
2.二极管手工分析模型及简单电路分析
3.二极管节电容计算公式
4. MOS管手工分析模型
a) MOS管漏极电流公式（MOS管工作区域的判断）
b) MOS管沟道电容计算公式
三．复习题
1. MOS管的工作区域是怎么划分的？简述各个工作区域的工作原理。
2. MOS管的电容由哪几部分组成？
3.简述MOS管在不同工作区域下沟道电容的变化情况。