ECL
VCC
VOH
VOL
VIH
VIL
0V
≥-5.2V ≤-0.88V ≥-1.72V ≤-1.36V
电感，变压器，芯片， 发射天线
电容，浮件，晶振，发射 天线
电感耦合
公共 阻抗 耦合
电容 耦合
电阻耦合
变压器耦合 电感与线缆耦合 电容与线缆耦合 器件与线缆耦合 滤波输入与输出耦合 PCB平行耦合与相邻层耦合
Vi Vcc
ViH
ViL 0V
5V TTL器件
VCC
VOH
VOL
VIH
5V
≥2.4V ≤0.5V ≥2V
VIL ≤0.8V
3.3V TTL器件
VCC 3.3V
VOH
VOL
VIH
≥2.4V ≤0.4V ≥2V
2.5V TTL器件
VCC 2.5V
VOH
VOL
VIH
VIL
≥2.0V ≤0.2V ≥1.7V ≤0.7V
dBuV与dBm如何相互转换？
首先我们要假设基准的
阻抗，例如测试仪器一般为50
欧姆，这样，P与U的关系就
建立起来了，P=U2/R。
最后得出，
0dBm
107dBuV
1dBm
108dBuV
30dBm
138dBuV
Z(jw)ຫໍສະໝຸດ UIRj(wL
1) wC
Z(
jw) (
jw)
当 wL 1 0 时，即 ( jw) 0 ，w w0 wC
S80
MINI USB
屏蔽层
USB Female
U盘
USB外
壳与屏 蔽层的 搭接
线缆双绞，屏
蔽，接地，紧 密程度
问题描述：
D210在待机的时候，磁头出现刷卡错误。其出线概率为较小，有 时候几分钟，有时候一两小时。
问题分析：
待机模式中磁头检测是打开的，D210使用的是兆讯方案的磁头。 使用之前IDTECH的磁头不会出现刷卡错误，新磁头方案抗扰性比较 差。
• 材料 • 铜箔 • 铝箔 • 导电布 • 导电橡胶
分地
• 数字与模拟 • 高速与低速 • 敏感电路 • 强扰电路 • 传导发射 • 安全考虑
组件滤波 器件滤波 瞬态防护
磁环
•铁 • 锰锌 • 镍锌
磁夹
电容 电阻 磁珠 电感 组合器件
TVS 压敏 半导体防雷管 气体放电管
问题描述：
S80工程样机在USB通讯时，使用对讲机对其干扰，USB通讯立刻 失败。
IDTECH采用三对差分信号输入，而兆讯采用三根单端信号输入， 抗干扰性能较差。从敏感体来改善，将单端信号的阈值增大，但同时 也造成了兼容性问题，滤除了噪声的同时也同时造成了较微弱信号无 法识别。从源头来改善，发现是7.4V充电时造成，将7.4V走线移向远 离磁头的PCB内部，问题得到圆满解决。
风险分析：
Q w0L 1 ，其数值等于谐振时感抗或容抗与电阻之
比。
R w0RC R
PCB信号回路耦合， 变压器初次级耦合？
PCB信号走线耦合， 器件与线缆耦合？
混合接地用来干什 么？为什么？
Vo
Vcc VoH
VoL 0V
输出“1”
输入“1”
静态噪声容限，“1”
？
输出“0”
静态噪声容限，“0”
输入“0”
终确定为对讲机干扰所致。 对讲机的干扰频率为400MHz,通过在MESH上加100pF电容，可以解决
问题，另外也可通过 将MESH墙上增加铺铜减少MESH对对讲机干扰接 收效率也可以解决问题。 风险分析
Rarkii Liu, 2013.6 Email: LiuXW@
电磁干扰基本理论 电磁干扰三要素 电磁干扰防护原理 电磁干扰案例分析
dB(功率比值）
dB（电压比值）
上图中已经知道P/P0电压比值：V/V0 (dB为单位）应该怎么表示？ 假使已经测得P=100dBm,那么它所对应的电压V=dBuV?
1 LC
时，Z( jw) R
，电压u(t)与
电流i(t)相位相同，电路发生谐振。式中 w0
1 为电路的固有谐振频率。 LC
电路谐振时的电流为
UL
jw0LI
j
w0 L R
I
US
Us
Z
Us ，电路谐振时的电压为 R
UR
jQUS ，UC
1 I j 1
jw0C
w0 RC
RI
US
US ，
jQUS
其中，Q为串联谐振电路的品质因数，
问题分析：
S80使用的MINI USB转USB线缆的两端USB外壳并没有相连，因此 信号的GND环路过大，且环路对外暴露程度很大，对干扰的接收效 率很高，最后导致了USB通讯失败。
使用其他三种MINI USB转USB线缆都不会造成通讯失败，因此是 USB转接线本身的质量问题。
风险分析：
客户在使用USB通讯下载应用发生故障需满足两个条件：一是使用 劣质转接线，二是有对讲机对其干扰。这种概率非常小，即使有，也 是可以接受的。因为程序也许几年才下载一次，不是安全触发或硬件 损伤的重大缺陷，因此该缺陷可以不用处理。
此问题属于内部干扰，且充电状态和磁头待机会同时存在，因此 需要重点解决，通过上述分析，有以下方案：
将7.4V电源走线走到PCB中央，并走在内层，并在两侧打地孔。
效率，环路，能量传递
兆讯方案
7.4V D210接口板
IDTECH方案
问题描述 客户在使用过程中，S90经常发生多台机器安全触发。
问题分析 经过对客户现场的模拟分析，进行了静电与对讲机干扰两种实验，最
噪声 路径
暴露 程度
接收 程度
敏感性
芯片电路 接收天线 磁头信号 控制信号
电场屏蔽 磁场屏蔽 电磁场屏蔽 电磁吸收
铜
铁
铁
铜
吸波材料
铝 硅钢片
金
银
铁
坡莫合金
导电玻璃
磁片
器件接地
• 电阻 • 电容 • 磁阻 • 电感 • 变压器 • 连接器
导体接地
• 金属 • 铜质弹片 • 钢质弹片 • 铝质弹片
5V CMOS
VCC
VOH
VOL
VIH
5V
≥2.4V ≤0.5V ≥2V
VIL ≤0.8V
VIL ≤0.8V
3.3V供电时的LVCMOS器件
2.5V供电时的LVCMOS器件
VCC 3.3V
VOH
VOL
VIH
VIL
VCC
≥3.2V ≤0.1V ≥2.0V ≤0.7V 2.5V
VOH
VOL
VIH
VIL
≥2.0V ≤0.1V ≥1.7V ≤0.7V
电压相关 60dBuV=1000uV=1mV 120dBuV=1000000uV=1V 126dBuV=2000000uV=2V 180dBuV=1000V=1KV
功率相关 0Bm=1mW=0.001W 4dBm=2.5mW=0.0025W 20dBm=100mW=0.1W 30dBm=1000mW=1W 33dBm=2000mW=2W