《模拟集成电路设计》复习
答疑安排：
第13周星期二（5月29日），上午9:00-11:30，下午14:30-17:00，工三310
考试题型：
七道大题：第2章一题，第3、4章各两题，第5章一题，第6、7章共一题
考试注意事项：
所有题目采用课本P32表2.1的数据，V DD=3V，C OX=3.84 10-7F/cm2，忽略漏/源横向扩散长度L D。

试题会给出所需参数值。

时刻区分大信号、小信号。

时刻注意是否考虑二级效应。

题目有“推导”两字时，需给出求解过程。

必考：画小信号等效电路
复习题
例2.2补充问题：（1）分析MOS工作区间变化情况；（2）画出I D-V DS 曲线；（3）推导线性区跨导表达式。

习题2.2注意：跨导的单位。

习题2.3补充问题：给定参数值，计算本征增益的数值。

注意：画曲线时需考虑λ与L的关系。

例3.5 补充问题：画出图3.21(b)电路的小信号等效电路，推导增益表达式。

习题3.2问题（b）删去。

补充问题：求R out。

习题3.12解题思路：I1→V out→V GS2→(W/L)2→A v
习题3.14 输出摆幅=V DD-V OD1-|V OD2|。

解题思路：A v，R out→g m1→(W/L)1→V OD1→|V OD2|→(W/L)2
第4章课件第49页的题目差模增益-g m1(r o1||r o3)，共模增益0，共模抑制比+∞
例4.6
习题4.18 只要求图4.38(a)-(d)。

补充问题：画出半边电路。

注意：画半边电路时去掉电流源M5。

习题4.25 计算过驱动电压V OD时忽略沟道长度调制效应。

注意双端输出摆幅为单端时的2倍。

习题5.1问题（e）删去。

问题（c）和（d）有简单的计算方法。

习题5.5问题（b）（c）删去。

λ=0。

例6.4补充问题：画出低频小信号等效电路，推导低频小信号增益；写出C D、C S分别包含哪些MOS电容。

习题6.9 只要求图6.39(a)(b)(c)。

例7.11只计算热输入参考噪声电压。

习题7.11补充问题：推导小信号增益。

4道作业题
1. 对下图电路
（1）分析是否可作为放大器应用；
若可作为放大器，继续回答下述问题：
（2）画出小信号等效电路，并推导小信号增益A v；
（3）推导输出阻抗R out。

2. 图中电路(W/L)1=50μm/0.5μm，R D=2kΩ，μn=350cm2/Vs，
C OX=3.84⨯10-7F/cm2，λ=0，V DD=3V，V TH=0.6V
（1）如果M1工作在饱和区，且I D1=1mA，求电路的小信号增益；（2）若大信号V DS=0.1V，求电路的小信号增益。

1. 下图电路中，λ=γ=0，g m1=g m2，g m3=g m4，g m5=g m6，差模输入（1）画出半边电路图；
（2）求小信号差动增益。

2. 图中电路所有晶体管工作于饱和区，λ=0
（1）求X点的小信号电压V X；
（2）求M2的小信号漏电流I D2；
（3）求M3的小信号漏电流I D3；
（4）求等效跨导G m、输出电阻R out；
（5）求小信号电压增益A v。