减小缺陷密度是提高硅片成品率的重要方面
点缺陷：空位缺陷，间歇缺陷，弗朗克缺陷
位错 在晶胞形成重复性结构时，发生错位。可以再晶 体生长和硅片制备中的任意一个阶段产生。
层错 与晶体结构相关，经常发生在晶体生长过程中
感谢下 载
晶体缺陷
颗粒 晶体表面的颗粒数量应加以控制，使在芯片制造中 的成品率损失降到最底，
体电阻率硅锭的体电阻率依赖于在晶体生长前掺杂到熔体 中的杂质浓度
单晶制备过程中的缺陷
在单晶制备和器件制造过程中，造成的硅单晶中一些原子 的排列发生错乱称为单晶缺陷。
主要来自于晶体生长条件的不良影响造成的位错缺陷、 微缺陷、晶粒间界等
装置：筛板塔
组成部分
蒸馏釜体 精馏塔柱 冷凝器 回流管
用于盛装原料 是装置的核心部分 内部由筛板组成
气化物质进过冷凝为液化
出料口
精馏塔装置示意图
晶体的生长方式
固相生长方式
通过固——固相转变完成的晶体生长
方式的过程，如石墨变成金刚石。
液相生长方式 包括溶液中生长和熔体中生长GaAs外延为 溶液中生长，硅单晶为熔体中生长。
缩颈 通常采用高温熔接低温快速细长缩颈 放肩阶段 指从缩颈到要求长度后将晶体放大到所需直
径的这一段时间的操作过程 等经生长 放肩至接近所需直径时，适当升温、增加提拉
速度，使晶体圆滑的转入等直径生长 收尾阶段
直拉单晶生长工艺步骤
籽晶放在熔体表面并在旋转过程中缓慢的拉起，它的方向 与坩埚的旋转方向相反，熔体上的液体因为表面张力而提 高
粗硅的形成： 高温炭还原
Si O2 2C Si CO
1600 ~ 1800 四氯化硅的形成：
高温氯化
Si 2C L2 SiC L4
500 ~ 700
高纯多晶硅的形成：
高温氢还原
SiC L4 2H 2 Si 4HCL
1000 ~ 1200
高纯四氯化硅的提纯
采用精馏提纯技术 基本原理，将待提纯的原料置于一被 称为 “精馏塔”的装置中，对其进行反复的蒸馏 ，根据 杂质的沸点不同，具有不同的挥发能力，进而实现各元素 的分离。
半导体材料的制备
半导体级硅
用来做芯片的高纯硅称为半导体级硅，有时也称为 电子级硅，硅是做半导体器件的一种很好的材料。
为了器件的需要，就要把它制作成想要的晶向、适 量的掺杂浓度和半导体硅片制备所需的物理尺寸。
单晶硅材料制备流程
原料（石英石-二氧化硅）——粗硅——四氯化 硅——高纯四氯化硅——高纯多晶硅——单晶硅 硅棒——单晶定向切片——研磨——抛光——清 洗——检查——包装
优点：较稳定，能产生平整的切面
研磨和倒角
研磨：去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平 行及平坦，复合平整度要求的硅片
倒角：获得平滑的半径周线，在硅片边缘的裂痕和小裂缝 会在硅片上产生机械应力并会产生位错
抛光
是一种表面全局平坦化技术，通过硅片和一个抛光头之 间的相对运动来平坦化硅片表面 目的：符合光洁度指标要求的硅片
纯化学抛光 纯机械抛光 化学机械抛光
质量检测
物理尺寸 为了达到芯片生产中器件制造的要求以及适 合 制造厂自动传诵设备的要求
平整度 平整度是硅片最主要的参数之一，因为光刻工 艺对局部位置的平整度是非常敏感的
含氧量控制硅锭中的含氧量是非常重要的，而且随着更大 的尺寸，难度也会越大，少量的氧起到俘获中心的作用， 能束缚硅中的玷污 ，过多的氧会导致PN结漏电流增加
直拉法 把溶化了的半导体级硅液体变为正确晶向并且 被参杂成n型或者是p型的固体硅锭 ，属于液相生长。
目的：是实现均匀参杂浓度的同时精确地复制籽晶结 构，得到合适的硅锭直径
影响直拉法的主要参数：拉伸速度和晶体旋转速度。
直拉单晶生长过程
引种 就是将满足正确晶向的单晶硅与熔硅接触并控制引 晶的温度
掺杂
为了得到所需的电阻率的晶体，掺杂材料被加到单晶炉的 熔体中，常用的掺杂杂质为三价硼五价磷。
杂质控制 主要是控制杂质氧
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整形处理
径向研磨（ 产生精确的直径）
硅片定位边或者定位槽（表示硅片的径向和结构）
切片
产生符合要求厚度的硅片 外圆切割机 适合于大直径的硅片切割 内圆切割机 内圆切割机先定向后切割
气相生长方式 由气相向固相的转变过程
单晶硅硅棒生长
指把半导体级硅制作成需要晶向、掺杂浓度和所需尺寸的 硅锭，有区熔法和直拉法两种。
区熔法 它所生产的单晶硅锭含氧非常少，能生产目前最 纯的硅单晶，直径比直拉法小。
籽晶固定到一端然后放进生长炉中，用射频线圈加热籽晶 与硅棒的接触区域，由于不用坩埚，硅纯度高且含氧量低。