一、单选（共20题,每题2分,共40分）
1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。

()
A.空穴数量增多
B.自由电子与空穴数量不变
C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同
D.自由电子数量增多
2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。

()
A.U AO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通
B.U AO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止
C.U AO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止
D.U AO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通
3.当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。

（）
A.反向区
B.死区
C.正向导通区
D.反向击穿区
4.如图所示的电路，以下结论正确的是。

（）
A.电路能实现复合管的作用，且=1+2。

B.电路能实现复合管的作用，且=12
C.电路不能实现复合管的作用
D.电路能实现复合管的作用，且1=2
5.下列电路中有可能正常放大的是：。

()
A. B.
C.
D.
6.图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为6V 和7V ，正向导通电压均为0.6V ，则输出电压为：。

（）
A.7V
B.6.6V
C.5.4V
D.6V
7.硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。

()
A.0.4V
B.0.1V
C.0.7V
D.0.3V
8.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。

()
A.反相
B.不确定，需要通过实际计算才得到
C.同相
D.相差90
9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。

因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。

（）
A.多子--多子--差不多
B.多子--少子--大
C.少子--多子--小
D.多子--两种载流子--小
10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。

（）
A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。

B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。

C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。

D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。

11.根据反馈的采样特性，反馈可分为反馈。

()
A.串联和并联
B.直流和交流
C.正和负
D.电压和电流
12.三端集成稳压器CW7912的输出电压是。

()
A.9V
B.-12V
C.12V
D.7V
13.负反馈多用于。

()
A.提高电压增益
B.改善放大电路的性能
C.提高输出电压
D.产生振荡
14.某NPN型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位U1、U2、U3应为下列哪组数据？（）
A.U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V。

B.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。

C.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。

D.U1=3V，U2=2.8V，U3=12V。

15.当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。

此时耗尽层。

()
A.大于--变窄
B.小于--变窄
C.等于--不变
D.大于--变宽
16.NPN型和PNP型晶体管的区别是。

()
A.掺入的杂质元素不同
B.由两种不同材料的硅和锗制成
C.载流子的浓度不同
D.P区和N区的位置不同
17.双极型晶体管只有当其发射结处于，而且集电结处于时，才处于截止状态。

()
A.反偏--正偏
B.反偏--反偏
C.正偏--正偏
D.正偏--反偏
18.场效应管放大作用的实质是。

()
A.把微弱的电信号加以放大
B.以弱电流控制强电流
C.以弱电压控制强电流，把直流电能转换为交流电能
D.以强电流控制弱电流
19.图示的共射极防大电路不能对交流信号放大的根本原因是。

（）
A.没有交流信号输出。

B.交流信号不能输入。

C.发射结和集电结的偏置不正确。

D.没有合适的静态工作点。

20.当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz ，可采用。

（）
A.带阻滤波器
B.高通滤波器
C.低通滤波器
D.带通滤波器
二、判断 （共5题,每题4分,共20分）
1.一个放大电路只要接成负反馈，就一定能改善性能。

（）
2.
对于一个反馈放大电路，反馈系数
越大，越容易产生自激振荡。

（）
3.没有信号输入的状态即为电路的静态。

（）
一、单选 （共20题,每题2分,共40分）
1.标准答案：C
2.标准答案：A
3.标准答案：C
4.标准答案：B
5.标准答案：A
6.标准答案：C
7.标准答案：C
8.标准答案：C
9.标准答案：D 10.标准答案：B 11.标准答案：D 12.标准答案：B 13.标准答案：B 14.标准答案：A
F
15.标准答案：A
16.标准答案：D
17.标准答案：B
18.标准答案：C
19.标准答案：A
20.标准答案：C
二、判断（共5题,每题4分,共20分）
1.标准答案：正确。

2.标准答案：错误。

3.标准答案：正确。

一、单选（共10题,每题2分,共20分）
1.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在_______状态。

A.小于
B.反偏
C.正偏
D.大于
2.
分析线性运算放大器电路的两个依据是_________。

3.当共射极放大电路的交流输出信号波形的上半周出现失真时，称之为______。

A.截止失真
B.饱和失真
C.交越失真
D.过调失真
4.为了使放大器带负载能力强，一般引入_________负反馈。

A.并联
B.串联
C.电流
D.电压
5. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是______。

A.（C、B、E）
B.（E、C、B）
C.（B、C、E）
D.（B、E、C）
6.共集电极放大电路的反馈组态是_____负反馈。

A.电流串联负
B.电流并联
C.电压并联
D.电压串联
7. 振荡器的输出信号最初由_______而来的。

A.干扰或噪声
B.反馈环节
C.基本放大器
D.选频网络
8. 差分放大电路是为了______而设置的。

A.增大Ri
B.抑制零点漂移
C.放大信号
D.稳定
9.差分放大电路上的直流电流近似等于单管集电极电流的___倍。

A. 2
B. 0.5
C. 3
D. 1
10. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo 为变压器次级端电压U2z 的_________倍。

A. 1.1
B. 1.2
C. 0.9
D. 0.45
二、填空 （共5题,每题2分,共10分）
1.P 型杂质半导体中，空穴为_____载流子，自由电子为_______载流子。

2.由漂移形成的电流是反向电流，它由____流子形成，其大小决定于_____，与外电场的大小_______。

3.晶体三极管的集电极电流Ic 是基极电流Ib 的_____倍，所以它是_____控制元件。

4.稳压二极管工作时是处于_____偏置状态，而二极管导通时是处于_____偏置状态。

5.PN 结的P 区接高电位，N 区接低电位称为______反之称为________。

四、计算 （共3题,每题20分,共60分）
1.电路如图所示，设A1、A2为理想运放。

1) 指出电路中存在哪些反馈，并判断反馈类型？ 2) 求o 的表达式。

一、单选 （共10题,每题2分,共20分）
1.标准答案：B
2.标准答案：B
3.标准答案：A
4.标准答案：D
5.标准答案：B
6.标准答案：D
7.标准答案：A
8.标准答案：B
9.标准答案：A
v
10.标准答案：C
二、填空 （共5题,每题2分,共10分）
1.标准答案：多数|少数
2.标准答案：少数|温度|无关
3.标准答案：
|电流
4.标准答案：反向|正向
5.标准答案：正偏|反偏
四、计算 （共3题,每题20分,共60分）
1.标准答案： 1)
2)
i 3421i234O i
211R2i22
i R2)1()R 1(R V R R R R V R V V R R R I V V I +⋅-=+
=⋅-=⋅-==。