BANK 片选 地址线 数据线 数据选通
For x16：LDQS/UDQS For x8/x4:DQS
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DDR2信号描述
信号 CK/CK# CKE CS# ODT RAS#，CAS#，WE# DM UDM/LDM
BA0-BA2 A0-A15
DQ DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S# UDQ S/UDQ S# LDQ S/LDQS# VDDQ/VDDL/VDD/VREF VSSQ/VSSDL/VSS
4 无 无
(-55)-125 TSOP/FBGA
256/512/1Gb x4/x8/x16 4 无 单端
256/512/1Gb/2Gb x4/x8/x16 4/8
ODT (optional) 差分/单端
0-70 (-40)-85 TSOP/FBGA
0-85 (-40)-95 FBGA
1Gb/2Gb x4/x8/x16
数据传输率(MHz)
66/100/133
200/266/333/400 400/533/667/800 800/1066/1333/1600
密度(Mb)
位宽(bit) BANK
Termination DATA Strobe
System Synchronization 储存温度(摄氏度)
封装
64/128/256/512 x4/x8/x16/x32
频率：如DDR2等效工作频率400/533/667/800对应实际 时钟频率为100/133/166/200MHz
4
内 存 的 仓 库 解 释
5
2. 内存种类
DIMM内存条
168Pin SDRAM 两个卡口 工作电压 3.3V
184Pin DDR 工作电压 2.5V
240 pin DDR2 工作电压 1.8V
/Memory/
/
/
/
/ghp_japan
/
/
/
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内存代码含义
SDRAM （以时钟频率来命名） PC100 PC133
DDR（DDR/DDR2/DDR3以数据传输率命名，单位 MB/s） PC 1600---〉 DDR200 (64bit×100MHz×2÷8＝1600MB/s) PC 2100---〉 DDR266 （64bit×133MHz×2÷8＝2128MB/s） PC 2700---〉 DDR333 PC 3200 ---〉DDR400
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3. 几种内存的区别及信号描述
SDR/DDR/DDR2/DDR3区别
SDR
DDR
DDR2
DDR3
工作电压(V)
3.3 (LVTTL标准) 2.5 (SSTL2标准) 1.8 (SSTL_18)
1.5V
CLOCK 频率(MHz)
66/100/133
100/133/167/200 100/133/167/200 100/133/167/200
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻 行选通，列选通，写输入使能
Write data mask: DM for ×4 ×8 DMU/DML for ×16
BANK SELECT Address input:提供行地址，列地址，读写命令的预充电位 在预充电命令期间，A10为低，只对一个BANK充电；A10为高时，对所有
/pc/dnyjcs/
/pc/dnyjcs//cn
/
/
启动时钟，在VDD/VDDL/VDDQ/VREF/VTT稳定后至少200us，CK/CK#稳定，执行NOP， 并将CKE=High。
400us后，执行Precharge All。 EMRS to EMR(2).(BA0=BA2=Low，BA1=High) EMRS to EMR(3).(BA2=Low，BA0=BA1=High) EMRS—〉使能DLL。 MRS—〉reset DLL。 Precharge all. Auto-refresh 2 or more. MRS（A8=Low）.初始化 Device。 OCD Calibration，exit OCD Calibration mode。 DDR2 SDRAM 初始化完成。
差分时钟
时钟使能
CS# RAS# CAS# WE#
DM LDM/UDM
BA0/BA1 A0—A13 DQ DQS LDQS/UDQS VDDQ/VDD/VREF VSSQ/VSS
I I
I
I I I/O I/O
电源 地
片选
行地址选通 列地址选通 写使能
DQ Mask.写屏蔽 For x16：LDM/UDM For x8/x4:DM
8 ODT 差分/单端 Master Reset (-55)-100 FBGA 12
SDR信号描述
Symbol A[n:0] BA0(A13) BA1(A12) CLK CKE RAS# CS# CAS# WE#
Type I
I
I I I I I
DQM,DQML/DQMH
I
DQ(x:0) VCC/VCCQ VSS/VSSQ
6
SODIMM内存条
144Pin SDRAM 工作电压 3.3V
200 pin DDR 工作电压 2.5V
200 pin DDR2 工作电压 1.8V
7
Micro-DIMM内存条 用于笔记本
172 pin DDR 工作电压 2.5V
214 pin DDR2 工作电压 1.8V
8
MINI Registered DIMM内存条 用于笔记本
244 pin DDR2 工作电压 1.8V
9
内存主要厂商
内存芯片及内存条生产 厂商 KINGMAX（胜创） HyunDai（现代） Kingston(金士顿) Adata(威刚) Infineon(英飞凌) LGS（高士达） Micron（麦康） Samsung（三星） NEC Toshiba（东芝）
WRA
RDA
Precharging
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DDR2 内存基本时序(JESD79-2E)
DDR2 SDRAM内部有4个模式配置寄存器： MR/EMR(1)/EMR(2)/EMR(3)
向4个寄存器中写入相应的值，也就是命令，即配置了DDR2 SDRAM 的工作参数。
命令的写入是通过地址线和BA片选线实现。
不断的充电，也叫刷新(Refresh)。 SDRAM：Synchronous DRAM 同步动态随机存储器，64位带宽，3.3V工作
电压。 DDR：Double Data Rate SDRAM 双倍速率同步动态随机存储器。 DDR2： Double Data Rate2 SDRAM 4倍速率同步动态随机存储器。 DDR3： Double Data Rate3 SDRAM 8倍速率同步动态随机存储器。 SIMM：single inline memory module 单列直插内存模组，内存条两侧金手
BANK预充电
Data input/output
Data strobe: ×4 DQ S/DQ S# ×8 DQ S/DQ S# RDQ S/RDQ S#(可配置为一对或两对选通) ×16 UDQ S/UDQ S#(对应DQ8-DQ15) LDQ S/LDQ S#(对应DQ0-DQ7)
POWER
GND
指提供相同信号，一次最高传输32bit数据。 DIMM：dual inline memory module 双列直插内存模块，金手指两侧各自独
立传输信号。
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位宽：内存芯片颗粒的数据线位数，目前常用有x4，x8， x16三种。
BANK：颗粒内部的存储阵列，一个阵列就是一个BANK， 目前主要有4BANK和8BANK。
内存设计相关知识总结
RD中心SBC组 王海
1
内容
内存相关名词解释 内存种类 内存区别及信号描述 内存基本时序 内存设计 Example
2
1.名词解释
RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 SRAM：Static RAM 静态随机存储器，利用双稳态触发器保存信息。 DRAM：Dynamic RAM 动态随机存储器，利用电容充放电保存信息，需要
I/O Power GND
Description1 地址信号
BANK片选与地址复用
时钟 时钟使能 行地址选通 片选 列地址选通 写使能 DQ Mask.写屏蔽 For x16：DQML/DQMH For x8/x4:DQM 数据信号
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DDR信号描述
Symbol
CK/CK#
Type
CKE
I
Description1
Siemens（西门子） Mitsubishi（三菱） Fujitsu（富士通）
Hitachi（日立） TI（德州仪器）
厂商网址
/
http://kcs.hei.co.kr/models/
/pc/dnyjcs/
BA2 BA1 BA0 A13- A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 A15
向上述表格中信号写入不同的值即实现了对各个 寄存器命令的写入
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初始化
上电时，CKE=ODT=Low，VDD/VDDL/VDDQ来自同一Power Source，VTT<0.95V， VREF=VDDQ/2，待VDDQ>VDDQmin时，完成上电。
描述
CLOCK Input
Clock Enable
RANK Select
On die termination 可通过设置寄存器EMR(1)使能内部端接电阻
行选通，列选通，写输入使能