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7.1 概述
半导体存储器是一种能存储大量二 值信息的半导体器件。
按存储 功能分
只读存储器（ROM） 随机存储器（RAM）
按制造 双极性
工艺分
MOS型
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7.2 只读存储器（ROM)
Read Only Memory
优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具
有非易失性。
缺点：只适用于存储固定数据的场合。
地址输入端
字线
数 据
位线 输
出
端
存储容量＝ 22×4＝4×4
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位扩展
8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。
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字扩展
4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。
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7.5 用存储器实现组合逻辑函数
例7.5.2 试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数
Y1 ABC ABC
YY23
ABCD BCD ABCD ABCD ABCD
Y4 ABCD ABCD
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解：化为最小项之和的形式：
Y1 ABCDABCDABCDABCD YY23AABBCC D DAABBCCD DABC DABCD Y4 ABCDABCD
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Y 1 Y A 2 B A D B C D C A Y B 3A Y B 4 A D C A A B B D C B C A C D C D A D D B A B C B A A D C B B C CC D D D
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P流
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7.3 随机存储器（RAM)
R. andom A. ccess M. emory 优点：读、写方便,使用灵活。
缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易
失性）。
基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控
制电路构成。
P368图7.3.2
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7.4 存储容量的扩展
存储容量＝ 字数×位数
构电 路 结
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只读存储器分类：
掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。
PROM：可编程，只能写一次。
EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次 数也不宜多。
E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电 压脉冲，擦、写时间仍较长。
快闪存储器(Flash Memory)：吸收了EPROM结 构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用 隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。
第七章
-------半 导 体 存 储器
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教学内容
§7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合逻辑函数
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教学要求
1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构 和存储单元结构；会用ROM实现组合逻 辑函数。
2.熟悉RAM的结构和操作过程；了解 RAM的扩展方式。