练习三 一、填空(26 分) 1. 杂质半导体有 型和 型两种；双极型晶体管的结构有 型和 型两种；场效应管根据导电沟道不同有 和 两种。 2. 图中二极管为理想器件，V1 工作在 状态；V2 工作在 状态；UA 为 V。
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3.三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A 为 极、B 为 极 、C 为 极，晶体管为 型三极管。 4.在图示电路中 2CW5 的参数为：稳定电压 Uz = 12 V，最大稳定电流 IZmax = 20 mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关 S 闭合时，电 压表 V 和电流表A1、A2 的读数分别为 、 、 ；当开关S 断开时，其读数分别为 、 、 。
六、图为一高通有源滤波电路。设 A 为理想运算放大器，试推导传递函数 Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率 fp。(8 分)
七、在图示两个电路中，A 为理想运算放大器，输出电压的极限值为 Uomax。 1. 指出这是两个什么类型的电路； 2. 画出它们的电压传输特性。(10 分)
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A. 差模输入电压为 10 mV，共模输入电压为 10 mV。 B. 差模输入电压为 10 mV，共模输入电压为 20 mV。 C. 差模输入电压为 20 mV，共模输入电压为 10 mV。 D.差模输入电压为 20 mV，共模输入电压为 20 mV。 4．通用型集成运 放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
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练习一 一 、 填 空 (16 分 ) 1．半导体二极管的主
要特性是
。
2. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为
偏置；工作在饱和区时发射结为 偏置，集电结为 偏置。
3. 当输入信号频率为 fL 和 fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 倍，或者是下降了 dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为
八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流 IQ = 5 mA。 1．写出图(a)中的I0 的表达式，并算出具体数值；
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2. 写出图(b)中的Uo 的表达式，并算出当 R2 = 5 W 时的具体数值； 3. 指出这两个电路分别具有什么功能。(9 分)
九、画出图中各电路的电压传输特性，要求 uI 的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为 ±12 V。(12 分)
6. 甲类放大电路是指放大管的导通角为 ；乙类放大电路则其放大管的导通角为 ；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 。 二、选择正确答案填空(9 分) 1．图示电路中二极管是理想的，电阻 R 为 6Ω。当普通指针式万用表置于 R X 1 Ω 档时，用黑表笔(通常带正电)接 A 点，红表笔(通常带负电) 接 B 点，则万用表的指示值为 。
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练习二
一、填空：(18 分) 1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电 路应采用 耦合方式。
2. 在三极管多级放大电路中，
，总的电压增益 = ；Au1 是 放大器；Au2 是 放大器；Au3 是 放
大器。 3. 单相桥式整流电路中，若输入电压 U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) = A。 4. 文氏桥正弦波振荡器用 网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。 5.在信号处理电路中，当有用信号频率低于 10 Hz 时，可选用 滤波器；有用信号频率高于 10 kHz 时，可选用? 滤波器；希望抑制 50 Hz 的交流 电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。
三、判断下列管子的工作状态(10 分) 1. 测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管 2. 电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
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四、图示差分放大电路中，调零电位器 RP 的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。 1．求静态工作点(IB、IC、UCE)； 2．画出半边对称放大电路的微变等效电路； 3．当 uS1 = -uS2 = 10 mV 时，求 uO = ？(12 分)
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四、图示运算放大电路中，已知 uI1 = 10 mV，uI2 = 30 mV，求 uO = ？(10 分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8 分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12 分) 1．它们是正反馈还是负反馈？ 2. 是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？ 3. 它们属于何种组态？ 4. 各自的电压放大倍数大约是多少？
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示 电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率 fL 降低，应( )。 A．减小 C ，减小Ri B．减小 C，增大 Ri C．增大 C，减小Ri D．增大 C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知 V1 的 b1 = 30，V2 的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输 出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
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七 、 电 路 如 图 所 示 。 试 回 答 ： 1． 该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？ 2. 如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？ 3. 在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10 分)
八、电路如图所示，已知稳压管 DZ 的稳压值 UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值 U2 = 20 V，电阻 R = 240Ω，电 容 C = 200 μF。求：(8 分) 1. 整流滤波后的直流电压 UI(AV) 约为多少伏？ 2. 当电网电压在 ±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？
八、在图示电路中，Rf 和 Cf 均为反馈元件，设三极管饱和管压降为 0 V。
1
．为稳定f = 10，确定 Rf = ？ 3. 求最大不失真输出电压功率 Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12 分)
练习四
一、填空(20 分) 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正 向压降约为 V。 2. 场效应管属于 控制型器件，而晶体三极管则是 控制型器件。 3.某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N 或 P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中 UGS = －2 V 称为该 管的 电压。
5. 若三级放大电路中 Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为 dB，折合为 倍。 6. 差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻 RE，使电路的RiC 、∣Auc∣= 、共摸抑制比= 。 7. 三端集成稳压器 CW7912 的输出电压为 V，而 CW7809 的输出电压则为 V。 二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：
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4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为： 表明其下限频率为 ，上限频率为 ，中频的电压增益为 dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。 5．在双端输入、双端输出的理 想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV 则可知差动放大电路的输入 差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。 6．设计一个输出功率为 20 W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管两个。 二、两级放大电路如图所示，已知三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 kΩ，rbe2 = 1.3 kΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共 14 分) 1. 试说明 V1 和 V2 各组成什么电路组态？ 2. 画出中频区的 H 参数微变等效电路； 3. 计算放大器的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro； 4. 计算中频区源电压放大倍数 Aus。
五、已知集成运放的 BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。(8 分)
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六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压 Uo 的值。(10 分)
七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数 Auf。 (10 分)
二、选择正确答案填空(24 分)
区域。
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该 管为( )。 A．P 沟道增强型MOS 管 B．P 沟道结型场效应管 C．N 沟道增强型MOS 管 D．N 沟道耗尽型MOS 管 3. 在图示 2 差分放大电路中，若 uI = 20 mV，则电路的( )。