2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切 割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出， 造成线痕。 表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发 亮，较其它线痕更加窄细。 3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够 或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕 区域。 表现形式： （1）硅片整面密集线痕。 （2）硅片出线口端半片面积密集线痕。 （3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。 （4）部分不规则区域密集线痕。 （5）硅块头部区域密布线痕。
电阻率:是指单位体积的材料对于两行平行面垂直通过的电 流的阻率，符号为P，单位为欧/CM 受铸锭工艺影响检测方式机器检测
少子寿命：又叫少数载流子寿命是指晶体中非平衡载流子由 产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数流子浓 度衰减到起始值的所需时间。又称少数载流子寿命，体寿命。 受铸锭工艺影响检测方式机器检测
1.喷涂目的 坩埚喷涂用纯水把粉末喷涂氮化硅（氮化硅分子式为 Si3N4,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质， 本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其它 无机酸反应，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。而且它还能 抵抗冷冲击，有空气中加热到1000 ℃以上，急剧冷却再 急剧加热，也不会碎裂。）涂喷在坩埚表面，在加热作用 下，使液态氮化硅均匀的吸附坩埚表面，形成粉状涂层， 涂层目的是保护石英坩埚在高温下石英坩埚与硅隔离，使 液态硅不与石英坩埚反应，而使石英坩埚破裂，及冷却后 最终保证硅锭脱模完整性。 2.坩埚装料 检验坩埚按光源标准要求区分喷涂等级面，所有等级 面涂层应没有材露底剥离等缺陷，所有表面应无起泡、龟 裂、桔皮、针孔等不良现象，在眼睛距等级面的标准处以 3m/min速度扫视检查„ „
目的
将空间腾出来活用 不浪费时间找东西 消除脏污，保持干 净
通过制度化来维持 成果
成为对任何工作都 持认真态度的人
SAFETY
SAVE
安全
节约
略略Leabharlann 7S的实施1、人人参与、从我做起，从身边的小事做起 2、建立有关7S的规章制度，明确具体要求 3、公司将进行7S工作监督，定期检查，督促 7S的实施情 况 4、加强7S的宣传培训，不断扩大加深7S的内涵，提高实施 效果
边缘、硅落、崩边、缺角等都是硅片外观缺损的表现，只是出现的地 方和大小深度有所区别。 边缘：边缘片容易出现在沾胶面，表现为轻微的发亮点。 硅落：硅落也容易出现在边缘，但不单单独出边缘，硅落形成的原因 主要有2方面一是切片和砂浆的工艺问题二是操控作业中的人为因素。 表现：硅片表面有硅脱落但没有现在缺角。视觉效果有光亮点。 崩边、缺角：这种现象属于严重的外观问题。硅片的缺损的大小可以 简单理解小的叫崩边，大的叫缺角。 表现：硅片表面（大多出现在边缘）出现缺损现象。有明显视觉感。 穿孔：出现在中间的缺损称为穿孔。 微晶：在1cm的晶粒超过5个即被定义为微晶，其最大面积小于1cm。
清洗工艺包括太阳能电池生产过程中，铸锭前硅料的清洗，其 目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而提高硅片生产的质量。 根据污染物产生的原因，大致可将它们分为颗粒、有机物杂 质、金属污染物三类。 （1）颗粒：硅粉、氮化硅粉、灰尘、细砂。 （2）有机物杂质：它在硅料上以多种方式存在，如人的皮肤 油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物质通常都会对加 工进程带来不良影响。 （3）金属污染物：它在硅料上以范德华引力、共价键以及电 子转移等三种表面形式存在。对铸锭的少子寿命产生很大的影 响。
多晶硅锭的制备工艺主要包括定向凝固法及浇铸法。 定向凝固法是将硅料放在坩埚中熔融, 然后将坩埚 从热场逐渐下降或从坩埚底部通冷源,以造成一定的温度 梯度, 固液界面则从坩埚底部向上移动而形成晶锭。 浇铸法是将熔化后的硅液从坩埚中导入另一模具中 形成晶锭。后者受热场影响，且难以控制，目前广泛采 用的是定向凝固法。
一、外观不良 外形、线痕、硅落、崩边、边缘、微晶、孪晶、应力、脏污、 隐裂、穿孔等 二、性能不良 电阻率、少子寿命、TTV（厚薄不均）、WARP（翘曲度）、碳 氧含量等
分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线 痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下： 1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中 无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。 表现形式： （1）线痕上有可见黑点，即杂质点。 （2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即 一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。 （3）以上两种特征都有。 （4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线 弓。
多晶硅的定义 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝 固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶 核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶 成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅 的差异主要表现在物理性质方面； 例如： 在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远 不如单晶硅明显； 在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅 显著，甚至于几乎没有导电性。 在化学活性方面，两者的差异极小。 多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须 通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
项目
整理 整顿 清扫 清洁 修养
含义
区分有用和无用的，把无用 的物品清理掉 不断调整现有物品，使之精 干、有用 使废物清除，环境物品整洁 维持、巩固清扫结果 以自身的文明行为和内在气 质提升自己，影响他人
清除隐患，排除险情，预防事故 的发生
对时间、空间、能源等方面合理 利用，以发挥它们的最大效能， 从而创造一个高效率的，物尽其 用的工作场所
原料清洗 硅锭检测
多晶铸锭 切除两端面
粘附铸锭 倒角
切割铸锭 研磨
光锭检测
硅片插入 硅片包装 →
硅锭粘胶
硅片清洗 成品出货
线切割制程
硅片外观检查
脱胶
硅片性能 测试
硅gui（台湾、香港矽xi）是一种化学元素，它的化学符 号是Si，旧犯法矽。原子序数14，相对原子质量28.09， 有无定形和晶体两种同素异形体，同素异形体有无定形硅 和结晶硅。属于元素周期表上1VA族类的金属元素。 硅在地壳中的含量是除氧外最多的元素。如果说碳是组成 一切有机生物的基础，那么硅对于地壳来说，占有同样的 位置，因为地壳的主要部分都是由含硅的岩石层构成的， 这些岩石几乎全都是由硅石和各种硅酸盐组成。
孪晶：在晶体中晶体是两部分，彼此呈镜象对称的晶体结构。连接两 部分的界面称为孪晶或孪晶界面。
隐裂：隐裂是指硅片表面出现不贯穿的隐形裂纹。个人觉得 出现主要有2个原因 第一，是硅锭本身的缺陷，如退火不充分，晶体内部 位错密 度太大； 第二，是引入外力造成的缺陷，如切片时产生了过大 的机械应力 表现：硅片出现隐裂，视觉效果没有明显效果。可以通过机 器检测。 面前行业人工检验方法有蒸气法，通过硅片表面蒸气 可看到隐裂的裂纹。 脏污：脏污指硅片表面用清洗剂洗不去的表面脏污。主要有 手指印油渍等。造成原因主要是切片后清洗不干净和后道工 序的人为操作。
生产环境是指产品生产活动所必需具备的空间和物 质条件
生产环境对产品生产的影响
a、直接对产品造成污染，影响产品的性能、成品率、可 靠性及寿命； b、影响操作工人的工作情绪及设备仪器的正常工作，进 而影响产品的质量、成品率和生产效率。
7S简介：
日文
SEIRI SEITON SEISO SEIKETSU SHITSUKE
4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物 或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧， 以及托板螺丝松动，而产生的线痕。 5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线 痕。 表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿 整片硅片。 错位线痕和边缘线痕的表现和上诉的1-3线痕大体相似 不过大多出现在硅片的边缘。 6、台阶性线痕：台阶的出现，是由切片过程中的钢线跳线 引起，而导致钢线跳线的原因，包括设备、工艺、物料等各 方面的问题 表现形式：在硅片的表面出现严重的厚度差异直接的线 痕，和其他线痕相比更有明显的手感和视觉感。
TTV解释：基片上最大厚度与最小厚度之差，主要表示同一 片基片厚度的均匀性，这个参数越大表示切割质量越差说明 硅片厚薄不均匀，切割工艺差。 主要形成原因是硅片的线加工工艺和砂浆影响 简单来说就是硅片的平整度。人检有手感，居然厚度变化 需机检 WARP翘曲度：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离 的差值。 翘曲度是晶片的体性质而不是表面特征。 可以用塞规进行检测