隔离芯片──PhotoMos 隔离继电器
结构及工作原理
这种隔离芯片的隔离原理如图1所示，它利用了一发光二极管的导通与否
控制另一端信号的截止与导通。

图1 PHOTOMOS 芯片的隔离原理
一端发光二极管的导通可由控制器进行控制，一般它的导通电流为0.9mA ，当有大于0.9mA 的电流通过该发光二极管时，该二极管就导通并发光。

而另一端也即被控制端，实际上是一种固态的继电器由功率MOS 管构成，它截止时相当于被控制端的两点断路，而一旦导通相当于一个固定的电阻，导通电阻为30Ω（典型值）。

对于高输入阻抗的A/D 转换器，这个导通电阻对测量精度的影响是可以忽略的。

它的导通与否由控制端的光电二极管是否发光控制。

当发光二极管导通发光时，被控制端也立即导通；当发光二极管截止时，被控制端也相应断开。

应用上述的隔离继电器的隔离原理，我们就可以对输入信号进行隔离。

在图2中表示了两路信号进入A/D 转换器的情况，()V IN +和()V IN -分别是模拟信号的输入端，而()V AIN +和()V AIN +表示进入A/D 转换器的差动输入端，两路信号经过了MOS 管的隔离，便可以分时连入A/D 转换器的输入端，而它们之间是不会相互影响的。

该MOS管的控制端CON接在CPU的口线上，由主控制器控制接入A/D转换器的输入信号通道。

V
CC
V
CC
CON1
CON2
图2 通道隔离原理
通过表1中的参数值，我们可以列出下面的算式：
ON ON
CC
I V
V R
* 2 -
=
接在PhotoMos管上的限流电阻只要满足上式，当CPU选通时芯片能够导通。