XR-E LED光通量与正向电流的关系
下图是XR-E LED光通量与正向电流的关系。

假设IF=350mA亮度为1，当IF=700mA时，IF产生的相对光强度并不等于2，主要原因是当增加电流时，LED本身发热造成组件温度上升。

换句话说大部分的电能转换成热能，实际上使LED点亮的电流与施加的电流并不是2倍关系。

从下图中可见，电流与亮度呈非线性关系，电流越大其斜率越小。

因此我们在实际选用时必须考虑在哪一点是最佳光效点，否则徒然地增加驱动电流，不但不能得到理想的光通量，反而使LED的功耗明显上升，若增加的热量不能有效导出，则缩短了LED的使用寿命，得不偿失。

在一定的范围内，LED发光亮度与正向电流近似成比例，电流增大，发光亮度也近似增大；另外发光亮度也与环境温度有关，环境温度高时，复合效率下降，发光强度减小。

在许多高亮度LED的规格书中都有关于应用电流与流明的关系，以及电流与热损耗的关系。

不同的LED要求的电流不同，一定的余量是保证折中的前提。

实际使用中，为了延长使用寿命，是否应该让LED的工作电流低于额定电流值？实际上要考虑散热条件，如果有足够的散热措施，包括通风、散热路径、温度补偿等的辅助，无需降额使用LED;但如果散热条件非常严苛，则必须通过降额使用来保证长时间使用的光衰和可靠性。

许多读者不明白LED的芯片为什么要分成诸如8mil、9mil、13mil～22mil、40mil等不同的尺寸？尺寸大小对LED光电特性有哪些影响？
下面我们对此作出简单的介绍。

LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。

根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明用。

至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体要求。

只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。

芯片的使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。

如果10mil芯片的使用电流是20mA，那么40mil芯片理论上使用电流可以提高16倍即320mA。

但是考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低；另一方面由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所降低。

计算方法为：100mil=2.54mm。