缺省值 1 0 0 0 0
意义 电阻值的倍率 线性温度系数 平方温度系数 指数温度系数
意义 电容值的倍率 线性电压系数 平方电压系数 线性温度系数 平方温度系数
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
其中：C 为常温电容值，可以是正值、负值，但是不能是零。 T0 为正常温度值(27℃) V 为电容器两端的电压
A C K
单位
(ca)**2 ca 1 A/m
Alpha A C K
缺省值
0.1 1 1 1e6 1e-3 le3 0.2 500
意义 平均磁芯截面积 平均磁路长度 叠层系数 磁化饱和 平均磁场参数 形状参数 磁畴壁的挠曲常数 磁畴壁的鞘连常数
举例： ·model k528a=2e-5 A=26 k=18 c=1.05 area=1.17 Path=8.49)
单位
A A Ω Ω
缺省值
Ie—3 0 1 le8
意义 电流开关通态控制 开关断态控制电流 开关通态电阻 开关断态电阻
说明：Ron 的值应大于零，Roff 的值必须小于 1/GMIN，GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导，缺省值是 1e-12， Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大
1
1
Var
V
inf
Ikr
A
inf
Ise
A
0
Nc
2.0
2.0
Rb
Ω
0
Irb
A
inf
Rbm
Ω
Rb
Re
Ω
0
Rc
Ω
0
Cje
F
0
Vje
V
0.75
Mje
0.33
0.33
Cjc
F
0
Vjc
V
0.75
Mjc
0.33
0.33
Xcjc
1F
1
Cjs
F
0
Vjs
V
0.75
Mjs
0
0
Fc
0.5
0.5
Tf
S
0
Xtf
0
0
Itf
A
0
Ptf
1e-12，Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大
举例：
·model Relay Vswitch(Ron=.01 Roff=1eg Von=3.2V voff=1.8v)
B1.6 电流控制开关的模型参数
参数
Ion Ioff Ron Roff
·model din750 D(is=880.5e-18 Rs=2.5 Bv=4.7V Ibv=20.245mA)
B1.8 双极性结型晶体管的模型参数
参数
单位
缺省值
Is
A
le-16
Eg
V
1.11
Xti
V
3
Bf
100
100
Nf
1
1
Vaf
V
inf
Ikf
A
inf
Ise
A
inf
Ne
1.5
1.5
Br
1
1
Nr
OrCAD 9.2 适用教程
B1.5 电压控制开关的模型参数
参数
Von Voff Ron Roff
单位
V V Ω Ω
缺省值
1 0 1 1e8
意义 开关通态控制电压 开关断态控制电压 开关通电阻 开关断态电阻
说明：Ron 的值应大于零， Roff 的值必须小于 1/GMIN，GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导， 缺省值是
20
CBS
21
CJ
22
CJSW
23
MJ
24
MJSW
25
FC
26
CGSO
27
CGDO
28
CGBO
29
NSUB
30
NSS
31
NFS
32
TOX
33 TPG
34
XJ
35
UO
36
UCRIT
40
UEXP
41
UTRS
42
VMAX
43
NEFF
44
XQC
45
DELTA
46
THETA
47
ETA
48
KAPPA
49
KF
50
9E-9
350
OrCAD 9.2 适用教程
说明： PSpice 提供四种 M0S 场效应晶体管模型，它们的 I-V 特性公式各不相同。用变量 LEVEL 指定所用的模型： LEVEL＝1 SHICHMAN-HODGES 模型 LEVEL＝2 M0S2 模型 LEVEL＝3 M0S3 半经验模型 LEVEL＝4 适用于亚微米的 BSIM 模型 MOS 场效应管的直流特性由器件参数 VTO，KP，PHI，LAMBDA 和 GAMMA 决定。如果给出了工艺参数(NSUB，TOX
-1 硅栅，掺杂与衬底相同；0 铝栅； 结深 载流子的表面迁移率 迁移率衰减时的临界电场（仅对 MOS2） 迁移率衰减时的临界电场指数（仅对 MOS2） 迁移率衰减时的横向电场系数（MOS2 时删去） 载流子的最大漂移速度 总沟道电荷系数（仅对 MOS2） 贡献于漏极的电荷百分数 沟道宽度对阀值的影响（仅对 MOS2 和 MOS3） 迁移率的衰减（仅对 MOS3） 静态反馈（仅对 MOS3） 饱和电场系数（仅对 MOS3） 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 漏区面积 源区面积 漏结周长 源结周长
说明： 在简单设置结型场效应管参数时，可设置两个参数，它们是： Vto=Vp 夹断电压 Beta=Idss/｜Vp｜
举例： ·model Jff NJF(Vto=-6V Beta=.222e-3)
意义 阀值电压 Vto 的温度系数 跨导系数 跨导的温度系数 沟道长度调制系数 漏极电阻 源极电阻 G-D 间的零压结电容 G-S 的零压结电容 正向偏置时的耗尽电容系数 栅结内建电势 栅结反向饱和电流 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对面积
AF
51
AD
52
AS
53
PD
54
PS
NRD，NRS，RHS，
模型标志 1，2，3，4 沟道长度 沟道宽度 扩散区长度 扩散区宽度 VSB=0 时的阈值电压 跨导参数，Kp=µ*COX=µ*εSiO2*ε0/tox 体效应参数，γ=(2q*εSi *Nsub)1/2/Cox 表面电势，=2ΦF λ沟道长度调制系数（仅对 MOS1 和 MOS2） 漏极欧姆电阻 源极欧姆电阻 栅极欧姆电阻 衬底欧姆电阻 漏-源间并联电阻 衬底结反向饱和电流，=JS*AD=JS*AS 源-漏结反向饱和电流密度 衬底结电势 零偏时体-漏间的结电容 零偏时体-源间的结电容 零偏时衬底结底部单位面积电容 零偏时衬底结侧壁单位长度电容 衬底结底部的梯度因子 衬底结侧壁的梯度因子 衬底结正偏时的耗尽电容系数 栅-源间单位沟道宽度的覆盖电容 栅-体间单位沟道宽度的覆盖电容 栅-漏间单位沟道宽度的覆盖电容 衬底掺杂浓度 表面态密度 块表面态密度 栅氧化层厚度 栅极材料类型，+1 硅栅，掺杂与衬底相反；
说明：对于一般的二极管在进行模型参数说明时只需指定 Is 参数，若是需要管压降为 0.7V，则要给定 Is=2e-15，对于稳
压二极管，在进行参数设置时，可给定 Rs、Bv 和 Ibv 三个参数，这时， Rs 是稳压管的寄生电阻，Bv 是稳压管的稳
定电压，Ibv 是稳压管的工作电流。
举例：
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
Deg
0
Tr
S
0
Xtb
0
0
Kf
0
0
Af
1
1
Arca
0
0
意义
反向饱和电流 硅的带隙能量 饱和电流的温度指数 正向电流放大系数 正向电流发射系数 正向欧拉电压 正向 Beta 大电流时的滑动拐点 B—E 极间的泄漏饱和电流 B—E 极间的泄漏发射系数 理想反向电流放大系数 反向电流发射系数 反向欧拉电压 反向 Beta(r)大电流时的滑动拐 点 B-C 间的泄漏饱和电流 B-C 间的泄漏发射系数零 偏压时的基极电阻 基极电阻下降到 Rbm 值一半时 的电流 最小基极电阻 发射结电阻 集电极电阻 B-E 结零偏压时的耗尽电容 B-E 结内建电势 B-E 结指数因子 B-C 结零偏压时的耗尽电容 B-C 结内建电势 B-C 结指数因子 B-C 结耗尽电容连接到内部节 点时的百分数 集-衬底间零偏压时的耗尽电容 集-衬底间结内建电势 集-衬底间结指数因子 正向偏压时的耗尽电容系数 正向渡越时间 正向渡越时间随偏置变化的系 数 正向渡越时间随 vbe 变化的参 数 正向渡越时间随 Ic 变化时的超 前相位 反向渡越时间 电流放大系数的温度系数 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对发射结面积的比值
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
B1.10 MOS 场效应管的模型参数
MOS 场效应管的模型如图 B-2 所示。
模型参数
含义
1
LEVEL
2
L
3
W
4
LD
5
WD
6
VTO
7
KP
8
GAMMA
9
PHI
10 LAMMDA
11
RD
12
RS
13
RG
14
RB
15
RDS
16
IS
17
JS