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磁谱和磁损耗机制——中南大学
铁磁体
磁化率为很大的正变数,约为10 ~ 106数量级
亚铁磁体 类似铁磁体,但磁化率没有铁磁体那样大
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一、基本概念
M 铁磁性材料 亚铁磁性材料
顺磁性材料 反铁磁性材料 0 抗磁性材料 H
五类磁体的磁化曲线
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一、基本概念
(1)抗磁性
外加磁场所感生的 轨道磁矩改变
• 3、磁后效应 • 处于外磁场为Ht0的磁性材料,外磁场突然阶跃变化到Ht1, 则磁性材料的磁感应强度并不是立即全部达到稳定值,而 是一部分瞬时到达,另一部分缓慢趋近稳定值,这种现象 称为磁后效应(magnetic elastic after effect)。
(a)图表示外磁场从t0时的Hm阶跃到 t1的H值,磁性材料B值的变化; (b)图表示外磁场从t0时的H值,阶跃 到t1的Hm值时,磁性材料B值的变化。
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一、基本概念
•在动态磁化过程中,为表示交变场中B和H的关系,引入复 数磁导率的概念,用它来同时反映B和H之间的振幅和相位的 关系,表达式:
•将B和H用复数形式表示:
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一、基本概念 •则相对磁导率
•所以
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一、基本概念
• 均匀交变场中铁磁体在单位时间单位体积内的平均能量损 耗为
• 可见,正是由于磁感应强度B落后于外场H,才引起介质 对外场能量的损耗,且磁损耗功率与复数磁导率的虚部成 正比。
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一、基本概念
• 而磁介质内部储存能量的密度为
•
即在交变场中磁介质储藏的能量密度与复数磁导率的实 部成正比。
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二、磁性材料的磁谱
• 磁谱的广义定义是指物质的磁性(顺磁性及铁磁性)与磁 场频率的关系。磁谱的狭义定义则仅仅是指铁磁体在弱交 变磁场中复磁导率实部和虚部随频率变化的关系。
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二、磁性材料的磁谱
•根据铁氧体材料的磁谱曲线的形状和在不同频率范围内具有 的不同特征和主要的磁谱机理,可以把磁谱曲线分为五个区 域: (1)低频区域(f<104Hz) 在低频区,u'较高,u"较低,二者的谱线都比较平缓,引起 损耗的机理主要是磁滞和磁后效引起的剩余损耗; (2)中频区域(104Hz<f<106Hz) 中频磁谱一般也比较平缓,但有时会出现磁内耗(u"在温度 改变时出现峰值,与样品内部电子或离子的扩散机制有关)、 尺寸共振和磁力共振;
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三、磁性材料的磁损耗机制
• 由于由涡流所产生的抵抗磁通量变化的磁场,是从铁磁体 表面向内部逐渐加强的,使得中心处几乎完全没有磁场, 相当于把材料给屏蔽起来只在表面的薄层中有磁场,产生 趋肤效应。所以电磁波只能渗透到材料一定深度,当外加 磁场均匀时,内部的实际磁场仍是很不均匀的。 • 定义
一、基本概念
1/ p
O
T
1/ p
O
T
表示在某一个温度之上才显示顺磁性
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其中:C为居里常数,TP为顺磁性居里温度。
பைடு நூலகம்
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一、基本概念
郎之万顺磁性理论: 顺磁性物质的原子间无相互作用(类似于稀薄气体状 态),在无外场时各原子磁矩在平衡状态下呈现出混 乱分布,总磁矩为零,当施加外磁场时,各原子磁矩 趋向于H方向。
抗磁性是普遍存在的,它是所有物质在外磁场作用下 毫不例外地具有的一种属性,大多数物质的抗磁性因 为被较强的顺磁性所掩盖而不能表现出来。
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一、基本概念
郎之万抗磁性理论:
每个原子内有 z 个电子,每个电子有自己 的运动轨道,在外磁场作用下,电子轨道 绕 H 进动,进动频率为ω,称为Lamor (拉莫尔)进动频率。由于轨道面绕磁场 进动,使电子运动速度有一个变化△v,电 子轨道磁矩增加△μ,但方向与磁场相反, 使总的电子轨道磁矩减小。 总之,由于磁场作用引起电子轨道磁矩减小, 表现出抗磁性。
1
f
T>TC
Tc TP
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T
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一、基本概念
(5)亚铁磁性 内部磁结构与反铁磁性相同,但相反排列的磁矩 大小不等量。故亚铁磁性具有宏观磁性(未抵消的反 铁磁性结构的铁磁性)。 Χm>0 ,大小为1 ~103 实例:铁氧体。
O
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一、基本概念
• 2、磁畴 • 磁畴(Magnetic Domain)理论是用量子理论从微观上说明铁 磁质的磁化机理。 • 所谓磁畴,是指铁磁体材料在自发磁化的过程中为降低静 磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域,每个区域内 部包含大量原子,这些原子的磁矩都像一个个小磁铁那样 整齐排列,但相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不 同。 磁畴体积:10-12~10-8m3 每个磁畴所含原子数:1017~1021
磁性材料的磁谱与磁损耗理论
汇报人:贺龙辉 E-mail:hlh881219@
中南大学物理与电子学院
目录
• 一、基本概念 • 二、磁性材料的磁谱 • 三、磁性材料的磁损耗机制
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一、基本概念
1、物质磁性的分类
一切物质都具有磁性,任何空间都存在磁场, 只是强弱不同而已。 磁化率:材料的磁化强度M与外磁场强度H的比值。
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一、基本概念
• 铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的“交换耦合作用”, 使得在无外磁场作用时,电子自旋磁矩能在小区域内自发 地平行排列,形成自发磁化达到饱和状态的微小区域,这 些区域称为磁畴。
单晶磁畴结构示意图
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多晶磁畴结构示意图
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一、基本概念
•宏观物体一般总是具有很多磁畴,这样,磁畴的磁矩方向各 不相同,结果相互抵消,矢量和为零,整个物体的磁矩为零, 它也就不能吸引其它磁性材料。也就是说磁性材料在正常情 况下并不对外显示磁性。只有当磁性材料被磁化以后,它才 能对外显示出磁性。 •各个磁畴之间的交界面称为磁畴壁(Domain Walls)。 •在磁畴壁内原子磁矩的方向逐渐转变。根据原子磁矩转变的 方式,可将畴壁分为布洛赫壁和奈尔壁。
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一、基本概念 • 为什么磁化曲线不沿原路退回? • 由于磁畴壁移动的过程是不可逆的,即外 磁场减弱后,磁畴不能恢复原状,故表现 在退磁时,磁化曲线不沿原路退回,而形 成磁滞回线。
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一、基本概念
5、复数磁导率 •与电介质在外电场中会发生极化类似,磁介质在外磁场中会 被磁化。在交变磁场(振幅Hm,角频率ω)的作用下,由于 存在磁滞损耗、涡流损耗、磁后效、畴壁共振和自然共振等, 磁介质磁化状态的改变在时间上落后于外场的变化,需要考 虑磁化的时间效应,则振幅H和磁感应强度B可表示为 :
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三、磁性材料的磁损耗机制
• 在交变磁场中,磁性材料一方面会被磁化,另一方面会产 生能量损耗,导致热量的产生。磁损耗即是指磁性材料在 交变场作用下产生的各种能量损耗的统称。通常它包括以 下三个方面: • 1、涡流损耗 • 在交变磁场作用下,铁磁材料内磁感应强度也发生相应周 期性变化。根据电磁感应定律,磁感应强度的变化会在它 周围激发起垂直于磁感应强度的环形闭合感应电流,形成 涡流。涡流又将产生抵抗磁感应强度变化的磁场,阻止由 外磁场变化所引起的磁通量变化,削弱励磁磁场。因此导 体内的实际磁场和磁感应强度总要滞后于外加磁场,导致 磁化的时间滞后效应,成为相位差δ的来源之一。
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一、基本概念
• 日常经验告诉我们,永磁材料天长日久后剩磁会逐渐地变 小,即磁性随着时间的推移而变弱,这也是一种磁后效表 现形式,称为“减落”。 • 永磁材料的磁后效应遵从以下规律,即 • 式中,χd为微分磁导率,Sv为磁后效系数。由此式可见, 磁化强度的变化与时间的对数成正比,由此可求得时间从 0→∞磁化强度的变化。这一磁后效即为约旦磁后效。 • 应用上希望永磁材料能在较短时间内使磁化强度达到稳定 状态,而一般磁后效系数Sv是随温度的升高而变大,因此 常利用加热的办法来加速磁铁的老化,以便在较短的时间 内使磁铁达到稳定状态。
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一、基本概念
• 里希特(Richter)后效:是指为满足自由能最低要求,某些 电子或离子(包括空穴)向稳定位置作滞后于外加场的扩 散,使磁化强度M逐渐地趋于稳定值的后效,又称为扩散 磁后效。 • 约旦(Jordan)后效:是指磁化时磁化强度M先是达到某一亚 稳态,由于热涨落,M再滞后地达到新的稳态的后效,又 称为热涨落磁后效。它是一种不可逆的磁后效。
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一、基本概念
• 布洛赫壁的特点是畴壁内的磁矩转变时始终与畴壁平面平 行。 • 奈尔壁的特点是当铁磁体厚度减少到相当于二维的情况, 即厚度为1~100nm的薄膜时,畴壁的磁矩始终与薄膜表面 平行地转变。
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布洛赫壁(a)和奈尔壁(b)中磁矩过渡的方式
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一、基本概念
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二、磁性材料的磁谱
(3)高频区域(106Hz<f<108Hz) 在这个范围内,部分铁氧体的u'出现急剧下降,而u"急剧升 高或出现共振峰,这主要是存在畴壁弛豫或共振的原因; (4)超高频区域(108Hz<f<1010Hz) 超高频谱的特点是u'出现下降,u'-1可能出现负值,而且u"出 现共振峰值,这主要是由于自然共振引起的; (5)极高频区域(f>1010Hz) 自然共振区域,磁谱为自然共振谱的表现。
顺磁磁化过程示意图
(a)无磁场 (b)弱磁场 (c)强磁场
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