自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。

A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小` C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。

(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。

> A ．电流放大系数 B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。

A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和，则此三极管是（ D ）。

（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

￥ A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极s 之间电压为零时（ B ）。

A ．能够形成导电沟道B ．不能形成导电沟道C ．漏极电流不为零D ．漏极电压为零三、填空题1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。

2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。

3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。

4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。

5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。

】 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。

7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。

8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。

10．GS 时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。

11．开启电压0)(>th U GS 的是 N 沟道增强型 场效应管。

12．开启电压0)(<th U GS 的是 P 沟道增强型 场效应管。

4自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻be r 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（ F ）-2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（ T ）3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（ F ）4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

（ F ）5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（ F ）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ）。

？ A ．共射放大电路 B ．共基放大电路C ．共集放大电路D ．不能确定4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（ B ）。

A ．共射放大电路B ．共基放大电路C ．共集放大电路D ．不能确定5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U CE 近似等于电源电压U CC 时（无电流），则该管工作状态为（ B ）。

A ．饱和B ．截止C ．放大D ．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是（ B ）。

A ．发射结正偏，集电结正偏B ．发射结正偏，集电结反偏C ．发射结反偏，集电结正偏D ．发射结反偏，集电结反偏| 7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（ D ）。

A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强8．放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（ A ）。

A ．耦合电容和旁路电容的影响B ．晶体管极间电容和分布电容的影响C ．晶体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点设置不合适9．当我们将两个带宽均为BW 的放大器级联后，级联放大器的带宽（ A ）。

A ．小于BWB ．等于BWC ．大于BWD ．不能确定 10．射极输出器的特点是（ A ）。

A ．输入电阻高、输出电阻低B ．输入电阻高、输出电阻高^C ．输入电阻低、输出电阻低D ．输入电阻低、输出电阻高11．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ A ）。

A ．共射组态B ．共基组态C ．共集组态D ．共漏组态12．在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是（ B ）。

A ．截止失真B ．饱和失真C ．交越失真D ．频率失真13．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的（ B ）。

(P55 ）A ．倍B ．倍C ．倍D ．倍14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ）。

A ．共发射极电路的u A 最大、i r 最小、o r 最小B ．共集电极电路的u A 最小、i r 最大、o r 最小【C ．共基极电路的u A 最小、i r 最小、o r 最大D ．共发射极电路的u A 最小、i r 最大、o r 最大15．已知某基本共射放大电路的mA I CQ 1=，V U CEQ 6=，管子的饱和压降V U CES 1=，Ω==k R R L C 4，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（ B ）。

A ．1VB ．2VC ．5VD ．6V三、填空题1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的 静态工作点 。

2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生 饱和 失真。

3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生 截止 失真。

4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q 点将向 上 移。

5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于 饱和 状态。

） 6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 相同 。

（共射相反）7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 强 。

L 越大，则其电压放大倍数 越大 。

9．某放大电路的负载开路时的输出电压为4V ，接入3K 的负载电阻后输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为 1K 。

10．放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为2H Lωωπ- Hz 。

自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载．．电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

（ F ）2．只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（ F ）3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

（ T ）) 4．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（ F ）二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。

A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ D ）。

A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带（ D ）。

A ．电压增益减小，通频带变宽B ．电压增益减小，通频带变窄—C ．电压增益提高，通频带变宽D ．电压增益提高，通频带变窄4．有两个放大器，空载时的输出电压均为3V ，当它们接入相同的负载时，甲放大器的输出电压为2V ，乙放大器的输出电压为1V ，则说明甲比乙的（ D ）。

A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 。

2．在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的 信号源内阻 。

3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 直接 耦合方式。

4．集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能 好 。

5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 窄 。

6．放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 放大器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。

`自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比cd CMR A A K （ T ） 2．当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。

（ T ）3．互补输出级应采用共集或共漏接法。

（ T ）4．对于长尾式差动放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射极电阻E R 一概可视为短路。

（ T ）二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是（ D ）。

A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化@ 2．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（ C ）。

A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是（ A ）。

A ．有效放大差模信号，有力抑制共模信号B ．既放大差模信号，又放大共模信号C ．有效放大共模信号，有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号，又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（ A ），而提高共模抑制比。

A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了（ C ）。

《A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ C ）。

A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻7．集成电路中所使用的电容都是由什么来实现的（ B ）。