第10章 半导体存储器及可编程逻辑器件 作业
10.4 画出把 256 ⨯ 2 RAM 扩展成 512 ⨯ 4 RAM 的连接图，并说明各片RAM 的地址范围。

解： 5124 4 (256 2 RAM)2562
⨯=⨯⨯片 扩展电路图图下：
地址范围： 87654321A A A A A A A A A
（1）（2）0 0 0 0 0 0 0 0 0 ～0 1 1 1 1 1 1 1 1 000H ～0FFH
（3）（4）1 0 0 0 0 0 0 0 0 ～1 1 1 1 1 1 1 1 1 100H ～1FFH
或者：
地址范围：RAM （1）和RAM （2）000H ～0FFH,
RAM （3）和 RAM （4）100H ～1FFH,
10.5 RAM2112（256×4）组成如题图10.5所示电路。

（1）按图示接法，写出2112(1)至2112(4)的地址范围（用十六进制表示）。

（2）按图示接法，内存单元的容量是多少？若要实现2k×8的内存，需要多少片2112芯片？
（3）若要将RAM 的寻址范围改为B00H~BFFH 和C00H~CFFH ，电路应做何改动？
A 0 A 0 A 0 A 0 A 7
A 7 A 7 A 7 /R W D 0 D 1
A 8
题图10.5
解:
（1） RAM2112（1）和RAM2112（2）：900H~9FFH
RAM2112（3）和RAM2112（4）：E00H~EFFH
（2） 内存容量：512×8
若实现2K×8需要28
2564K ⨯⨯=16片
（3） 电路改为： 13Y Y →；64Y Y →
10.8 试确定如题图10.8所示各电路中RAM 芯片的寻址范围。

(a)
(b)
(c)
题图10.8
74LS138 A 8 A 9
A 10
A 11A 15 A 14 A 13 A A A 接2114(1)、 2114(2) CS 端 接2114(3)、 2114(4) CS 端 74138
A 8A 9A A A A A 接6116(1) CS 端 接6116(2) CS 端
74138
解: (a)：2112（1）和2112（2）地址：200H~2FFH
(b): 2114（1）和2114（2）地址：A400H~A7FFH
2114（3）和2114（4）地址：BC00H~BFFFH
(c): 6116（1）地址：4800H~4FFFH
6116（2）地址：7000H~77FFH
10.18 74LS161和 PROM 组成的电路如题图10.18所示。

（1）分析74LS161功能，说明电路的计数长度M 为多少。

（2）写出W 、X 、Y 、Z 的函数表达式。

（3）在CLK 作用下，分析WXYZ 端顺序输出的8421BCD 码的状态，并说明电路的功能。

题图10.18
解：（1）计数长度M=16
（2）32032103210W Q Q Q Q Q QQ Q Q Q Q +=+
320210321032103210X Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q QQ =++++
3103203213210Y Q QQ Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q =+++
13230320Z Q Q Q Q Q Q Q Q =+++
（3）WXYZ 端顺序输出3141592653589793的8421BCD 码。

电路为能产生十六位π的函数发生器。

10.19可编程器（PLD ）的编程连接如题图10.19所示，写出X 、Y 、Z 的表达式。

CLK
W X Y Z X Y Z
题图10.19
解：
X ABC ABC AB
Y ABC AB ABC BC AB AC Z AB ABC ABC AB BC AC =+==++=++=++=++。