ic hfeib hoeuce
hre与hoe一般比较小，可忽略不计
b ib
+
ube
rbe
+
_ hreu_ce
ic c
ib
+
1/hoe uce
e
_
晶体管微变等效简化电路
b ib
+
ube rbe
_
e
ic c
+
β ib
uce
_
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
图中
rbe
hie
rbb'
(1
)
2. 晶体管及放大电路基础
2.4 放大电路的动态分析 2.4.1 图解法 2.4.2 微变等效电路法 2.4.2.1 晶体管的微变等效电路
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
2.4.2.1 晶体管的微变等效电路 ib NPN 型 或 PNP型 ic
1．晶体管的H参数微变等效电路 +
c+
（1） 晶体管线性化的条件： 电路工作在小信号状态。
IEQ (mA)
uBE uBE rbe的量级从几百欧到 2~4 kΩ。
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2. 晶体管及放大电路基础
VCC
ui
RB
C1
RC
C2
T
RL
uo
ui
放大电路的微变等效电路
ib
T
bc
ic
RB rbe
ib
RC
RL uo
T
e
ui RB
u RC RL o
•
交流通路
模拟电子技术
谢 谢！
模拟电子技术
rbe
ube ib
rbb' (1 )rb'e
Je
rD
UT ID
Jc
rb'e
UT I EQ
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
当信号很小时，将输入特性在小范围内近
似线性。
rbe
ube ib
对输入的小交流信号而言，
iB iB
三极管相当于电阻rbe。
rbe
rbb'
(1
)
UT I EQ
300 (1 ) 26(mV)
iB 0
iB IBQ
ΔuCE ΔuBE uBE
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2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ic ΔiC
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce 式中
hf e
iC iB
Uce 0
iC iB
uCE 0
ib2
ΔiB ib1
uCE
uce
模拟电子技术
ube
晶体管
b
uce
–
e
–
（2）晶体管可线性化的主要依据：
a. ΔiB与 Δ uBE 之间具有线性关系
b. β 值恒定
等效图
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
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2. 晶体管及放大电路基础
晶体管线性等效电路的H参数描述
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
iB iB
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中
hie
uB E iB
Uce 0
uB E iB
UCE 0
uBE uBE
模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中
hre
uB E uCE
Ib
0
uB E uCE
2. 晶体管及放大电路基础
ib
ic
+ 线性 +
ube
uce
– 网络 –
ic Δic
ube hieib hreuce
ic hfeib hoeuce
式中 hoe
iC uCE
Ib
0
iC uCE
iB 0
ΔuCE
uce
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2. 晶体管及放大电路基础
ube hieib hreuce
由
可画出等效电路
UT I EQ
称为晶体管的交流输入电阻
式中
称为晶体管的基区体电阻
， UT —热电压 在室温（T=300K)时
ib NPN 型 或 PNP型 ic
b ib
ic c
+
c
ube
晶体管
b
–
e
++ uce uberbe
–
_
e
+β ib来自uce_模拟电子技术
2. 晶体管及放大电路基础
交流输入电阻的计算：
ube ibrbb' (1 )ibrb'e