干货分享一种三相可控硅交流调压电路设计
基于可控硅设计的调压电路目前在很多电源设计及变电领域中，应用广泛。

为了方便各位工程师和技术人员进行借鉴，在今天的文章中，我们将会为大家分享一种三项可控硅交流调压电路的设计方案，并同时提供该方案的仿真结果，希望能够对各位工程师的设计工作有所帮助。

 主电路的设计
 在本次的三相可控硅调压电路设计方案中，我们主要是对星形联结电路的工作原理和特性进行分析。

本方案采用双脉冲或宽脉冲触发，三相的触发脉冲应依次相差120°，同意向的两个反并联的可控硅触发脉冲应相差180°。

因此和三相桥式全控整流电路一样，触发脉冲顺序也是VT1~VT6，依次相差60°。

下图图1是这种三相三线负载星型联结交流调压电路图。

 图1 三相可控硅联结交流调压电路
 在了解了这种三相可控硅交流调压器的主电路结果后，我们可以可以看到，在本方案中我们所用到得器件主要有220V三相交流电源、6个反并联的可控硅，还有三个电阻负载。

其中6个反并联的可控硅可用三个双相可控硅代替，也可以用一个串联谐振代替2个反并联的可控硅。

 可控硅的选择
 为了避免这种三项可控硅交流调压电路，在运行的过程中出现正向转折电压的非正常导通情况，我们需要选择足够正向重复阻断峰值电压UDRM。

同时也为了避免发生反向击穿现象，我们所选择的可控硅器件必须有足够的反向重复峰值电压URRM。

所选择的可控硅在变流器中工作时，必须能够以电。