PN7013-2
---2012-12-15
---孙国栋
1
PN7013-2
IRS2113
1.PN7013-2：电容采用积累方案，拉灌电流指标为2A，pad顺序与IRS2113相同，封装形式：16 lead DIP
2.IRS2113：目标芯片，封装形式：14 lead DIP。
1.从误关断角度考核PN7013-2的抗dv/dt能力。
110V
黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO
误关断前——母线电压为100V误关断后——母线电压为110V
黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO
是否误关断
dv/dt（V/ns）是否误源自断501.3否
2.4
否
75
6.2
否
6.5
否
100
10.05
否
8.4
否
110
16
是
12
是
2
插入下面具体测试内容的目录
3
3.1
测试波形对比：
50V
黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO
75V
黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO
100V
黄色—外部功率管栅极信号红色--VS绿色--HO
2.与目标芯片做对比。
1.母线电压分别为50V，75V，100V时两款芯片测试现象一致均为误开启。
2.两款芯片均在母线电压为110V时发生了误关断此时PN7013-2dv/dt约为16V/ns，IRS2113约为12V/ns。
Parameter
PN7013-2
IRS2113
母线电压（V）
dv/dt（V/ns）