军用电子器件目录JUN YONG DIAN ZI QI JIAN MU LU（2005 年版）济南半一电子有限公司半导体器件选用注意事项 (1)第一部分：二极管 (8)一.开关二极管 (8)1. 锗金键开关二极管2AK1～20 系列 (8)2. 锗金键检波二极管2AP1～31B系列 (9)3. 肖特基检波二极管SP1～31B系列（替代2AP1～31B） (10)4. 肖特基开关二极管SK1～20 系列（替代2AK1～20） (11)5. 肖特基开关检波二极管2DKOl、O020、O3O型（替代2AK1～20、2AP1～31B）··126. 硅开关二极管2CK7～0 86、2CK4～9 56 系列 (13)7. 硅开关二极管1N、1S、1SS、BAV系列 (16)8. 玻璃钝化封装大电流开关二极管RG0.5～5 系列 (17)二.整流二极管 (18)1. 玻封快速硅整流二极管2CZ50～57系列 (18)2. 玻璃钝化整流管1N、RL、6A 系列 (19)3. 玻璃钝化高速整流管SF11G～66G系列 (20)4. 贴片玻璃钝化整流管S1～5 系列 (21)5. 贴片高速整流管ES1～5 系列 (22)6. 肖特基二极管SR062～0 510、1N581～7 5822系列 (23)7. 肖特基二极管SR73～5 4060 系列 (24)8. 贴片肖特基二极管SS1～36、SS110系列 (25)三.电压调整（稳压）二极管 (26)1. 硅稳压二极管2CW5～078 系列 (26)2. 硅稳压二极管2CW10～0121 系列 (27)3. 硅稳压二极管ZW5～0 78 系列 (28)4. 硅稳压二极管ZW10～0 121 系列 (29)5. 硅稳压二极管2CW522～15255（1N5221～5255）系列 (30)6. 硅稳压二极管2CW4728～A4754A（1N4728～A 4754A）系列 (31)7. 硅稳压二极管1N746～A 759A、1N957A～974A系列 (32)8. 硅稳压二极管1N4352～B 4358B系列 (33)9. 硅稳压二极管HZ2～36 系列 (34)10. 硅稳压二极管BZX55/C系列 (35)11. 硅稳压二极管BZX85/C系列 (36)四.电压基准二极管 (37)1. 硅基准稳压二极管2DW1～4 18 系列 (37)2. 硅平面温度补偿二极管2DW23～0236 系列 (38)五.电流调整（稳流）二极管 (39)1. 稳流管2DH～1 36 系列 (39)六.瞬变电压抑制二极管 (40)1. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS50～0 534系列 (40)2. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS100～01034系列 (41)3. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS150～01534系列 (42)4. 单双向瞬变电压抑制二极管TVS500～05034系列···························43 第二部分：晶体管 (44)一.双极型晶体管 (44)1. 硅NPN型平面高频小功率三极管3DG11、0 3DG11、1 3DG130系列 (44)2. 硅NPN型外延平面高反压三极管3DG182系列 (45)3. 硅NPN型平面三极管3DK10、1 3DK10、6 3DK21系列 (46)4. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CG11、1 3CG12、0 3CG130系列 (47)5. 硅PNP型外延平面高频小功率三极管3CK、2 3CK12、0 3CK130系列 (48)6. 硅PNP型外延平面高频高反压小功率三极管3CG18、2 3CG18、4 2N2907系列 (49)7. 硅NPN低频大功率晶体管3DD～1 8 系列 (50)8. 硅NPN达林顿功率晶体管FH6～8 系列 (53)二.场效应晶体管 (54)1. N 沟道MOS型场效应晶体管IRF120～823系列 (54)2. P 沟道MOS型场效应晶体管IRF9130～9643系列 (56)3. N 沟道结型场效应晶体管3DJ2、3DJ6/66、3DJ7/67/304、3DJ8/68系列 (57)三.部分替代俄型号晶体管.....................................................59 第三部分：半导体分立器件组件.....................................60 一. 说明................................................................... 60 二. 产品型号.. (61)1. 200m～A2A玻璃钝化芯片整流桥DF、1W、RB、W系列 (61)2. 1～4A玻璃钝化芯片整流桥2W、GBP、GBL系列 (62)3. 4 ～15A玻璃钝化芯片整流桥GBU、GBP系列 (63)4. 15 ～35A玻璃钝化芯片整流桥GBPC系列 (64)5. 定制式三相整流桥 (65)6. 2Д906A型硅二极管矩阵 (65)7. 双向限幅器SXF0.25～5.8 系列..........................................65 第四部分：电路及模块..............................................66 一. 集成稳压器 (66)1. 固定输出三端正稳压器CW7800系列662. 固定输出三端负稳压器CW7900系列 (66)3. 可调输出三端正稳压器CW117系列 (67)4. 可调输出三端负稳压器CW137系列 (67)5. 定制式5V以下电压基准DCW系列········································68 第五部分：外形图 (69)半导体器件选用注意事项半导体器件（以下简称器件）的质量问题，不仅有器件本身所固有的质量和可靠性问题，也有由于用户选择或使用不当造成的器件失效问题。
从统计分析的结果来看，两者几乎各占50%。
因此，为了保证器件的质量、提高器件的可靠性，除供方的工作以外，使用方应在器件的选择，测试，装配和焊接，贮存、包装和运输等各方面综合考虑，做到正确选择、合理使用。
一.器件的选择1. 器件选择前应了解以下知识：⑴ 封装形式器件的封装形式多种多样。
从封装结构来分，有气密封装和实体封装；从封装材料来分，有金属封装、陶瓷封装、玻璃钝化封装、玻璃封装、玻璃内钝化塑料封装、塑料封装等。
气密封装的封装腔体内的芯片周围有一定气氛的空间并与外界隔离；实体封装的芯片周围与封装腔体形成整个实体，这种封装形式不存在气密封装可能出现的漏气和封装多余物问题，但对封装材料要求较高，必须致密、抗潮、与芯片材料粘附和热匹配良好，并且在高温、低压条件下不应产生有害气体。
小型化是器件发展的趋势。
表面贴装器件的封装材料一般采用改性环氧树脂，具有较高的可靠性水平；器件体积比常规器件要小20%～80%，在电子线路中整体采用这种器件可大幅度缩小整机体积。
我厂大部分产品除常规封装形式外也采用这种封装形式，小电流的器件一般采用SOT-23、SOD-123等封装形式，部分产品采用MELF （DO-213AB）、Mini-MELF 等玻璃封装表面贴装封装形式；1～6A的器件一般采用SMA、SMB、SMC等封装形式。
⑵ 产品质量保证等级分立器件产品执行QZJ840611半导体二、三极管“七专”技术条件、QZJ840611A 半导体分立器件“七专”技术条件、GJB33A-97半导体分立器件总规范以及用户技术协议（用户有要求时）等，对应的质量等级分别为“J”、“G”、“G+”、“ JP”、“JT”、“JCT”、“JY”等。
我厂执行的产品标准为：“J”级（普军品）：执行QZJ840611和用户技术协议；“G”级（“七专”产品）：执行QZJ840611和用户技术协议；“ G+” 级（“七专”加严产品）：执行QZJ840611、QZJ840611A、GJB33A-97和用户加严技术协议（如一院LMS203.3硅开关二极管（微玻璃封装）“七专”加严技术条件、五院东方红三号、四号卫星技术条件等）；“JP”、“JT”、“JCT”级（国军标产品）：执行GJB33A-97和用户技术协议。
三端稳压器（集成电路）产品执行QZJ840615 模拟集成电路总技术条件、GJB597A-96半导体集成电路总规范以及用户技术协议等，对应的质量等级为“J”、G”、B1”、B”、S”等。
模块电源产品执行SJ20668-1998 微电路模块总规范和用户技术协议。
⑶ 器件选择的一般原则根据应用部位对器件的功能和性能（包括电性能及体积、重量等）要求及质量要求、环境适应性要求，选择合适的品种、型号、生产厂，确定器件的质量等级及器件的封装形式（外形）、引线涂覆、辐射强度保证等级等要求；有特殊要求的应对器件的其他要求诸如内热阻、抗静电能力、抗瞬态过载能力进行选择或评价。
2. 器件选择时要注意以下问题：⑴ 正确选择封装形式选择封装形式时要根据应用部位对环境适应性的要求，综合考虑各种封装形式的优缺点，确定器件的封装形式，以使其满足使用要求同时兼顾经济性。
⑵ 不能超过器件的最大额定值器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值称为器件的最大额定值。
无论工作条件和环境条件怎样恶劣，器件在使用时都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。
只有在此极限值以下使用，才能保证器件可靠地工作，充分发挥器件的功能，否则器件可能出现参数退化、性能降低、寿命大大缩短等现象，甚至损坏失效。
因此，电路设计者在选择器件时应充分考虑到器件在整个工作寿命期的电气条件（如电流电压变化、负载变化、信号变化、电路控制调整、元器件设备变化等）和环境条件的变化，使之不超过器件允许的最大额定值。