Appl. Phys. Lett. 95, 173305 2009
进展
性能控制
Appl. Phys. Lett. 95, 173305 2009
进展
与上述类似，有人做了 (C8H13NH3)2PbI4多 量子阱，测试性质很接近。
结论：利用这一类特殊的有机/无机自 组装杂化物的相转换特性，及其光学特 性，可将其应用到光电子设备。
特征
1. 量子限域效应
GaAs/AlGaAs多量子阱的光吸收谱
特征
2. 量子阱中的激子效应
与三维体材料相比，量子阱材料中，电子 和空穴的库仑相互作用得到增强，激子效 应随系统尺寸减小而增加，即使在室温下， 量子阱吸收光谱中也能看到很强的激子吸 收峰。
特征
3. 二维电子气 半导体表面反型层中的电子与势阱的 宽度相当，发生量子尺寸效应，在垂 直方向的运动丧失了自由度，只存在 表面内两个方向的自由度，它的散射 几率比三维电子气小得多，因此迁移 率很高。
提出
2. 实验背景
1969年两位半导体物理学家江崎和朱 兆祥在实验中发现了反常电流-电压特 性，包括负阻效应；1972年用MBE技 术首先生长了GaAlAs超晶格异质结半 导体，并且验证了负阻效应的存在， 同时也验证了二维晶体和三维晶体能 带的差别。
提出
B
A
半导体量子阱的结构示意图
量子阱的能带结构示意图
进展
XRR测试
J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 32, No. 1, Jan/Feb 2014
进展
材料的电学和热电性质
J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 32, No. 1, Jan/Feb 2014
进展
2. (C12H25NH3)2PbI4多量子阱
进展
1. ZnO和有机分子 作者用ALD/MLD方法制备了ZnO和 有机分子(HQ、AP、ODA)的超晶格 结构的薄膜。ZnO和有机分子按几 种不同比例进行，目的是看比例对 超晶格结构的影响。
J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 32, No. 1, 2. 特征 3. 进展 4. 下步工作
提出
1. 物理背景 量子物理和凝聚态物理在半导体方面的研 究和发展，特别是量子物理的发展，为超 晶格量子阱的发现和提出奠定了基础。 在物理学上的两大突破：一是把量子物理 的研究范围扩宽到更大的尺寸；二是在人 类历史上第一次出现人工设计晶体结构并 制造周期性晶体。