电子技术考试试题
一、填空题(每小题2分,共20分)
1.PN结反向偏置时,PN结的内电场被___________________。
2.共射放大电路,将IEQ增大,Tbe将_____________________。
3.集成功放LM368,共有引脚__________________________个。
4.在构成电压比较器时集成运放工作在开环或_________________________状态。
5.当f=时,RC串并联选频网络的F相位角为__________________。
6.BCD编码中最常用的编码是_______________________。
7.当三态门的控制端__________________时,三态门的输出端根据输入的状态可以有高电平和低电平两种状态。
8.四位二进制异步减法计数器有________________________个计数状态。
9.在A/D转换器中,常以最大误差与输入全量程模拟电压的比值来表示______________。
10.只读存储器的类型有固定ROM、_________________和EEPROM三种。
二、单项选择题(每小题2分,共24分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
11.在本征半导体中掺入()
①3价元素②4价元素③5价元素④6价元素
12.带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce,后其电压放大倍数()①减小②增大③不变④变为零
13.场效应管放大电路的输入电阻,主要由()决定
①管子类型②gm ③偏置电路④UGS
14.串联负反馈放大电路的输入电阻是无反馈时输入电阻的()
①1+AF倍②1/1+AF倍③1/F倍④1/AF倍
15.反相比例运算电路的一个重要特点是()
①反相输入端为虚地②输入电阻大
③电流并联负反馈④电压串联负反馈
16.文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数()才能满足起振条件
①为1/3时②为3时③>3 ④>1/3
17.下列数据中,数值最小的数据为()
①(12)i6 ②(21)S
③(10011)2 ④(16)10
18.对CMOS与非门的多余输入端可以处理为()
①悬空②接正电源③接地④接10K电阻到地19.设集成十进制加法计数器的初态为Q4Q3Q2Q1=1001,则经过5个CP脉冲以后计数器的状态为
①0000 ②0100 ③0101 ④1001
20.集成单稳态触发器的暂稳维持时间取决于()
①触发脉冲宽度②电源电压
③外接定时电阻电容④稳态时间
21.D/A转换器的主要参数有精确度、转换时间和()
①分辨率②输入电阻③输出电阻④参考电压
22.哪种器件中存储的信息在掉电以后即丢失()
①静态RAM ②EPROM ③EEPROM ④PAL
三、判断题(正确在后面画T,错误的在后面画F,每题1分,共20分)
1、实验室中的交流电压表及毫安表测量的均是交流电压、电流的有效值。
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2、各种电机、电器的铁芯都是易磁化、易去磁的软磁性材料制做的。
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3、实际负载上的电压、电流方向都是关联方向。
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4、放大电路中的静态工作点选择过高,易使放大信号出现饱和失真。
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5、接零保护和接地保护都可以用于中性点接地的供电系统。
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6、铁磁性材料之所以具有高导磁性,是因为其内部具有磁畴结构。
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7、PNP管的放大电路中,集电极电位最低,发射极电位最高。
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8、具有“有1出1,全0出0”功能的门电路一定是或门。
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9、叠加定理只适用于直流电路,不适用于交流电路。
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10、防磁手表的外壳应用逆磁性材料制做。
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11、三相异步电动机缺相起动时,一定会出现堵转现象。
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12、本征半导体中掺入微量杂质后,其导电能力大大提高。
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13、三相异步电动机的调速性能很好,基本上可实现无级调速。
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14、用单相功率表测电功率时,应把功率表串接在待测电路中。
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15、将照明负载连接成三相对称时,可以不要中线。
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16、用万用表测试晶体管极性或好坏时,应选择欧姆挡1K或10K量程。
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17、任何类型的晶体管都不允许工作在反向击穿区。
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18、PNP管的放大电路中,集电极电位最低,发射极电位最高。
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19、晶体管和场效应管内部都是由两种载流子同时参与导电的。
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20、电路中两点电位都很高时,其两点间电压也一定很大。
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四、简答题(每小题8分,共24分)
21.简述影响放大电路频率特性的主要因素。
22.简述负反馈对放大电路性能的影响。
23.请叙述三种判断发光二极管极性的方法。
五、计算题(共12分)
26.已知X=X2X1X0代表三位二进制数。
设计一个组合电路,当X≥3时输出Y=1,当X <3时输出Y=0。
要求:
(1)列出真值表;
(2)求Y的最简与或表达式;(3)完全用非门画出电路图。