4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。

（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。

3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。

4．图解分析法适用于 大 信号情况。

5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。

（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。

6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。

回答以下问题。

（1）这种失真是 B 失真。

（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。

（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。

R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。

（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。

（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。

10．共漏极放大电路无电压放大作用，v o 与v i 同 相位。

11．共栅极放大电路v o 与v i 反 相位。

12. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路 低 ，输入电阻 高 。

13. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题13所示，说明下列场效应管可以采用哪些类型的偏置电路。

（1）结型场效应管可以采用图示电路中的 b 、d ； （2）增强型MOS 场效应管可以采用图示中的 c 、d ；（3）耗尽型MOS 场效应管可以采用图示电路中的 a 、b 、c 、d 。

(a )DD V C 1R gR dC 2( b )DDV C 1R gR dC 2( c )DD V C 1R dC 2R sC sR g1R g2( d )DD V C 1R dC 2R g1R g2R sC sv iv iv iv i v ov o v ov oVTVTVTVT图选择题1314．在共源组态和共漏组态两种放大电路中， A 的电压放大倍数vA 比较大，B 的输出电阻比较小。

B 的输出电压与输入电压是同相的。

（A ．共源组态，B ．共漏组态）15．在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响,应选用 阻容 耦合。

16．多级放大电路的电压放大倍数是各级电压放大倍数的 乘积 。

17．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是251 v A 、1002 v A 、403 v A ，则三级放大电路 v A 105折合为 100 dB 。

18．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是20dB 、25dB 、35dB ，则三级放大电路总增益为 80 dB ，折合为 104倍。

19．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的 负载电阻 ，而前一级的输出电阻可视为后一级的 信号源内阻 。

20．两个单管放大电路如图选择题20（a ）、（b ）所示。

令（a ）图虚线内为放大电路Ⅰ（b ）图虚线内为放大电路Ⅱ，由它们组成的阻容耦合多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，在典型参数范围内，就下列问题在图（c ）、图（d ）、图（e ）中选择一个（或几个）填空：（1）输入电阻比较大的多级放大电路是 c 、e ； （2）输出电阻比较小的多级放大电路是 d 、e ； （3）源电压放大倍数s v A 值最大的多级放大电路是 e 。

(c)(d)(e)+V v oo图选择题2021. 多级放大电路如图选择题21所示。

试选择正确的答案填空：T 1构成 A 放大电路组态；T 2构成 C 放大电路组态；T 3构成 B 放大电路组态。

（A ．共射， B ．共集， C ．共基）图选择题2122．在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适的一种或几种填空。

（A ．阻容耦合，B ．直接耦合，C ．变压器耦合） （1）要求各级静态工作点互不影响，可选用 A C ； （2）要求能放大变化缓慢的信号，可选用 B ； （3）要求能放大直流信号，可选用 B ；（4）要求电路输出端的温漂小，可选用 A C ；（5）要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 C 。

23. 试判断图选择题23中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合管中进一步判断它们的等效类型。

从括号内选择正确答案用A 、B 、C …填空，管①是 B ；管②是 E ；管③是 A ；管④是 C ；管⑤是 E 。

(A ．NPN 管，B ．PNP 管，C ．N 沟道场效应管，D ．P 沟道场效应管，E ．错误的）图选择题2324.图选择题24中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。

要求等效PNP型，应选择 B、C ；要求等效输入电阻大，应选择 A、B 。

图选择题24二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√）。

有源器件是指：为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。

2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（×）3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。

（×）4. 放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的电路状态。

（×）（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。

（√）（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。

（×）（4）输入信号为直流时的电路状态。

（×）5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。

（×）6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。

（×）7．晶体管的输入电阻r be是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（×）8．在共射放大电路中，当负载电阻R L减小，电压放大倍数下降，（√）输出电阻也减小。

（×）9．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

（×）10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：（1）电压放大倍数接近于1，负载R L 是否接通关系不大； （ √ ） （2）输出电阻比2k 小得多，（ √ ）与晶体管的β大小无关；（ × ）（3）输入电阻几乎是be r 的β倍。

（× ）R L 2k图判断题1011．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。

（ √ ） 12. 在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减小。

（ × ）13．MOS 场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS 管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大 （ × ）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（ √ ），输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。

（ × ）15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大（ √），输出电阻也很大。

（ × ）16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（ √ ），所以不能实现功率放大。

（ × ） 17．场效应管的跨导g m =I DQ /V GSQ （ × ）还是m g ＝D I /GS V 。

（ √ ）18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。

（ × ） 19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。

（ × ） 20．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。

（ √ ） 21．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。

（ √ ） 22．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。

（ √ ） 23．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。

（ √ ） 24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。

（ √ ）25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

（×）26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：（1）输入级采用共集组态放大电路。

（√）（2）输入级中的放大管采用复合管结构。

（√）（3）输入级中的放大管采用场效应管。

（√）27．复合管的β值近似等于组成复合管的各晶体管的 值乘积。

（√）28．一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP管。

（√）习题定性判断图题中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。

图题解：（a）不能放大，输入回路无偏置电压（b）能放大（c）不能放大，V CC极性不正确。

放大电路及晶体管输出特性如图题所示。

按下述不同条件估算静态电流I BQ（取V7.0BEV）并用图解法确定静态工作点Q（标出Q点位置和确定I CQ、V CEQ的值）。

（1）V CC＝12V，b150R k，c2R k，求Q1；（2）V CC＝12V，b110R k，c2R k，求Q2；（3）V CC＝12V，b150R k，c3R k，求Q3；（4）V CC＝8V，b150R k，c2R k，求Q4。

L图题解： bBECC BQ R V V I，作出各种情况下直流负载线c CQ CC CE R I V V ，得Q 点见下图 CE（1）Q 1：I BQ ≈75μA， I CQ ≈4mA ， V CEQ ≈4V （2）Q 2：I BQ ≈100μA， I CQ ≈， V CEQ ≈. （3）Q 3：I BQ ≈75μA， I CQ ≈， V CEQ ≈ （4）Q 4：I BQ ≈49μA， I CQ ≈， V CEQ ≈3V某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题所示，设晶体管的V BEQ ＝，电容对交流信号可视为短路。