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四输入与非门电路版图设计

成绩评定表课程设计任务书目录1 绪论ﻩ11、1设计背景ﻩ11.2设计目标 (1)2四输入与非门电路 (2)2、1电路原理图ﻩ22、2四输入与非门电路仿真观察波形 (2)2、3四输入与非门电路的版图绘制ﻩ32、4四输入与非门版图电路仿真观察波形 (4)2、5LVS检查匹配 (5)总结ﻩ7参考文献 (8)附录一:电路原理图网表ﻩ9附录二:版图网表 (10)1绪论1.1 设计背景tanner就是用来IC版图绘制软件,许多EDA系统软件的电路模拟部分就是应用Spice程序来完成的,而tanner软件就是一款学习阶段应用的版图绘制软件,对于初学者就是一个上手快,操作简单的EDA软件。

Tanner集成电路设计软件就是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。

该软件功能十分强大,易学易用,包括S-Edit,T-Spice,W-Edit,L-Edit与LVS,从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。

其中的L-Edit版图编辑器在国内应用广泛,具有很高知名度。

L-Edit Pro就是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计与验证的高性能软件系统模块,具有高效率,交互式等特点,强大而且完善的功能包括从IC设计到输出,以及最后的加工服务,完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。

L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计规则检查器(DRC)、组件特性提取器(Device Extractor)、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS L ibrary、Marco Library,这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。

L-Edit Pro丰富完善的功能为每个IC设计者与生产商提供了快速、易用、精确的设计系统。

1.2设计目标1、用tanner软件中的原理图编辑器S-Edit编辑四输入与非门电路原理图。

2、用tanner软件中的W-Edit对四输入与非门电路进行仿真,并观察波形。

3、用tanner软件中的L-Edit绘制四输入与非门版图,并进行DRC验证。

4.用W-Edit对四输入与非门的版图电路进行仿真并观察波形。

5、用tanner软件中的layout-Edit对四输入与非门进行LVS检验观察原理图与版图的匹配程度。

2 四输入与非门电路2.1电路原理图用CMOS实现四输入与非门电路,PMOS与NMOS管进行全互补连接方式,栅极相连作为输入,电路上面就是四个PMOS并联,PMOS的漏极与下面NMOS的漏极相连作为输出,POMS管的源极与衬底相连接高电平,NMOS管的源极与衬底相连接低电平;原理图如图2、1所示。

图2.1 四输入与非门电路原理图2、2与非门电路仿真观察波形给四输入与非门的输入加激励,高电平为Vdd=5V,低电平为Gnd,并添加输入输出延迟时间,进行仿真,并输出波形;波形图如下图2、2所示。

图2、2 四输入与非门电路输入输出波形图由波形可以瞧出,当输入A,B,C,D都为高电平时,输出低电平;其它情况,也就就是只要有一个零输出就为高电平。

2、3与非门电路的版图绘制用L-Edit版图绘制软件对电路进行四输入与非门电路版图绘制,同时进行DRC验证,查瞧输出结果,检查有无错误;版图与输出结果如下图2、3所示。

图2、3 四输入与非门电路版图2、4四输入与非门版图仿真观察波形同四输入与非门电路原理图仿真相同,添加激励、电源与地,同时观察输入输出波形;波形如下图2、4所示。

图2、4四输入与非门电路版图输入输出波形图由波形可以瞧出,输入A,B,C,D都为高电平时,输出低电平;其它情况,也就就是只要有一个零输出就为高电平。

四输入与非门电路的版图仿真波形与原理图的仿真输出波形基本一致,并且符合输入输出的逻辑关系,电路的设计正确无误。

2、5 LVS检查匹配用layout-Edit对反相器进行LVS检查验证,首先添加输入输出文件,选择要查瞧的输出,观察输出结果检查反相器电路原理图与版图的匹配程度;输出结果如下图2、5所示。

图2、5 四输入与非门电路LVS检查匹配图总结通过本次模拟电路版图课程设计,我受益匪浅。

不仅巩固我们已学的版图工艺的理论知识,提高我们电子电路的设计水品,而且加强我们综合分析问题与解决问题的能力,进一步培养我们的实验技能与动手能力,启发我们创新意识及创新思维。

在设计过程中我们将理论联系实际,在不断的改进设计中提高自己,完善自己的技能,达到了理论与实际的真正结合、、..、、在版图设计的后期,模拟出波形时,还就是遇到了一些困难,可能就是因为移动文件改变了路径而出不了波形,但就是在老师悉心的指导及同学的热情帮助下,我最终找出了问题的根源并顺利完成设计、、、、、、参考文献[1] 钟文耀,郑美珠、CMOS电路模拟与设计—基于tanner、全华科技图书股份有限公司印行,2006、[2] 刘刚等著.微电子器件与IC设计基础、第二版.科学出版社,2009、[3]Alan Hastings、The Art of Analog Layout.Second Edition、电子工业出版社、2013附录一:电路原理图网表*SPICE netlist written by S-Edit Win32 7.03* Written on Jul 5, 2013at08:54:09*Waveform probingcommands.probe、options probe"D:\study\tanner\S-Edit\tutorial\Q\guang、dat"+probesdbfile="D:\study\tanner\S-Edit\tutorial\Q\guang、sdb"+probetopmodule="Module0"* Main circuit: Module0M1Y D N16Gnd NMOSL=2u W=22uAD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM2 N16 C N19 GndNMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM3 N19 BN22 Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66pPD=24u A S=66p PS=24uM4 N22A GndGnd NMOS L=2u W=22u AD=66pPD=24u AS=66p PS=24uM5 Y CVddVddPMOS L=2uW=22uAD=66p PD=24uAS=66p PS=24uM6 Y D Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24uM7 Y B Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66pPS=24uM8 Y A Vdd Vdd PMOSL=2u W=22uAD=66pPD=24u AS=66pPS=24u、include "D:\study\tanner\TSpice70\models\ml2_125.md"、tran/op 2n 500n method=bdf、printtranv(Y)v(A) v(B)v(C) v(D)Vsoue Vdd Gnd 5VsssA A GndPULSE(0 5 2n 2n 2n50n 100n)VsssB BGnd PULSE (052n2n2n 60n 120n)VsssCC Gnd PULSE(0 5 2n2n 2n80n150n)VsssD D Gnd PULSE(052n2n 2n 110n 160n)*End of main circuit:Module0附录二:版图网表*Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit Version 9.00 / Extract Version 9、00 ;*TDB File: D:\study\tanner\S-Edit\tutorial\Q\guang、tdb*Cell: Cell0 Version1.22* ExtractDefinition File:D:\study\tanner\LEdit90\Samples\SPR\example1\lights、ext*ExtractDate and Time:07/05/2013 - 08:53.includeD:\study\tanner\TSpice70\models\ml2_125.md* Warning: Layers with UnassignedAREACapacitance、*<Poly Resistor ID>*<Poly2Resistor ID>*<NDiff ResistorID>*<PDiff ResistorID>*<PBase ResistorID>* <N Well Resistor ID>*Warning: Layers with Unassigned FRINGECapacitance.* <Pad Comment>*<Poly1-Poly2CapacitorID>* <Poly ResistorID>*<Poly2Resistor ID>* <NDiff Resistor ID>*<P DiffResistorID>*<P BaseResistor ID>* <N Well Resistor ID>* Warning: Layers with Zero Resistance、* <Pad Comment>*<Poly1-Poly2Capacitor ID>* <NMOS Capacitor ID>* <PMOS CapacitorID>M8 1 103 1 PMOS L=2u W=7u*M8DRAIN GATESOURCEBULK (62 4.564 11、5)M7 39 11PMOS L=2u W=7u*M7 DRAIN GATESOURCE BULK (544、5 5611、5)M6 1 8 31 PMOS L=2uW=7u* M6 DRAIN GATE SOURCEBULK(464、54811.5)M537 1 1 PMOS L=2u W=7u*M5 DRAINGATESOURCEBULK(38 4、540 11、5) M4 310 6 2 NMOS L=2uW=7u*M4 DRAINGATE SOURCE BULK (62 -23、564-16.5) M3 6 9 5 2NMOS L=2uW=7u*M3 DRAINGATE SOURCE BULK (54-23、5 56-16.5)M258 4 2 NMOS L=2u W=7u*M2DRAIN GATE SOURCE BULK (46 -23、548 -16、5) M147 22NMOS L=2uW=7u* M1DRAIN GATESOURCE BULK (38 -23.5 40 -16、5)*Total Nodes: 10* Total Elements: 8*TotalNumber ofShorted Elements notwrittento the SPICE file: 0*Extract Elapsed Time: 0 seconds、include"D:\study\tanner\TSpice70\models\ml2_125、md".tran/op 2n500n method=bdf.print tran v(Y)v(A) v(B) v(C) v(D)VsoueVdd Gnd 5VsssAAGnd PULSE (052n 2n 2n50n 100n)VsssBBGnd PULSE(052n 2n2n60n120n)VsssC C Gnd PULSE(0 5 2n 2n2n80n150n)VsssDDGndPULSE (05 2n2n 2n 110n160n)、END。

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