科技成果——碳化硅（SiC）单晶片技术开发单位北京世纪金光半导体有限公司
技术概述
在碳化硅单晶生长领域，技术开发单位结合设计平台中的电磁耦合仿真设计软件模拟设计热场，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅（SiC）单晶，通过实际生长进行验证优化。

同时建立低位错生长模型，结合理论模拟和生长实验，改进晶体生长的工艺参数，研制具有极低位错密度的单晶。

在碳化硅（SiC）单晶加工领域，技术开发单位采用多线切割技术对碳化硅（SiC）晶体进行切片，使用物理研磨技术进行研磨、抛光，使用化学机械抛光技术和湿法化学清洗法清洗获得碳化硅（SiC）单晶衬底。

技术特点
碳化硅（SiC）功能材料采用国内外通用的物理气相传输（PVT）法生长，关键技术包括生长温度和温度梯度的控制技术、原材料纯化技术、化学机械抛光（CMP）技术等。

先进程度国内先进
技术状态批量生产、成熟应用阶段
适用范围可应用于变频家电、电源服务器、混合动力汽车和电动汽车、充电桩以及太阳能发电等领域，实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。

技术指标
专利状态授权发明专利7项，实用新型专利2项。

合作方式合作开发、技术服务
预期效益据统计，以碳化硅（SiC）为基础材料的半导体行业的全球市场规模2014年为130亿，预计2020年将增加到800亿美元。

我国碳化硅SiC单晶片的年需求量2016年已达到20万片左右，市场规模可达到10亿美元，预计2020年国内碳化硅（SiC）电力电子器件市场将增加到100亿美元。