7.在两根位错线上12,34为刃位错，其余 为螺位错。
（2）OS上的各段位错都可在该滑移面内 滑移，O’S’上的12，34位错不能运动， 其余各段都可在该滑移面内滑移。
8.（1）AB和CD位错线的形状都不变， 但AB的长度缩短b2，CD的长度增加b1
（2）AB位错上形成右螺型扭折，EF上 形成左螺型扭折。
x 0 .5 0 .4 x y z 0 .5 0 .5 z y x 0 .8 y 0 .0 5 z 0 .9 5
10
共 晶 转 变 后 的 组 织 为 初 Ld
初%
4.3 3.0 100% 4.3 2.11
59.36%
Ld % 100% 59.36% 40.64%
L'd Ld 4 0 .6 4 %
F e3CⅡ % 最大
2.11 0.77 100% 6.69 0.77
22.6%
F e3CⅡ % (由 初中 析 出 ） 初 % 2 2 .6 %
59.36% 22.6% 13.41%
P % 初 % Fe3CⅡ % 59.36% 13.41% 45.95%
相组成物：Fe3C % 6.693.0100%55.17%
m是指数中0的个数，n是相同指数
1
23
1
2
3
1
2
3
1
3
2
1
3
2
1
3
2
的个数
2
1
3
2
1
3
21
3
2
3
1
2
31
23
1
3
1
2
3
1
2
+
3
1
2
3
2
1
3
2
1
3
2
1
4.
101201121102101201121102 101201121102101201121102
1
1
01
2
2
41
4
221
11
2
0
1
2
10ຫໍສະໝຸດ 6.晶面及 {100} {110} {111} 〈100〉 〈110〉 〈111〉 晶向
bcc
1
2
3
1
2 23
a2
a2
3a 2
a
2a
3a
fcc
2
2 43
1
a2
a2
3a 2
a
2
3
a
3a
密排面指数 密排面原子密度 密排方向指 密排方向原
数
2.N N0 6.021023 9.58106 5.341028 / m3
M
107.9
ne exp
N
kT
kT ln ne
N
1.381023 1073ln
3.6 1023 5.34 1028
1.761019
3.自己看
4.不用看
5. （1）1点为正刃位错，2点为右螺位错， 3 点为负刃位错，4点为左螺位错。
1 3 . V m 6 .0 2 ( 1 3 0 5 2 .3 4 5 3 ( 0 .2 2 7 2 8 .9 9 2 )) 3 4 1 0 2 1 2 .2 6 g /c m 3
14-17不用看 18自己看
第四章
1.8500C:C1Aexp(EV kT1) 200C:C2Aexp(EV kT2) C C1 2 expkEV(T12T 11)exp11..3581100 12 83(21 9311123) exp274
材料科学基础习题答案_第 2版_西安交通大学_石德珂
主编
(2)
(3)
(-110)
2.
(2 6 3)
3 .{1 1 1}
1 1 1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
3.
Nhkl42m n3!!22mn4!
{1
1
0}
1 1 0
1
0
1
0
11
11
0
1
0
1
0
11
{1 2 3} 1 2 3 1 3 2 2 1 3 2 3 1 3 1 2 3 2 1
9.半径为r1的位错环。10.自己看 11.（1）能，因为能量降低 （2） ba3111,Frank不 全 位 错
15.
在111面内： a2110a6211层错a6121
在111面内： a2110a6121层错a6211
12.自己看 13.不用看 14自己看 16-20不用看
6.
x 0 .2 5 0 .7 3 3 3 x y
6.69 Fe3C%100%55.17%44.83%
CV
A exp(
EV kT
)
每个原子的质量是：
107 .9 g / mol 6.02 10 23 个 / mol
1.79 10 22 g / 个
1cm 3的原子数为：
9.58 g / cm 3 1.79 10 22 g / 个
5.35 10 22 个
子密度
bcc （110）
2
a2
fcc （111） 4 3
3a 2
hcp （0001） 2 3
3a 2
[111]
[110]
11
2
0
23 3a
2 a
1/a
7.(1)(100)晶面间距为a=0.286nm (110)晶面间距 2 a
2
(123)晶面间距 a
14
自己计算
a dhkl h2 k2 l2
8.(1)不是 （2）不用看
9.自己计算 10.不用看
11.a3 (0.372) 0.427nm 3
m V
79.909 132.905 6.021023 0.4273 1021
4.47g
/ cm3
rBr 0.37 0.167 0.203nm
12.（1）0.097+0.181=0.278
(2)R 0.2782 2 0.393nm (3) 0.2782 20.2782 0.481nm (4) (0.2782)2 0.2782 0.622nm
/ cm 3
CV
ne N
A exp
EV kT
ln
3.6 10 23 10 6 / cm 3 5.35 10 22 / cm 3
8.31 J
EV / mol 1073
K
EV 106192 J / mol
( 1)( 1 ,)( 1 1 0 ,1 )( 2 1 , 2 1 )( 2 ,)[ 1 ,][ 1 0 1 , 1 ][ 2 0 ,1 ][ 1 3 2 ,0 ][ 2 1 ,]
（2）在晶体的上下底面施加一对平行于b的 切应力，且下底面的切应力与b同向平行。
（3）滑移面下部晶体相对于上部晶体产生与 b相同的滑移，并在晶体侧表面形成相应台阶。
6.应在滑移面上、下两部分晶体施加一切 应力，切应力的方向应与de位错线平行。
（2）在上述切应力作用下，位错线de将 向左（或向右）移动，即沿着与位错线 de垂直的方向（且在滑移面上）移动。 当位错线沿滑移面旋转360度后。在晶体 表面沿柏氏矢量方向产生宽度为一个b的 台阶